Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Структурные и оптические свойства GaAs(100) с тонким приповерхностным слоем, легированным хромом
Середин П.В.1, Федюкин А.В.1, Арсентьев И.Н.2, Вавилова Л.С.2, Тарасов И.С.2, Prutskij Tatiana, Leiste Harald3, Rinke Monika3
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия 
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Karlsruhe Nano Micro Facility H.-von-Helmholtz-Platz 1, Eggenstein-Leopoldshafen, Germany
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Karlsruhe Nano Micro Facility H.-von-Helmholtz-Platz 1, Eggenstein-Leopoldshafen, Germany
Email: paul@phys.vsu.ru
Поступила в редакцию: 29 декабря 2015 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2016 г.
Цель работы заключалась в исследовании структурных и оптических свойств монокристаллического GaAs(100), легированного атомами хрома путем их вжигания в подложку при высокой температуре. Диффузия хрома в монокристаллические подложки GaAs(100) приводит к образованию тонкого (~20-40 мкм) переходного слоя GaAs:Cr. При этом атомы хрома встраиваются в кристаллическую решетку арсенида галлия и занимают регулярные позиции атомов металлической подрешетки. Такое поведение легирующей примеси с увеличением времени диффузии хрома ведет к изменениям в энергетической структуре GaAs, уменьшению поглощения на свободных носителях заряда, а также снижению поверхностной рекомбинации, что в итоге приводит к значительному усилению интенсивности фотолюминесценции от образца.
- В.В. Кузнецов, Л.С. Лунин, В.И. Ратушный. Гетероструктуры на основе четверных и пятерных твердых растворов AIIIBV (Ростов н/Д., изд-во СКНЦ ВШ, 2003)
- H.Q. Zheng, K. Radhakrishnan, H. Wang, P.H. Zhang, S.F. Yoon, G.I. Ng. J. Cryst. Growth, 197, 762 (1999)
- А.А. Мармалюк, М.А. Ладугин, И.В. Яроцкая, В.А. Панарин, Г.Т. Микаелян. Квант. электрон., 41 (1), 15 (2012)
- П.В. Середин, А.В. Глотов, Э.П. Домашевская, А.С. Леньшин, М.С. Смирнов, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов. ФТП, 46 (6), 739 (2012)
- P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Appl. Surf. Sci., 267, 181 (2013)
- П.В. Середин, А.В. Глотов, В.Е. Терновая, Э.П. Домашевская, И.Н. Арсентьев, Л.С. Вавилова, И.С. Тарасов. ФТП, 45 (11), 1489 (2011)
- П.В. Середин, А.В. Глотов, В.Е. Терновая, Э.П. Домашевская, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов. ФТП, 45 (4), 488 (2011)
- П.В. Середин, Э.П. Домашевская, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич. ФТП, 47 (1), 9 (2013)
- K. Kanai, J. Okabayashi, S. Toyoda, M. Oshima, K. Ono. Appl. Phys. Lett., 88, 192 506 (2006)
- P. Mascher, D. Kerr, S. Dannefaer. J. Cryst. Growth, 85, 295 (1987)
- T. Tibermacine, A. Merazga. Revue des Energies Renouvelables, 12 (1), 125 (2009)
- D.K. Bowen, B.K. Tanner. High resolution X-ray Diffractometry and Topography PDF (Taylor \& Francis e-Library, 2005)
- П.В. Середин, А.С. Леньшин, А.В. Глотов, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, И.С. Тарасов. ФТП, 48 (8), 1123 (2014)
- П.В. Середин, В.Е. Терновая, А.В. Глотов, А.С. Леньшин, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, И.С. Тарасов. ФТТ, 55 (10), 2046 (2013)
- П.В. Середин, А.В. Глотов, А.С. Леньшин, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров. ФТП, 48 (1), 23 (2014)
- П.В. Середин, Э.П. Домашевская, В.Е. Терновая, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, И.С. Тарасов, T. Prutskij. ФТТ, 55 (10), 2054 (2013)
- P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Physica B: Condens. Matter, 405 (22), 4607 (2010)
- П.В. Середин, А.В. Глотов, Э.П. Домашевская, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, И.С. Тарасов, И.А. Журбина. ФТП, 44 (2), 194 (2010)
- П.В. Середин, А.В. Глотов, Э.П. Домашевскя, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов. ФТП, 43 (12), 1654 (2009)
- W. Hayes, R. Loudon. Scattering of Light by Crystals (John Wiley \& Sons, N. Y., 1978)
- W.A. Harrison. Electronic Structure and the Properties of Solids, edn W.H. Freeman (San Francisco, 1980)
- P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Physica B: Condens. Matter, 405 (12), 2694 (2010)
- D. Wolverson, D.M. Bird, C. Bradford, K.A. Prior, B.C. Cavenett. Phys. Rev. B, 64, 113 203 (2001)
- Yu.A. Goldberg. In Handbook Series on Semiconductor Parameters, ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev, and M. Shur (World Sci., London, 1999), v. 2, p. 1
- М.Д. Вилисова, Е.П. Другова, И.В. Пономарев, В.А. Чубирко. ФТП, 42 (2), 239 (2008)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
