Вышедшие номера
Локально-эмиссионная инжекция электронов в микрозерна поверхности полупроводников АIIIВV
Жуков Н.Д.1, Глуховской Е.Г.1, Хазанов А.А.1
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Email: ndzhukov@rambler.ru
Поступила в редакцию: 18 июня 2015 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2016 г.

На туннельном микроскопе в режиме полевой эмиссии на выбираемых локально микрозернах поверхности антимонида и арсенида индия, арсенида галлия исследованы характеристики инжекции электронов в полупроводник из нанозазора микрозонд-микрозерно. Методом сопоставления экспериментальных вольт-амперных характеристик и рассчитанных формул токопереноса установлены механизмы тока и определены параметры. Обнаружен эффект ограничения тока в микрозернах антимонида и арсенида индия, проявляющийся при уровнях инжекции более некоторого критического значения - 6·1016 см-3 для антимонида, 4·1017 см-3 для арсенида индия. Предложена физическая модель - локализация электронов в приповерхностной зоне микрозерна за счет их кулоновского взаимодействия.