"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотонный отжиг имплантированных кремнием слоев нитрида галлия
Селезнев Б.И.1, Москалев Г.Я.2, Федоров Д.Г.2,1
1Новгородский государственный университет им. Ярослава Мудрого, Великий Новгород, Россия
2АО «ОКБ-Планета», Великий Новгород, Россия
Email: Boris.Seleznev@novsu.ru.
Поступила в редакцию: 16 ноября 2015 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2016 г.

Проведен анализ условий формирования ионно-легированных слоев на нитриде галлия при внедрении ионов кремния с применением фотонного отжига и защитных диэлектрических покрытий диоксида и нитрида кремния. Установлены режимы формирования ионно-легированных слоев с высокой степенью активации примеси. Исследованы температурные зависимости поверхностной концентрации носителей и подвижности в ионно-легированных слоях GaN для различных температур отжига.
  1. М. Гольцова. Электроника. Наука, технология, бизнес, 4, 86 (2012)
  2. А. Васильев, В. Данилин, Т. Жукова. Электроника НТБ, 4, 20 (2007)
  3. J.K. Sheu, C.J. Tun, M.S. Tsai, C.C. Lee, G.C. Chi, S.J. Chang, J.K. Su. J. Appl. Phys., 91 (4), 1845 (2002)
  4. J.A. Fellows, Y.K. Yeo, Mee-YI Ryu, R.L. Hengehold. J. Electron. Mater., 34 (8), 1157 (2005)
  5. П.А. Карасев, А.Ю. Азаров, А.И. Титов, С.О. Кучеев. ФТП, 43 (6), 721 (2009)
  6. Д.Г. Федоров, Г.Я. Москалев. Вестн. Новгород. гос. ун-та, 1 (75), 132 (2013)
  7. B. Boratynski, W. Macherzynski, A. Drozdziel, K. Pyszniak. J. Electrical Engin., 60 (5), 273 (2009).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.