"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Оптимизация параметров HEMT-гетероструктур GaN/AlN/ AlGaN для СВЧ транзисторов с помощью численного моделирования
Тихомиров В.Г.1,2, Земляков В.Е.2,3, Волков В.В.2, Парнес Я.М.2, Вьюгинов В.Н.2, Лундин В.В.4,5, Сахаров А.В.4,5, Заварин Е.Е.4,5, Цацульников А.Ф.4,5, Черкашин Н.А.6, Мизеров М.Н.4, Устинов В.М.5
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2ЗАО "Светлана-Электронприбор", Санкт-Петербург, Россия
3Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия
4Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6CEMES-CNRS --- Universite de Toulouse, Toulouse, France
Email: VV11111@yandex.ru
Поступила в редакцию: 11 июня 2015 г.
Выставление онлайн: 20 января 2016 г.

Проведены численное моделирование, а также расчетная и экспериментальная оптимизация полевых СВЧ транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе гетероструктур GaN/AlN/AlGaN. Результаты выполненных исследований показали, что оптимальные значения толщин и составов слоев гетероструктур, позволяющих реализовать высокую мощность в СВЧ диапазоне, лежат в относительно узких пределах. Проведенные исследования показали возможность эффективного использования численного моделирования для разработки СВЧ HEMT с учетом основных физических явлений и особенностей реальных приборных конструкций.
  • M. Malmkvist, S. Wang, J.V. Grahn. IEEE Trans. Electron Dev., 55, 268 (2008)
  • H. Brech, T. Grave, T. Simlinger, S. Selberherr. IEEE Trans. Electron Dev., 44, 1822 (1998)
  • V. Palankovski, R. Quay, S. Selberherr. IEEE J. Solid-State Circuits, 36, 1365 (2001)
  • В.Г. Тихомиров, Н.А. Малеев, А.Г. Кузьменков, Ю.В. Соловьев, А.Г. Гладышев, М.М. Кулагина, В.Е. Земляков, К.В. Дудинов, В.Б. Янкевич, А.В. Бобыль, В.М. Устинов. ФТП, 45 (10), 1405 (2011)
  • В.В. Лундин, Д.В. Давыдов, E.E. Заварин, М.Г. Попов, А.В. Сахаров, Е.В. Яковлев, Д.С. Базаревский, Р.А. Талалаев, А.Ф. Цацульников, М.Н. Мизеров, В.М. Устинов. Письма ЖТФ, 41 (5), 9 (2015)
  • M. Kramer. Ph. D Thesis (Eindhoven University of Technology, 2006)
  • J. Koln\`i k, I.H. Ov quzman, K.F. Brennan, R. Wang, P.P. Ruden. J. Appl. Phys., 81 (2), 726 (1997)
  • М. Shirahata, H. Kusano, N. Kotani, S. Kusanoki, Y. Akasaka. IEEE Trans. Computer-Aided Design, 11 (9), 1114 (1992)
  • M.J. Hytch, E. Snoeck, R. Kilaas. Ultramicroscopy, 74, 131 (1998)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.