"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние приповерхностного слоя на электрохимическое осаждение металлов и полупроводников в мезопористый кремний
Чубенко Е.Б.1, Редько С.В.1, Шерстнев А.И.1, Петрович В.А.1, Котов Д.А.1, Бондаренко В.П.1
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 28 мая 2015 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2016 г.

Проведены исследования влияния приповерхностного слоя на процесс электрохимического осаждения металлов и полупроводников в пористый кремний. Показано, что данный слой имеет отличные от основного объема пористого кремния структуру и электрофизические характеристики. Установлено, что уменьшение электропроводности кремниевых кристаллитов, образующих приповерхностный слой пористого кремния, оказывает положительное влияние на процесс заполнения пористого кремния металлами и полупроводниками, что продемонстрировано на примере никеля и оксида цинка. Это может быть использовано для создания нанокомпозитных материалов на основе пористого кремния и наноструктур с высоким аспектным соотношением.
  1. G.X. Zhang. In.: Modern Aspects of Electrochemistry N 39, ed. by C.G. Vayenas, R.E. White (N. Y., Springer, 2005) p. 65
  2. A.G. Cullis, L.T. Canham, P.D.J. Calcott. J. Appl. Phys., 82, 909 (1997)
  3. H. Foll, M. Christophersen, J. Carstensen, G. Hasse. Mater. Sci. Eng. R, 39, 93 (2002)
  4. P. Granitzer, K. Rumpf. Materials, 3, 943 (2010)
  5. R. Herino. Mater. Sci. Eng. B, 69-70, 70 (2000)
  6. N. Errien, L. Vellutini, G. Louarn, G. Froyer. Appl. Surf. Sci., 253, 7265 (2007)
  7. H. Bandarenka, V. Tsubulskii, M. Balucani, V.P. Bondarenko. Ext. Abstracts 9th Int. Conf. Porous Semiconductors --- Science and Technology (Alicante-Benidorm, Spain, 2014) p. 410
  8. U. Ozgur, Ya.I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M.A. Reshchikov, S. Dogan, V. Avrutin, S.-J. Cho, H. Morko c. J. Appl. Phys., 98, 041 301 (2005)
  9. Y. Watanabe, Y. Arita, T. Yokoyama, Y. Igarashi. J. Electrochem. Soc., 122, 1351 (1975)
  10. X.G. Zhang. J. Electrochem. Soc., 138, 3750 (1991)
  11. T. Unagami. J. Electrochem. Soc., 127, 476 (1980)
  12. V. Chamard, G. Dolino, F. Muller. J. Appl. Phys., 84, 6659 (1998)
  13. V. Lehmann, R. Stengl, A. Luigart. Mater. Sci. Eng. B., 69-70, 11 (2000)
  14. C.М. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) ч. 1
  15. A.J. Simons, T.I. Cox, M.J. Uren, P.D.J. Calcott. Thin Sol. Films, 255, 12 (1995)
  16. M. Ben-Chorin, F. Moller, F. Koch. J. Appl. Phys., 77, 4482 (1995)
  17. V.Yu. Timoshenko, Th. Dittrich, V. Lysenko, M.G. Lisachenko, F. Koch. Phys. Rev. B, 64, 085 314 (2001)
  18. В.Ф. Киселев, С.Н. Козлов, А.В. Зотеев. Основы физики поверхности твердого тела (М., Изд-во МГУ, 1999)
  19. E. Boswell, T.Y. Seong, P.R. Wilshaw. J. Vac. Sci. Technol. B, 13, 437 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.