"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние приповерхностного слоя на электрохимическое осаждение металлов и полупроводников в мезопористый кремний
Чубенко Е.Б.1, Редько С.В.1, Шерстнев А.И.1, Петрович В.А.1, Котов Д.А.1, Бондаренко В.П.1
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Белоруссия .chubenko
Поступила в редакцию: 28 мая 2015 г.
Выставление онлайн: 19 февраля 2016 г.

Проведены исследования влияния приповерхностного слоя на процесс электрохимического осаждения металлов и полупроводников в пористый кремний. Показано, что данный слой имеет отличные от основного объема пористого кремния структуру и электрофизические характеристики. Установлено, что уменьшение электропроводности кремниевых кристаллитов, образующих приповерхностный слой пористого кремния, оказывает положительное влияние на процесс заполнения пористого кремния металлами и полупроводниками, что продемонстрировано на примере никеля и оксида цинка. Это может быть использовано для создания нанокомпозитных материалов на основе пористого кремния и наноструктур с высоким аспектным соотношением.
  • G.X. Zhang. In.: Modern Aspects of Electrochemistry N 39, ed. by C.G. Vayenas, R.E. White (N. Y., Springer, 2005) p. 65
  • A.G. Cullis, L.T. Canham, P.D.J. Calcott. J. Appl. Phys., 82, 909 (1997)
  • H. Foll, M. Christophersen, J. Carstensen, G. Hasse. Mater. Sci. Eng. R, 39, 93 (2002)
  • P. Granitzer, K. Rumpf. Materials, 3, 943 (2010)
  • R. Herino. Mater. Sci. Eng. B, 69-70, 70 (2000)
  • N. Errien, L. Vellutini, G. Louarn, G. Froyer. Appl. Surf. Sci., 253, 7265 (2007)
  • H. Bandarenka, V. Tsubulskii, M. Balucani, V.P. Bondarenko. Ext. Abstracts 9th Int. Conf. Porous Semiconductors --- Science and Technology (Alicante-Benidorm, Spain, 2014) p. 410
  • U. Ozgur, Ya.I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M.A. Reshchikov, S. Dogan, V. Avrutin, S.-J. Cho, H. Morko c. J. Appl. Phys., 98, 041 301 (2005)
  • Y. Watanabe, Y. Arita, T. Yokoyama, Y. Igarashi. J. Electrochem. Soc., 122, 1351 (1975)
  • X.G. Zhang. J. Electrochem. Soc., 138, 3750 (1991)
  • T. Unagami. J. Electrochem. Soc., 127, 476 (1980)
  • V. Chamard, G. Dolino, F. Muller. J. Appl. Phys., 84, 6659 (1998)
  • V. Lehmann, R. Stengl, A. Luigart. Mater. Sci. Eng. B., 69-70, 11 (2000)
  • C.М. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) ч. 1
  • A.J. Simons, T.I. Cox, M.J. Uren, P.D.J. Calcott. Thin Sol. Films, 255, 12 (1995)
  • M. Ben-Chorin, F. Moller, F. Koch. J. Appl. Phys., 77, 4482 (1995)
  • V.Yu. Timoshenko, Th. Dittrich, V. Lysenko, M.G. Lisachenko, F. Koch. Phys. Rev. B, 64, 085 314 (2001)
  • В.Ф. Киселев, С.Н. Козлов, А.В. Зотеев. Основы физики поверхности твердого тела (М., Изд-во МГУ, 1999)
  • E. Boswell, T.Y. Seong, P.R. Wilshaw. J. Vac. Sci. Technol. B, 13, 437 (1995)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.