Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

XX Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г. Гибридные нитевидные нанокристаллы AlGaAs/GaAs/ AlGaAs с квантовой точкой, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния

DOI: 10.21883/ftp.2016.11.43769.1

Цырлин Г.Э.^1,2, Штром И.В.^1,2,3, Резник Р.Р.^1,4, Самсоненко Ю.Б.^1,2, Хребтов А.И.¹, Буравлев А.Д.^1,2,3, Сошников И.П.

¹Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

²Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Institute for Analytical Instrumentation of the Russian Academy of Sciences, Saint Petersburg, Russia

Institute for Analytical Instrumentation of the Russian Academy of Sciences, Saint Petersburg, Russia

³Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

⁴Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Email: cirlin@beam.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 27 апреля 2016 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2016 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Приведены данные по росту и исследованию свойств наноструктур типа "вставка GaAs, внедренная в AlGaAs нитевидный нанокристалл", выращенных на поверхности Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием золота в качестве катализатора. Показано, что, варьируя условия эпитаксиального роста, можно получать квантово-размерные структуры типа квантовой точки, излучающие в широком интервале длин волн как для активной, так и барьерной областей. Предлагаемая технология открывает новые возможности по интеграции прямозонных соединений А^IIIВ^V и кремния.

В.Г. Дубровский, Г.Э. Цырлин, В.М. Устинов. ФТП, 43 (12), 1585 (2009)
M. Tchernycheva, G.E. Cirlin, G. Patriarche, L. Travers, V. Zwiller, U. Perinetti, J.-C. Harmand. Nano Lett., 7, 1500 (2007)
Г.Э. Цырлин, M. Tchernycheva, G. Patriarche, J.-C. Harmand. ФТП, 46 (2), 184 (2012)
V.N. Kats, V.P. Kochereshko, A.V. Platonov, T.V. Chizhova, G.E. Cirlin, A.D. Bouravleuv, Yu.B. Samsonenko, I.P. Soshnikov, E.V. Ubyivovk, J. Bleuse, H. Mariette. Semicond. Sci. Technol., 27, 015009 (2012)
D. Barettin, A.V. Platonov, A. Pecchia, V.N. Kats, G.E. Cirlin, I.P. Soshnikov, A.D. Bouravleuv, L. Besombes, H. Mariette, M.A. der Maur, A.D. Carlo. IEEE J. Select. Top. Quant. Electron., 19 (5), 1901209 (2013)
V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev, G.E. Cirlin, M. Tchernycheva, J.C. Harmand, V.M. Ustinov. Rhys. Rev. E, 77, 031606 (2008)
T.F. Kuech, D.J. Wolford, R. Potemski, J.A. Bradley, K.H. Kelleher, D. Yan, J.P. Farrell, P.M.S. Lesser, F.H. Pollak. Appl. Phys. Lett., 51, 505 (1987)
C. Chen, S. Shehata, C. Fradin, R. LaPierre, C. Couteau, G. Weihs. Nano Lett., 7, 2584 (2007)
S.K. Lim, M.J. Tambe, M.M. Brewster, S. Gradecak. Nano Lett. 8, 1386 (2008)
V.G. Dubrovskii, I.V. Shtrom, R.R. Reznik, Yu.B. Samsonenko, A.I. Khrebtov, I.P. Soshnikov, S. Rouvimov, G.E. Cirlin. Направлено в Nanotechnology

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель