"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Оптимизация параметров HEMT-гетероструктур GaN/AlN/ AlGaN для СВЧ транзисторов с помощью численного моделирования
Тихомиров В.Г.1,2, Земляков В.Е.2,3, Волков В.В.2, Парнес Я.М.2, Вьюгинов В.Н.2, Лундин В.В.4,5, Сахаров А.В.4,5, Заварин Е.Е.4,5, Цацульников А.Ф.4,5, Черкашин Н.А.6, Мизеров М.Н.4, Устинов В.М.5
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2ЗАО "Светлана-Электронприбор", Санкт-Петербург, Россия
3Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия
4Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6CEMES-CNRS --- Universite de Toulouse, Toulouse, France
Email: VV11111@yandex.ru
Поступила в редакцию: 11 июня 2015 г.
Выставление онлайн: 20 января 2016 г.

Проведены численное моделирование, а также расчетная и экспериментальная оптимизация полевых СВЧ транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе гетероструктур GaN/AlN/AlGaN. Результаты выполненных исследований показали, что оптимальные значения толщин и составов слоев гетероструктур, позволяющих реализовать высокую мощность в СВЧ диапазоне, лежат в относительно узких пределах. Проведенные исследования показали возможность эффективного использования численного моделирования для разработки СВЧ HEMT с учетом основных физических явлений и особенностей реальных приборных конструкций.
  1. M. Malmkvist, S. Wang, J.V. Grahn. IEEE Trans. Electron Dev., 55, 268 (2008)
  2. H. Brech, T. Grave, T. Simlinger, S. Selberherr. IEEE Trans. Electron Dev., 44, 1822 (1998)
  3. V. Palankovski, R. Quay, S. Selberherr. IEEE J. Solid-State Circuits, 36, 1365 (2001)
  4. В.Г. Тихомиров, Н.А. Малеев, А.Г. Кузьменков, Ю.В. Соловьев, А.Г. Гладышев, М.М. Кулагина, В.Е. Земляков, К.В. Дудинов, В.Б. Янкевич, А.В. Бобыль, В.М. Устинов. ФТП, 45 (10), 1405 (2011)
  5. В.В. Лундин, Д.В. Давыдов, E.E. Заварин, М.Г. Попов, А.В. Сахаров, Е.В. Яковлев, Д.С. Базаревский, Р.А. Талалаев, А.Ф. Цацульников, М.Н. Мизеров, В.М. Устинов. Письма ЖТФ, 41 (5), 9 (2015)
  6. M. Kramer. Ph. D Thesis (Eindhoven University of Technology, 2006)
  7. J. Koln\`i k, I.H. Ov quzman, K.F. Brennan, R. Wang, P.P. Ruden. J. Appl. Phys., 81 (2), 726 (1997)
  8. М. Shirahata, H. Kusano, N. Kotani, S. Kusanoki, Y. Akasaka. IEEE Trans. Computer-Aided Design, 11 (9), 1114 (1992)
  9. M.J. Hytch, E. Snoeck, R. Kilaas. Ultramicroscopy, 74, 131 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.