Вышедшие номера
Теория мощностных характеристик лазеров на квантовой яме с асимметричными барьерными слоями: учет асимметрии заполнения электронных и дырочных состояний
Асрян Л.В.1, Зубов Ф.И.2,3, Крыжановская Н.В.2,3, Максимов М.В.2,3, Жуков А.Е.2,3
1Virginia Polytechnic Institute and State University, Blacksburg, Virginia, USA
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: asryan@vt.edu
Поступила в редакцию: 29 февраля 2016 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2016 г.

Рассчитаны мощностные характеристики нового вида инжекционных лазеров - лазеров на квантовой яме (КЯ) с асимметричными барьерными слоями (АБС). Использована обобщенная модель, учитывающая асимметрию заполнения электронных и дырочных состояний. Показано, что электронно-дырочная асимметрия не влияет существенным образом на характеристики АБС лазеров - даже в присутствии промежуточных слоев (располагающихся между КЯ и каждой из двух АБС), в которых имеет место паразитная электронно-дырочная рекомбинация, внутренняя дифференциальная квантовая эффективность АБС лазера на КЯ слабо зависит от тока накачки и остается близкой к единице, а следовательно, ватт-амперная характеристика остается линейной при высоких уровнях накачки.
  1. P.S. Zory, Jr. Quantum Well Lasers (Academic, Boston, 1993)
  2. H. Temkin, D. Coblentz, R.A. Logan, J.M. Vandenberg, R.D. Yadvish, A.M. Sergent. Appl. Phys. Lett., 63 (17), 2321 (1994)
  3. J.D. Evans, J.G. Simmons, D.A. Thompson, N. Puetz, T. Makino, G. Chik. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 1 (2), 275 (1995)
  4. L.V. Asryan, R.A. Suris. Semicond. Sci. Technol., 11 (4), 554 (1996)
  5. S. Seki, H. Oohashi, H. Sugiura, T. Hirono, K. Yokoyama. IEEE J. Quantum Electron., 32 (8), 1478 (1996)
  6. L.J. Mawst, A. Bhattacharya, J. Lopez, D. Botez, D.Z. Garbuzov, L. DeMarco, J.C. Connolly, M. Jansen, F. Fang, R.F. Nabiev. Appl. Phys. Lett., 69 (11), 1532 (1996)
  7. D. Garbuzov, L. Xu, S.R. Forrest, R. Martinelli, J.C. Connolly. Electron. Lett., 32 (18), 1717 (1996)
  8. R.F. Kazarinov, G.E. Shtengel. J. Lightw. Technol., 15 (12), 2284 (1997)
  9. M.V. Maximov, L.V. Asryan, Y.M. Shernyakov, A.F. Tsatsul'nikov, I.N. Kaiander, V.V. Nikolaev, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, Z.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. IEEE J. Quant. Electron., 37 (5), 676 (2001)
  10. L.V. Asryan, R.A. Suris. Electron. Lett., 33 (22), 1871 (1997)
  11. L.V. Asryan, R.A. Suris. IEEE J. Quant. Electron., 34 (5), 841 (1998)
  12. L.V. Asryan, S. Luryi, R.A. Suris. Appl. Phys. Lett., 81 (12), 2154 (2002)
  13. L.V. Asryan, S. Luryi, R.A. Suris. J. Quantum Electron., 39 (3), 404 (2003)
  14. L.V. Asryan, S. Luryi. Solid-State Electron., 47 (2), 205 (2003)
  15. L.V. Asryan, S. Luryi. U.S. Patent No. 6,870,178, Mar. 22, 2005; (U.S. Provisional Patent Application No. 60/272,202, filed on Feb. 28, 2001)
  16. L.V. Asryan, N.V. Kryzhanovskaya, M.V. Maximov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov. Semicond. Sci. Technol., 26 (5), 055025 (2011)
  17. L.V. Asryan, N.V. Kryzhanovskaya, M.V. Maximov, F.I. Zubov, A.E. Zhukov. J. Appl. Phys., 114 (14), 143103 (2013)
  18. A.E. Zhukov, N.V. Kryzhanovskaya, F.I. Zubov, Y.M. Shernyakov, M.V. Maximov, E.S. Semenova, K. Yvind, L.V. Asryan. Appl. Phys. Lett., 100 (2), 021107 (2012)
  19. А.Е. Жуков, Л.В. Асрян, Ю.М. Шерняков, М.В. Максимов, Ф.И. Зубов, Н.В. Крыжановская, K. Yvind, Е.С. Семенова. ФТП, 46 (8), 1049 (2012)
  20. Ф.И. Зубов, А.Е. Жуков, Ю.М. Шерняков, М.В. Максимов, Н.В. Крыжановская, K. Yvind, Е.С. Семенова, Л.В. Асрян. Письма ЖТФ, 41 (9), 61 (2015)
  21. F.I. Zubov, M.V. Maximov, Yu.M. Shernyakov, N.V. Kryzhanovskaya, E.S. Semenova, K. Yvind, L.V. Asryan, A.E. Zhukov. Electron. Lett., 51 (14), 1106 (2015)
  22. F.I. Zubov, A.E. Zhukov, Yu.M. Shernyakov, M.V. Maximov, E.S. Semenova, L.V. Asryan. J. Phys. Conf. Ser., 643, 012042 (2015)
  23. А.Е. Жуков, Н.В. Крыжановская, М.В. Максимов, А.Ю. Егоров, М.М. Павлов, Ф.И. Зубов, Л.В. Асрян. ФТП, 45 (4), 540 (2011)
  24. L.A. Coldren, S.W. Corzine. Diode Lasers and Photonic Integrated Circuits (N. Y., Wiley, 1995)
  25. L.V. Asryan, Z.N. Sokolova. J. Appl. Phys., 115 (2), 023107 (2014)
  26. L.V. Asryan. Квант. электрон., 35 (12), 1117 (2005)
  27. L.V. Asryan, N.A. Gun'ko, A.S. Polkovnikov, G.G. Zegrya, R.A. Suris, P.-K. Lau, T. Makino. Semicond. Sci. Technol., 15 (12), 1131 (2000)
  28. K.J. Vahala, C.E. Zah. Appl. Phys. Lett., 52 (23), 1945 (1988)
  29. L.V. Asryan, S. Luryi. Appl. Phys. Lett., 83 (26), 5368 (2003)
  30. L.V. Asryan, S. Luryi. IEEE J. Quant. Electron., 40 (7), 833 (2004).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.