Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние параметров гетероструктур AlN/GaN/AlGaN и AlN/GaN/InAlN с двумерным электронным газом на их электрофизические свойства и характеристики транзисторов на их основе

Цацульников А.Ф.^1,2, Лундин В.В.², Заварин Е.Е.², Яговкина М.А.², Сахаров А.В.², Усов С.О.^1,3, Земляков В.Е.⁴, Егоркин В.И.⁴, Булашевич К.А.⁵, Карпов С.Ю.⁵, Устинов В.М.¹

¹Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Submicron Heterostructures for Microelectronics, Research and Engineering Center, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Submicron Heterostructures for Microelectronics, Research and Engineering Center, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

³Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия ITMO University, St. Petersburg, Russia

⁴Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники", Москва, Зеленоград, Россия National Research University of Electronic Technology (MIET), Zelenograd, Russia

National Research University of Electronic Technology (MIET), Zelenograd, Russia

⁵OOO "Софт-Импакт", Санкт-Петербург, Россия Soft-Impact Ltd, Saint-Petersburg, Russia

Email: andrew@beam.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 12 апреля 2016 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2016 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Экспериментально и теоретически изучено влияние толщин и составов слоев в транзисторных гетероструктурах AlGaN/AlN/GaN и InAlN/AlN/GaN с двумерным электронным газом на их электрофизические свойства и статические параметры тестовых транзисторов, изготовленных из таких гетероструктур. Показано, что при использовании барьера InAlN вместо AlGaN концентрация носителей в канале увеличивается более чем в 2 раза, что приводит к соответствующему увеличению тока насыщения. Нанесение диэлектрического покрытия на поверхность гетероструктур InAlN/AlN/GaN in situ в ростовом процессе позволило увеличить максимальный ток насыщения и пробивные напряжения при сохранении высокой крутизны передаточной характеристики.

П.П. Мальцев, Ю.В. Федоров. Нанотехнологии и наноматериалы (Интеграл), 3, 25 (2013)
Jan Kuzmik. Electron Dev. Lett., 22, 510 (2001)
M. Neuburger, T. Zimmermann, E. Kohn, A. Dadgar, F. Schulze, A. Krtschil, M. Gunther, H. Witte, J. Blasing, A. Krost, I. Daumiller, M. Kunze. Int. J. High Speed Electron. Syst., 14, 785 (2004)
I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)
В.В. Лундин, Д.В. Давыдов, E.E. Заварин, М.Г. Попов, А.В. Сахаров, Е.В. Яковлев, Д.С. Базаревский, Р.А. Талалаев, А.Ф. Цацульников, М.Н. Мизеров, В.М. Устинов. Письма ЖТФ, 41, 9 (2015)
С.О. Усов, Е.Е. Заварин, А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, А.Е. Николаев, М.А. Синицын, С.И. Трошков, Н.Н. Леденцов. ФТП, 44, 981 (2010)
А.В. Сахаров, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, М.А. Синицин, А.Ф. Цацульников. Тез. докл. 5-й Всерос. конф. Нитриды галлия, индия и алюминия --- структуры и приборы", Москва, 2007 (Санкт-Петербург, 2007) с. 46
А.В. Сахаров, В.В. Лундин, А.Е. Николаев, Е.Е. Заварин, М.А. Синицын, М.А. Яговкина, А.Ф. Цацульников. Тез. докл. 7-й Всерос. конф. Нитриды галлия, индия и алюминия --- структуры и приборы", Москва, 2010 (Санкт-Петербург, 2010) с. 117
S. Russo, A. Di Carlo. arXiv:cond-mat/0510049 (2005)
http://www.str-soft.com/products/FETIS/index.htm
R.A. Talalaev, S.Yu. Karpov, I.Yu. Evstratov, Yu.N. Makarov. Phys. Status Solidi C, 0, 311 (2002)
В.Г. Тихомиров, В.Е. Земляков, В.В. Волков, Я.М. Парнес, В.Н. Вьюгинов, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, Е.Е. Заварин, А.Ф. Цацульников, Н.А. Черкашин, М.Н. Мизеров, В.М. Устинов. ФТП, 50, 245 (2016)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель