"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Формирование низкорезистивного Cu3Ge cоединения при низкотемпературной обработке в потоке атомарного водорода
Министерство образования и науки Российской Федераци, ФЦП "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014 - 2010 годы", 14.577.21.0204 от 27.10.15
Ерофеев Е.В.1, Казимиров А.И.1, Федин И.В.1, Кагадей В.А.2
1Научно-исследовательский институт систем электрической связи Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники, Томск, Россия
2АО Научно-производственная фирма "Микран", Томск, Россия
Email: erofeev@micran.ru
Поступила в редакцию: 18 февраля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2016 г.

Исследованы закономерности формирования низкорезистивного Cu3Ge соединения при низкотемпературной обработке в потоке атомарного водорода двухслойной системы Cu/Ge, осаждeнной на подложку i-GaAs. Обработка системы Cu/Ge/i-GaAs с толщиной слоeв 122 и 78 нм соответственно в атомарном водороде с плотностью потока 1015 aт·см2·с-1 в течение 2.5-10 мин при комнатной температуре приводит к взаимодиффузии Cu и Ge и формированию поликристаллической плeнки, содержащей стехиометрическую фазу Cu3Ge. Плeнка состоит из вертикально ориентированных зерен размером 100-150 нм и имеет минимальное удельное сопротивление 4.5 мкОм·см. Варьирование времени обработки образцов Cu/Ge/i-GaAs в атомарном водороде влияет на профили распределения Cu и Ge, фазовый состав пленок, а также на величину их удельного сопротивления. Экспериментально наблюдаемый синтез Cu3Ge соединения, реализующийся при комнатной температуре, свидетельствует о стимулирующем характере воздействия обработки в атомарном водороде как на диффузию Cu и Ge, так и на химическую реакцию образования соединения Cu3Ge. Активация данных процессов может быть обусловлена энергией, выделяющейся при рекомбинации атомов водорода, адсорбированных на поверхности образца Cu/Ge/i-GaAs.
  1. Ю.И. Тюрин, И.П. Чернов. Аккумулирующие свойства водорода в твердом теле (М., Энергоатомиздат, 2000)
  2. Водород в металлах, под ред. Г. Алефельда, И. Фелькеля. (М., Мир, 1978) т. 1
  3. B.A. Эльтеков. Bзаимодействие атомных частиц с твeрдым телом. Компьютерное моделирование (М., изд-во Моск. ун-та, 1976)
  4. S.J. Pearton, A.Y. Polyakov. Chem. Vapor Deposition, 16, 266 (2010)
  5. C.H. Seager, S.M. Mayers, A.F. Wright, D.D. Koleske, A.A. Allerman. J. Appl. Phys., 92 (12), 7246 (2002)
  6. S.M. Mayers, A.F. Wright, G.A. Petersen, C.H. Seager, W.R. Wampler, M.H. Crawford, J. Han. J. Appl. Phys., 88 (8), 4676 (2000)
  7. A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, K.H. Baik, S.J. Pearton, B. Luo, F. Ren, J.M. Zavada. J. Appl. Phys., 94 (6), 3960 (2003)
  8. B.A. Лавренко. Рекомбинация атомов водорода на поверхности твердых тел (Киев, Наук. думка, 1973)
  9. Е.Л. Жавжаров, Г.А. Бялик, В.М. Матюшин. Письма в ЖТФ,  33 (13), 64 (2007). 
  10. B.M. Матюшин. ФТП, 35 (3), 301 (2001)
  11. B.M. Матюшин. ЖTФ, 69 (7), 73 (1999)
  12. A.I. Kazimirov, E.V. Erofeev, V.A. Kagadei. Proc. SPIE, 8700, 870005-1 (2013)
  13. M.O. Aboelfotoh, M.J. Bradu. L. Krusin-Elbaum. United States Patent 5288456
  14. V.A. Kagadei, D.I. Proskurovsky. United States Patent 6765216
  15. M.O. Aboelfotoh, S. Oktyabrsky, J. Narayan. J. Mater. Res.,  12 (9), 2325 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.