"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Полевой транзистор с двумерными системами носителей в затворе и канале
Попов В.Г.1,2
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
Email: popov@iptm.ru
Поступила в редакцию: 27 мая 2015 г.
Выставление онлайн: 20 января 2016 г.

Рассмотрено применение эффекта резонансного туннелирования носителей в транзисторах. Показано, что использование резонансного характера туннелирования позволяет снизить токи утечки, которые являются одной из основных причин кризиса в развитии транзисторов на сегодняшний день. В работе предложен новый тип полевых транзисторов с затвором и каналом на основе двумерных систем носителей. Рассмотрены перспективы дальнейшей миниатюризации транзисторов. Для транзисторов с резонансным туннелированием чрезмерная миниатюризация подавляет резонансное туннелирование носителей и, таким образом, увеличивает токи утечки.
  1. E.N. Shauly. J. Low Power Electron. Appl., 2, 1 (2012)
  2. А.А. Орликовский, В.Ф. Лукичев, К.В. Руденко, А.С. Рудый. Нанотехнологии и наноматериалы, 54 (4), 10 (2010)
  3. T. Ashley, L. Buckle, S. Datta, M.T. Emeny, D.G. Hayes, K.P. Hilton, R. Jefferies, T. Martin, T.J. Phillips, D.J. Wallis, P.J. Wilding, R. Chau. Electron. Lett., 43, 14 (2007)
  4. L. Esaki. Phys. Rev., 109, 603 (1958)
  5. J.R. Shriffer. Semiconductor Surface Physics ed. by R.H. Kingston (Univ. of Pennsylvania Press, Philadelphia, 1956) p. 68
  6. D.C. Tsui. Phys. Rev. Lett., 24, 303 (1970)
  7. L.L. Chang, L. Esaki, R. Tsu. Appl. Phys. Lett., 24, 593 (1974)
  8. Р.Ф. Казаринов, Р.А. Сурис. ФТП, 5, 707 (1971)
  9. H. Mizuta, T. Tanoue. The Physics and Applications of Resonant Tunneling Diodes (Cambridge Univ. Press, Cambridge, 1995)
  10. A.C. Seabaugh, E.A. Beam, Y.-C. Kao, J.H. Luscomber, J.N. Randall. USA Proc. on Ultrafast and Optoelectron., 14, 65 (1993). A.C. Seabaugh, W.R. Frensley, J.N. Randall, M.A. Reed, D.L. Farrington, R.J. Matyi. IEEE Trans. Electron Dev. 36, 2328 (1989). J. Genoe, C. Van Hoof, K. Fobelets, R. Mertens, G. Borghs. Appl. Phys. Lett., 61, 1051 (1991). U.K. Reddy, I. Mehdy, R.K. Mains, G.I. Haddad. Sol. St. Electron., 32, 1377 (1989). A.C. Seabaugh, Y.-C. Kao, J. Randall, W. Frensley. Khatibzadeh. Jpn. J. of Appl. Phys. 30, 921 (1991). T. Mori, H. Ohnishi, K. Imamura, S. Muto, N. Yokoyama. Appl. Phys. Lett., 49, 1779 (1986)
  11. J.S. Moon, R. Rajavel, S. Bui, D. Wong, D.H. Chow. Appl. Phys. Lett., 87, 183110 (2005)
  12. L. Britnell, R.V. Gorbachev, R. Jalil, B.D. Belle, F. Schedin, A. Mishchenko, T. Georgiou, M.I. Katsnelson, L. Eaves, S.V. Morozov, N.M.R. Peres, J. Leist, A.K. Geim, K.S. Novoselov, L.A. Ponomorenko. Science, 335, 947 (2012). L. Britnell, R.V. Gorbachev, A.K. Geim, L.A. Ponomorenko, A. Mishchenko, M.T. Greenaway, T.M. Fromhold, K.S. Novoselov, L. Eaves. Nat. Commun., 4, 1794 (2013).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.