Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние одноосной деформации на вольт-амперную характеристику p-Ge/n-GaAs гетероструктуры
1Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия 
Email: ziyav@yandex.ru
Поступила в редакцию: 28 декабря 2015 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2016 г.
Исследовано влияние одноосной деформации с силой до 6 кг/см2 на вольт-амперную характеристику p-Ge/n-GaAs гетероструктуры при 300 и 77 K. Найдено увеличение с давлением как прямого, так и обратного тока, причем изменение прямого тока на порядок больше, чем обратного. Исследована деформация и в зависимости от кристаллографических направлений, обнаружено, что при направлении сжатия, параллельном < 111>, эффект максимален. Результат может быть использован при создании датчиков одноосной деформации.
- Y. Kanda, T. Tokai, H. Kozuka. Jpn. J. Appl. Phys., 4, 701 (1965)
- Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972) с. 584
- W. Rindner. J. Appl. Phys., 33 (8), 2479 (1962)
- J.J. Wortman, J.R. Hauser, R.M. Burger. J. Appl. Phys., 35, 2122 (1964)
- R.L. Anderson. Sol. St. Electron., 5, 341 (1962)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
