Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2016, выпуск 7 » Статья стр. 869
<<<>>>
Структурные и оптические свойства GaAs(100) с тонким приповерхностным слоем, легированным хромом
Середин П.В.1, Федюкин А.В.1, Арсентьев И.Н.2, Вавилова Л.С.2, Тарасов И.С.2, Prutskij Tatiana, Leiste Harald3, Rinke Monika3
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Karlsruhe Nano Micro Facility H.-von-Helmholtz-Platz 1, Eggenstein-Leopoldshafen, Germany
Email: paul@phys.vsu.ru
Поступила в редакцию: 29 декабря 2015 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2016 г.
PDF версия
Цель работы заключалась в исследовании структурных и оптических свойств монокристаллического GaAs(100), легированного атомами хрома путем их вжигания в подложку при высокой температуре. Диффузия хрома в монокристаллические подложки GaAs(100) приводит к образованию тонкого (~20-40 мкм) переходного слоя GaAs:Cr. При этом атомы хрома встраиваются в кристаллическую решетку арсенида галлия и занимают регулярные позиции атомов металлической подрешетки. Такое поведение легирующей примеси с увеличением времени диффузии хрома ведет к изменениям в энергетической структуре GaAs, уменьшению поглощения на свободных носителях заряда, а также снижению поверхностной рекомбинации, что в итоге приводит к значительному усилению интенсивности фотолюминесценции от образца.
  1. В.В. Кузнецов, Л.С. Лунин, В.И. Ратушный. Гетероструктуры на основе четверных и пятерных твердых растворов AIIIBV (Ростов н/Д., изд-во СКНЦ ВШ, 2003)
  2. H.Q. Zheng, K. Radhakrishnan, H. Wang, P.H. Zhang, S.F. Yoon, G.I. Ng. J. Cryst. Growth, 197, 762 (1999)
  3. А.А. Мармалюк, М.А. Ладугин, И.В. Яроцкая, В.А. Панарин, Г.Т. Микаелян. Квант. электрон., 41 (1), 15 (2012)
  4. П.В. Середин, А.В. Глотов, Э.П. Домашевская, А.С. Леньшин, М.С. Смирнов, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов. ФТП, 46 (6), 739 (2012)
  5. P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Appl. Surf. Sci., 267, 181 (2013)
  6. П.В. Середин, А.В. Глотов, В.Е. Терновая, Э.П. Домашевская, И.Н. Арсентьев, Л.С. Вавилова, И.С. Тарасов. ФТП, 45 (11), 1489 (2011)
  7. П.В. Середин, А.В. Глотов, В.Е. Терновая, Э.П. Домашевская, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов. ФТП, 45 (4), 488 (2011)
  8. П.В. Середин, Э.П. Домашевская, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич. ФТП, 47 (1), 9 (2013)
  9. K. Kanai, J. Okabayashi, S. Toyoda, M. Oshima, K. Ono. Appl. Phys. Lett., 88, 192 506 (2006)
  10. P. Mascher, D. Kerr, S. Dannefaer. J. Cryst. Growth, 85, 295 (1987)
  11. T. Tibermacine, A. Merazga. Revue des Energies Renouvelables, 12 (1), 125 (2009)
  12. D.K. Bowen, B.K. Tanner. High resolution X-ray Diffractometry and Topography PDF (Taylor \& Francis e-Library, 2005)
  13. П.В. Середин, А.С. Леньшин, А.В. Глотов, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, И.С. Тарасов. ФТП, 48 (8), 1123 (2014)
  14. П.В. Середин, В.Е. Терновая, А.В. Глотов, А.С. Леньшин, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, И.С. Тарасов. ФТТ, 55 (10), 2046 (2013)
  15. П.В. Середин, А.В. Глотов, А.С. Леньшин, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров. ФТП, 48 (1), 23 (2014)
  16. П.В. Середин, Э.П. Домашевская, В.Е. Терновая, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, И.С. Тарасов, T. Prutskij. ФТТ, 55 (10), 2054 (2013)
  17. P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Physica B: Condens. Matter, 405 (22), 4607 (2010)
  18. П.В. Середин, А.В. Глотов, Э.П. Домашевская, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, И.С. Тарасов, И.А. Журбина. ФТП, 44 (2), 194 (2010)
  19. П.В. Середин, А.В. Глотов, Э.П. Домашевскя, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов. ФТП, 43 (12), 1654 (2009)
  20. W. Hayes, R. Loudon. Scattering of Light by Crystals (John Wiley \& Sons, N. Y., 1978)
  21. W.A. Harrison. Electronic Structure and the Properties of Solids, edn W.H. Freeman (San Francisco, 1980)
  22. P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Physica B: Condens. Matter, 405 (12), 2694 (2010)
  23. D. Wolverson, D.M. Bird, C. Bradford, K.A. Prior, B.C. Cavenett. Phys. Rev. B, 64, 113 203 (2001)
  24. Yu.A. Goldberg. In Handbook Series on Semiconductor Parameters, ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev, and M. Shur (World Sci., London, 1999), v. 2, p. 1
  25. М.Д. Вилисова, Е.П. Другова, И.В. Пономарев, В.А. Чубирко. ФТП, 42 (2), 239 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme