Влияние толщины нанослоя Ti на процесс самоотделения толстых эпитаксиальных слоев GaN
Югов А.А.1, Малахов С.С.1, Донсков А.А.1, Духновский М.П.2, Князев С.Н.1, Козлова Ю.П.3, Югова Т.Г.1, Белогорохов И.А.1
1Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет", Москва, Россия
2Научно-производственное предприятие "Исток", Фрязино, Россия
3Институт ядерных исследований Российской академии наук, Москва, Россия
Email: P_Yugov@mail.ru
Выставление онлайн: 18 февраля 2016 г.
Показано влияние типа подложки - сапфир (c- и r-ориентации) или темплейт GaN/Al2O3 (c- и r-ориентации) - на процесс нитридизации аморфного нанослоя титана. Обнаружено влияние толщины нанослоя титана на процесс самоотделения толстого слоя GaN от подложки. Толщина нанослоя титана, при котором воспроизводимо происходит самоотделение толстого слоя GaN от подложки, находится в пределах 20-40 нм.
- P.R. Tavernier, B. Imer, S.P. DenBaars, D.R. Clarke. Appl. Phys. Lett., 85 (20), 4630 (2004)
- Y. Uchida, K. Ito, S. Tsukimoto, Y. Ikemoto, K. Hirata, N. Hibata, M. Murakami. J. Electron. Mater., 35 (10), 1806 (2006)
- K. Ito, Y. Uchida, S. Lee, S. Tsukimoto, Y. Ikemoto, K. Irata, M. Murakami. J. Electron. Mater., 38 (4), 511 (2009)
- Y. Fu, F. Yun, Y.T. Moon, U. Ozgur, J.Q. Xie, X.F. Ni, N. Biyikli, H. Morkoc, Lin Zhou, David J. Smith, C.K. Inoki, T.S. Kuan. J. Appl. Phys., 99, 033 518 (2006)
- A.Y. Polyakov, A.V. Markov, M.V. Mezhennyi, A.A. Donskov, S.S. Malakhov, A.V. Govorkov, Yu.P. Kozlova, V.F. Pavlov, N.B. Smirnov, T.G. Yugova. J. Vac. Sci. Technol. B, 28 (5), 1039 (2010)
- А.И. Белогорохов, А.А. Донсков, Л.И. Дьяконов, Ю.П. Козлова, С.С. Малахов, М.В. Меженный, Т.Г. Югова. Изв. вузов. Сер. Матер. электрон. техн., N 1, 30 (2011)
- А.А. Донсков, Л.И. Дьяконов, Ю.П. Козлова, С.С. Малахов, М.В. Меженный, В.Ф. Павлов, Т.Г. Югова. Кристаллография, 56 (2), 294 (2011)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук