"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Механизм выключения микроплазм при лавинном пробое p-n-структур кремния
Мусаев А.М.1
1Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
Email: akhmed-musaev@yandex.ru
Поступила в редакцию: 31 марта 2016 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2016 г.

Исследован возможный механизм выключения естественных микроплазм в кремниевых p-n-переходах. Показано, что эффект выключения не является случайным процессом, а имеет в основе определенный физический механизм. Механизм связан с формированием на концах канала микроплазменного пробоя варизонных областей, обусловленных термоупругими напряжениями, и перераспределением электрического поля в области месторасположения микроплазм.
  • И.В. Грехов, Ю.Н. Сережкин. Лавинный пробой p-n-перехода в полупроводниках. (Л. Энергия, 1980) гл. 3, с. 79
  • A.G. Chynoweth, G.L. Pearson. J. Appl. Phys. Stat., 29, 1103 (1958)
  • V.A. Grazhulis, V.V. Kveder, V.Yu. Mukhina. Phys. Status Solidi (a), 44, 107 (1977)
  • V.V. Kveder, Yu.A. Osipyan, W. Schroter, G. Zoth. Phys. Status Solidi (a), 72, 701 (1982)
  • В.К. Аладинский. ФТП, 6, 2034 (1972)
  • R. Hall, J.H. Leck. Int. J. Electr., 25, 529 (1968)
  • С.М. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М. Наука, 1984) ч. 1
  • А.М. Мусаев. ФТП, 49, 1160 (2015)
  • Э. Мелан, Г. Паркус. Термоупругие напряжения вызываемые стационарными температурными полями (М., Гос. изд-во физ.-мат. лит. 1958) гл. 8, с. 111
  • Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты полупроводниках (М. Наука, 1972) гл. 5, с. 374
  • В.Н. Добровольский, А.Д. Сырых. ФТП, 30,1395 (1996)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.