"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Снижение трещинообразования при росте AlN на подложках Si методом хлоридно-гидридной эпитаксии
Шарофидинов Ш.Ш.1,2, Николаев В.И.1,2,3, Смирнов А.Н.1, Чикиряка А.В.1, Никитина И.П.1, Одноблюдов М.А.4, Бугров В.Е.2, Романов А.Е.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, Санкт-Петербург, Россия
3ООО "Совершенные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: shukrillo71@mail.ru
Поступила в редакцию: 7 июля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2016 г.

Основной проблемой при эпитаксиальном росте толстых слоев AlN на подложке Si является образование трещин, что затрудняет использование подобных структур для создания полупроводниковых приборов. В настоящей работе была продемонстрирована возможность получения слоев AlN без трещин толщиной более 1 мкм с зеркально-гладкой поверхностью методом хлорид-гидридной эпитаксии. Свойства выращенных слоев были исследованы методами рентгеновской дифрактометрии, оптической и сканирующей электронной микроскопии и рамановской спектроскопии.
  • S. Raghavan, J. Redwing. J. Appl. Phys., 96, (5), 2995 (2004)
  • M.A. Mastro, C.R. Eddy, jr., D.K. Gaskill, N.D. Bassim, J. Casey, A. Rosenberg, R.T. Holm, R.L. Henry, M.E. Twigg. J. Cryst. Growth, 287, 610 (2006)
  • В.Н. Бессолов, В.Ю. Давыдов, Ю.В. Жиляев, Е.В. Коненкова, Г.Н. Мосина, С.Д. Раевский, С.Н. Родин, Ш.Ш. Шарофидинов, М.П. Щеглов, Hee Seok Park, M. Koike. Письма ЖТФ, 31, (21), 30 (2005)
  • A. Dadgar, T. Hempel, J. Blasing, O. Schulz, S. Fritze, J. Christen, A. Krost. Phys. Status Solidi C, 8, 1503 (2011)
  • Y. Feng, H. Wei, S. Yang, Z. Chen, L. Wang, S. Kong, G. Zhao,  X. Liu. Sci. Rep. 4, Article 6416 (2014)
  • X. Wang,  H. Li, J. Wang,  L. Xiao. Electron. Mater. Lett., 10 (6),  1069 (2014)
  • Ш.Ш. Шарофидинов, А.А. Головатенко, И.П. Никитина, Н.В. Середова, М.Г. Мынбаева, В.Е. Бугров, М.А. Одноблюдов, С.И. Степанов, В.И. Николаев. Физика и механика материалов, 22 (1), 53 (2015)
  • M. Ali, A.E. Romanov, S. Suihkonen, O. Svensk, P.T. Torma, M. Sopanen, H. Lipsanen, M.A. Odnoblyudov, V.E. Bougrov. J. Cryst. Growth, 315 (1), 188 (2011)
  • J. Komiyama, K. Eriguchi, Y. Abe, S. Suzuki, H. Nakanishi, T. Yamane, H. Murakami, A. Koukitu. J. Cryst. Growth, 310, 96 (2008)
  • В.Н. Бессолов, Ю.В. Жиляев, Е.В. Коненкова, Л.М. Сорокин, Н.А. Феоктистов, Ш.Ш. Шарофидинов, М.П. Щеглов, С.А. Кукушкин, Л.И. Метс, А.В. Осипов. Оптич. журн., 78 (7), 23 (2011)
  • C.A. Arguello, D.L. Rousseau, S.P.S. Porto. Phys. Rev., 181, 1351 (1969)
  • V.Yu. Davydov, Yu.E. Kitaev, I.N. Goncharuk, A.N. Smirnov, J. Graul, O. Semchinova, D. Uffmann, M.B. Smirnov, A.P. Mirgorodsky, R.A. Evarestov. Phys. Rev. B, 58, 12899 (1998)
  • T. Prokofyeva, M. Seon, J. Vanbuskirk, M. Holtz, S.A. Nikishin, N.N. Faleev, H. Temkin, S. Zollner. Phys. Rev., 63, 125 313 (2001)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.