Исследовано влияние одноосной деформации с силой до 6 кг/см² на вольт-амперную характеристику p-Ge/n-GaAs гетероструктуры при 300 и 77 K. Найдено увеличение с давлением как прямого, так и обратного тока, причем изменение прямого тока на порядок больше, чем обратного. Исследована деформация и в зависимости от кристаллографических направлений, обнаружено, что при направлении сжатия, параллельном < 111>, эффект максимален. Результат может быть использован при создании датчиков одноосной деформации.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.