"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Глубокие центры на границе раздела в гетероструктурах In2xGa2(1-x)Te3/InAs и In2Te3/InAs
Домашевская Э.П.1, Михайлюк Е.А.2, Прокопова Т.В.3, Безрядин Н.Н.
1Воронежский государственный университет инженерных технологий, Воронеж, Россия
2Старооскольский технологический институт им. А.А. Угарова (филиал) Национального исследовательского технологического университета МИСиС, Старый Оскол, Россия
3Военно-воздушная академия им. профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина, Воронеж, Россия
Email: gazon1978@yandex.ru
Поступила в редакцию: 9 июля 2015 г.
Выставление онлайн: 19 февраля 2016 г.

Методами адмиттанса, вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик изучены гетероструктуры In2xGa2(1-x)Te3/InAs и In2Te3/InAs, полученные технологиями квазизамкнутого объема и напыления. Установлен спектр распределения локальных энергетических уровней на границе раздела. Методом адмиттанса обнаружен новый акцепторный центр с энергией 0.36 эВ наряду с известным донором с энергией 0.5 эВ. Концентрация акцепторных центров Nt зависит от способа получения и технологических режимов. Кинетика генерационно-рекомбинационных процессов в интервале температур 70-400 K не влияет на изолирующие свойства диэлектрического слоя In2Te3 или In2xGa2(1-x)Te3 (x~0.65), поэтому показана возможность использования их в качестве гетероструктур полевых транзисторов.
  • В.М. Лукашин, А.Б. Пашковский, К.С. Журавлeв, А.И.Торопов, А.И. Лапин, Е.И. Голант, А.А. Капралова. ФТП, 48 (5), 684 (2014)
  • В.Ф. Сыноров, Б.И. Сысоев. Проблемы диэлектрической электроники. Сб. статей, под ред. С.А. Азимова (Ташкент, ФАН, 1974) с. 292
  • Н.Н. Безрядин, А.С. Дронов, Т.А. Кузьменко, А.Н. Лихолет, Ю.В. Сыноров. Микроэлектроника, 27 (5), 353 (1998)
  • В.Н. Бессолов, М.В. Лебедев. ФТП, 32 (11), 1281 (1998)
  • Т. Сугано. Введение в микроэлектронику (М., Мир, 1988) [Пер. с яп. Т. Сугано, Т. Икома, Ё. Такэиси]
  • В.Г. Литовченко, А.П. Горбань. Основы физики микроэлектронных систем металл-диэлектрик-полупроводник (Киев, Наук. думка, 1978)
  • В.Ф. Сыноров, Н.Н. Безрядин, Б.И. Сысоев, Н.А. Мартынова. Изв. вузов. Физика, 1, 82 (1981)
  • Б.И. Сысоев, А.Н. Лихолет, В.Ф. Сыноров, А.П. Ровинский. Микроэлектроника, 6 (5), 454 (1977)
  • Б.И. Сысоев, А.П. Ровинский, В.Ф. Сыноров, Н.Н. Безрядин. Микроэлектроника, 7 (2), 163 (1978)
  • В.Ф. Сыноров, Б.И. Сысоев. Проблемы диэлектрической электроники. Сб. статей, под ред. С.А. Азимова (Ташкент, ФАН, 1974) с. 292
  • В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977)
  • Н.Г. Абрикосов, В.Ф. Банкина, Л.В. Порецкая и др. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе (М., Наука, 1975)
  • В.М. Кошкин, Л.С. Палатник. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 4 (11), 1835 (1968)
  • Н.А. Горюнова. Сложные алмазоподобные полупроводники (М., Сов. радио, 1968)
  • Я.А. Угай. Введение в химию полупроводников (М., Высш. шк., 1975)
  • Б.И. Сысоев, Б.Л. Агапов, Н.Н. Безрядин и др. Изв. РАН. Неорг. матер., 32 (12), 1449 (1996)
  • Н.Н. Безрядин, Ю.В. Сыноров, А.М. Самойлов и дp. Вестн. ВГТУ. Материаловедение, 1 (11), 47 (2002)
  • Д. Луфт. Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников (М., Радио и связь, 1982)
  • Б.Л. Агапов, Н.Н. Безрядин, В.Н. Моргунов, Ю.К. Шлык. Межвуз. сб. (Воронеж, ВПИ, 1986) с. 86
  • Ю.К. Шлык, В.Н. Моргунов, Г.М. Щевелева, Н.Н. Безрядин, Т.А. Кузьменко. Полупроводниковая электроника. Межвуз. сб. (Воронеж, ВГПИ, 1985) с. 5
  • Л.А. Балагуров, О.Ю. Борковская, Н.Л. Дмитрук и др. ФТП, 10 (6), 1108 (1976)
  • Н.Н. Безрядин, Е.А. Михайлюк, А.В. Буданов, Т.В. Прокопова. Вестн. ВГТУ, Воронеж, 10 (4), 69 (2014)
  • В.М. Эккерман, Я.Е. Гегузин, Л.П. Гальчинецкий, В.М. Кошкин. Легированные полупроводники (М., Наука, 1975) с. 31
  • Технология тонких пленок. Справочник под ред. Л. Майссела, Р. Глэнга, пер. с англ. (М., Сов. радио, 1977) т. 1
  • Н.А. Горюнова. ДАН СССР, 121 (5), 848 (1958)
  • Б.И. Сысоев, Н.Н. Безрядин, А.В. Буданов, Т.В. Прокопова, Ю.К. Шлык. Proc. 35 Intern. Wiss. Коll. --- Т.Н. Ilmenau, (1990) p. 15
  • Е.А. Михайлюк, Т.В. Прокопова, Е.А. Татохин, Н.Н. Безрядин. Вестн. ВГУ, Воронеж, 10 (4), 37 (2014)
  • Б.Д. Ананьина, В.Л. Бакуменко, А.К. Бонаков и др. ФТП, 13 (5), 961 (1979)
  • В.П. Махний. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 27 (3), 519 (1991)
  • Е.А. Михайлюк, Т.В. Прокопова, Е.А. Татохин. Евразийский Союз Ученых (ЕСУ), 5 (6), 7 (2014)
  • Е.А. Михайлюк, Т.В. Прокопова, Н.Н. Безрядин. Конденсированные среды и межфазные границы, 17 (2), 181 (2015)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.