"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Диэлектрические свойства слоистых монокристаллов FeGaInS4 в переменном электрическом поле
Мамедов Ф.М.1, Нифтиев Н.Н.2
1Институт катализа и неорганической химии им. акад. М. Нагиева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
2Азербайджанский государственный педагогический университет, Баку, Азербайджан
Email: namiq7@bk.ru
Поступила в редакцию: 16 февраля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2016 г.

Приводятся результаты исследований частотных и температурных зависимостей диэлектрических потерь и мнимая часть диэлектрической проницаемости в монокристаллах FeGaInS4 на переменном токе. Определены экспериментальные их значения. Установлено, что в монокристаллах FeGaInS4 в области частот 104-106 Гц тангенс угла диэлектрических потерь и мнимой части диэлектрической проницаемости уменьшается обратно пропорционально частоте (tgdelta~1/omega) и проводимость характеризуется зонно-прыжковым механизмом. В FeGaInS4 рассчитано время релаксации и установлено, что в этом кристалле имеется механизм электронной поляризации, обусловленной тепловым движением.
  1. G. Medvedkin, Yu. Rud, M. Tairov. Phys. Status Solidi A, 111, 289 (1989)
  2. Q. Lu, K. Hu, K. Tank, Y. Qian, G. Zhou, X. Liu. Chem. Lett., 28, 481 (1999)
  3. A. Memo, W. Kwarteng-Acheampong, H. Haeuseler. Mater. Res. Bull., 38, 1057 (2003)
  4. Н.Н. Нифтиев, О.Б. Тагиев. Письма ЖТФ, 10, 49 (2003)
  5. N.N. Niftiyev, O.B. Taqiev. Inorganic mater., 39, 576 (2003)
  6. R. Sharma, A. Rastogi, S. Kohli, T. Kang, G. Singh. Physica B, 351, 45 (2004)
  7. C. Xiangying, Z. Zhongjie, Z. Xingta et al. J. Cryst. Growth, 277, 524 (2005)
  8. N. Tsuboi, K. Ogihara, Y. Suda, K. Oishi, S. Kobayashi, F. Kaneko. Jpn. J. Appl. Phys., 44, 725 (2005)
  9. S. Lei, K. Tang, Z. Fang, Y. Qi, H. Zheng. Mater. Res. Bull., 41, 2325 (2006)
  10. T. Torres, V. Sagredo, L.M. de Chalbaund, G. Attolini, F. Bolzoni. Phys. Condens. Matter., 384, 100 (2006)
  11. Н.Н. Нифтиев, О.Б. Тагиев. ФТП, 41, 17 (2007)
  12. И.В. Боднарь, С.А. Павлюковец, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 43, 1553 (2009)
  13. И.В. Боднарь, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Д.В. Ложкин. ФТП, 45, 941 (2011)
  14. И.В. Боднарь, С.А. Павлюковец, С.В. Труханов, Ю.А. Федотова. ФТП, 46, 624 (2012)
  15. Н.Н. Нифтиев, О.Б. Тагиев. Опт. и спектр., 112, 96 (2012)
  16. Н.Н. Нифтиев, О.Б. Тагиев, М.Б. Мурадов, Ф.М. Мамедов. ЖТФ, 82, 153 (2012)
  17. Н.Н. Нифтиев, О.Б. Тагиев, М.Б. Мурадов, Ф.М. Мамедов. ФТП, 48, 1469 (2014)
  18. Н.Н. Нифтиев. ФТП, 38, 522 (2004)
  19. Н.Н. Нифтиев, О.Б. Тагиев, М.Б. Мурадов, Ф.М. Мамедов. ФТП, 43, 1447 (2009)
  20. C. Batistony, L. Gastaldi, G. Mattogno, M. Simeone, S. Viticoli. Sol. St. Commun., 61, 43 (1987)
  21. Ю.М. Поплавко. Физика диэлектриков (М., Высш. шк., 1980)
  22. Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982) т. 1
  23. П.Г. Орешкин. Физика полупроводников и диэлектриков (М., Высш. шк., 1977).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.