"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Снижение трещинообразования при росте AlN на подложках Si методом хлоридно-гидридной эпитаксии
Шарофидинов Ш.Ш.1,2, Николаев В.И.1,2,3, Смирнов А.Н.1, Чикиряка А.В.1, Никитина И.П.1, Одноблюдов М.А.4, Бугров В.Е.2, Романов А.Е.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3ООО "Совершенные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: shukrillo71@mail.ru
Поступила в редакцию: 7 июля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2016 г.

Основной проблемой при эпитаксиальном росте толстых слоев AlN на подложке Si является образование трещин, что затрудняет использование подобных структур для создания полупроводниковых приборов. В настоящей работе была продемонстрирована возможность получения слоев AlN без трещин толщиной более 1 мкм с зеркально-гладкой поверхностью методом хлорид-гидридной эпитаксии. Свойства выращенных слоев были исследованы методами рентгеновской дифрактометрии, оптической и сканирующей электронной микроскопии и рамановской спектроскопии.
  1. S. Raghavan, J. Redwing. J. Appl. Phys., 96, (5), 2995 (2004)
  2. M.A. Mastro, C.R. Eddy, jr., D.K. Gaskill, N.D. Bassim, J. Casey, A. Rosenberg, R.T. Holm, R.L. Henry, M.E. Twigg. J. Cryst. Growth, 287, 610 (2006)
  3. В.Н. Бессолов, В.Ю. Давыдов, Ю.В. Жиляев, Е.В. Коненкова, Г.Н. Мосина, С.Д. Раевский, С.Н. Родин, Ш.Ш. Шарофидинов, М.П. Щеглов, Hee Seok Park, M. Koike. Письма ЖТФ, 31, (21), 30 (2005)
  4. A. Dadgar, T. Hempel, J. Blasing, O. Schulz, S. Fritze, J. Christen, A. Krost. Phys. Status Solidi C, 8, 1503 (2011)
  5. Y. Feng, H. Wei, S. Yang, Z. Chen, L. Wang, S. Kong, G. Zhao,  X. Liu. Sci. Rep. 4, Article 6416 (2014)
  6. X. Wang,  H. Li, J. Wang,  L. Xiao. Electron. Mater. Lett., 10 (6),  1069 (2014)
  7. Ш.Ш. Шарофидинов, А.А. Головатенко, И.П. Никитина, Н.В. Середова, М.Г. Мынбаева, В.Е. Бугров, М.А. Одноблюдов, С.И. Степанов, В.И. Николаев. Физика и механика материалов, 22 (1), 53 (2015)
  8. M. Ali, A.E. Romanov, S. Suihkonen, O. Svensk, P.T. Torma, M. Sopanen, H. Lipsanen, M.A. Odnoblyudov, V.E. Bougrov. J. Cryst. Growth, 315 (1), 188 (2011)
  9. J. Komiyama, K. Eriguchi, Y. Abe, S. Suzuki, H. Nakanishi, T. Yamane, H. Murakami, A. Koukitu. J. Cryst. Growth, 310, 96 (2008)
  10. В.Н. Бессолов, Ю.В. Жиляев, Е.В. Коненкова, Л.М. Сорокин, Н.А. Феоктистов, Ш.Ш. Шарофидинов, М.П. Щеглов, С.А. Кукушкин, Л.И. Метс, А.В. Осипов. Оптич. журн., 78 (7), 23 (2011)
  11. C.A. Arguello, D.L. Rousseau, S.P.S. Porto. Phys. Rev., 181, 1351 (1969)
  12. V.Yu. Davydov, Yu.E. Kitaev, I.N. Goncharuk, A.N. Smirnov, J. Graul, O. Semchinova, D. Uffmann, M.B. Smirnov, A.P. Mirgorodsky, R.A. Evarestov. Phys. Rev. B, 58, 12899 (1998)
  13. T. Prokofyeva, M. Seon, J. Vanbuskirk, M. Holtz, S.A. Nikishin, N.N. Faleev, H. Temkin, S. Zollner. Phys. Rev., 63, 125 313 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.