"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Пленки оксида графена, напечатанные на твердых и гибких подложках, для широкого спектра приложений
Антонова И.В. 1,2, Котин И.А. 1, Попов В.И. 3, Васильева Ф.Д. 1,3, Капитонов А.Н. 3, Смагулова С.А. 3
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3Северо-Восточный федеральный университет им. М.К. Аммосова, Якутск, Россия
Email: antonova@isp.nsc.ru, kotin@isp.nsc.ru, volts@mail.ru, kapitonov1944@mail.ru, smagulova@mail.ru
Поступила в редакцию: 2 февраля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2016 г.

Проведено сравнение структуры пленок, полученных из чернил оксида графена на водной основе методом 2D печати на разных подложках, включая гибкие. Показано, что нанесение тонкой пленки из поливинилового спирта, обеспечивающей гидрофильность подложек, приводит не только к более равномерному нанесению чернил, но и к более плотной структуре пленки с меньшим рельефом поверхности. Обработка суспензии оксида графена блендером позволяет дополнительно уменьшить размер частиц суспензии, в результате чего улучшается структура и уменьшается рельеф поверхности пленки в целом. Сравнение электрических свойств пленок на кремнии с разными покрытиями, обеспечивающими гидрофильность подложек, показало, что свойства структур значительно зависят от типа покрытий, которые могут приводить к смене типа проводимости кремниевой подложки и легированию пленки оксида графена. При толщине пленок из оксида графена не более 25 нм заметные токи (>1 мкА) появляются в пленках при напряжениях выше 1-1.5 В. Слои оксида графена перспективны для защитных и изолирующих покрытий, сенсоров, а в случае восстановления для прозрачных электродов.
  1. S. Gambhir, R. Jalili, D.L. Officer, G.G. Wallace. NPG Asia Materials, 7, e 186 (2015)
  2. D.A. Dikin, S. Stankovich, E.J. Zimney, R.D. Piner, G.H.B. Dommett, G. Evmenenko, S.T. Nguyen, R.S. Ruoff. Nature, 448, 457 (2007)
  3. J. Zhao, S. Pei, W. Ren, L. Gao, H.-M. Cheng. ACS Nano, 4, 5245 (2010)
  4. J. Li, M.C. Lemme, M. Ostling. Chem Phys. Chem., 15, 3427 (2014)
  5. M.F. Craciun, I. Khrapach, M.D. Barnes, S. Russo. J. Phys.: Condens. Matter, 25, 423 201 (2013)
  6. I.K. Moon, J.I. Kim, H. Lee, K. Hur, W.C. Kim, H. Lee. Sci. Rep., 3, 1112 (2013)
  7. X. Huang, T. Leng, X. Zhang, J.C. Chen, K.H. Chang, A.K. Geim, K.S. Novoselov, Z. Hu. Appl. Phys. Lett. 106, 202 105, 2015
  8. D. Kong, L.T. Le, Y. Li, J.L. Zunino, W. Lee. Langmuir, 28, 13 467 (2012)
  9. E. Varrla, K.R. Paton, C. Backes, A. Harvey, R.J. Smith, J. McCauley, J.N. Coleman. Nanoscale, 6, 11 810 (2014)
  10. J. Baltazar, H. Sojoudi, S.A. Paniagua, J. Kowalik, S.R. Marder, L.M. Tolbert, S. Graham, C.L. Henderson. J. Phys. Chem. C, 116, 19 095 (2012)
  11. Г.Н. Александров, С.А. Смагулова, А.Н. Капитонов, Ф.Д. Васильева, И.И. Куркина, П.В. Винокуров, В.Б. Тимофеев, И.В. Антонова. Рос. нанотехнологии, 9, 19 (2014)
  12. S. Mayavan, T. Siva, S. Sathiyanarayanan. RSC Adv., 3, 24 868 (2013)
  13. M. Tian, Y. Huang, W. Wang, R. Li, P. Liu, C. Liu, Y. Zhang. J. Mater. Res., 29, 1288 (2014)
  14. H. Bi, K. Yin, X. Xie, J. Ji, S. Wan, L. Sun, M. Terrones, M.S. Dresselhaus. Sci. Rep., 3, 2714 (2013)
  15. K. Myny, S. Steudel, P. Vicca, M.J. Beenhakkers, N.A.J.M. van Aerle, G.H. Gelinck, J. Genoe, W. Dehaene, P. Heremans. Sol. St. Electron., 53, 1220 (2009)
  16. K. Parvez, Z.-S. Wu, R. Li, X. Liu, R. Graf, X. Feng, K. Mullen. J. Am. Chem. Soc., 136, 6083 (2014)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.