"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Структурные и фотолюминесцентные свойства низкотемпературного GaAs, выращенного на подложках GaAs (100) и GaAs (111)A
Галиев Г.Б.1, Климов Е.А.1, Грехов М.М.2, Пушкарев С.С.1, Лаврухин Д.В.1, Мальцев П.П.1
1Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
Email: galiev_galib@mail.ru
Поступила в редакцию: 19 мая 2015 г.
Выставление онлайн: 21 января 2016 г.

Исследовались нелегированные, однородно легированные Si и delta-легированные Si слои GaAs, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии при температуре 230oC на подложках GaAs с кристаллографической ориентацией (100) и (111)A. Давление As4 варьировалось. Шероховатость поверхности образцов определялась с помощью атомно-силовой микроскопии, кристаллическое совершенство образцов --- с помощью рентгеновской дифрактометрии, энергетические уровни различных дефектов --- с помощью спектроскопии фотолюминесценции при температуре 79 K. Показано, что кристаллическая структура более дефектна в случае использования подложек GaAs (111)A. Также показано влияние величины потока As4 во время роста на кристаллическую структуру низкотемпературного GaAs, выращенного на разных типах подложек.
  • S. Gupta, M.Y. Frankel, J.A. Valdmanis, J.F. Whitaker, G.A. Mourou, F.W. Smith, A.R. Calawa. Appl. Phys. Lett., 59 (25), 3276 (1991)
  • Zuzanna Liliental-Weber, W. Swider, K.M. Yu, J. Kortright, F.W. Smith, A.R. Calawa. Appl. Phys. Lett., 58 (19), 2153 (1991)
  • Zuzanna Liliental-Weber, H.J. Cheng, S. Gupta, J. Whitaker, K. Nichols, F.W. Smith. J. Electron. Mater., 22 (12), 1465 (1993)
  • M. Missous. Microelectronics J., 27, 393 (1996)
  • Z. Liliental-Weber, G. Cooper, R. Mariella, jr., C. Kocot. J. Vac. Sci. Technol. B, 9 (4), 2323 (1991)
  • M. Luysberg, H. Sohn, A. Prasad, P. Specht, Z. Liliental-Weber, E.R. Weber, J. Gebauer, R. Krause-Rehberg. J. Appl. Phys., 83 (1), 561 (1998)
  • M.H. Chang, J.-W. Pan, J.-I. Chyi, K. C. Hsieh, T.-E. Nee. Appl. Phys. Lett., 72 (2), 587 (1998)
  • K. Mahalingam, N. Otsuka, M.R. Melloch, J.M. Woodall, A.C. Warren. J. Vac. Sci. Technol. B, 10 (2), 812 (1991)
  • H. Fujioka, E.R. Weber, A.K. Verma. Appl. Phys. Lett., 66 (21), 2834 (1995)
  • V.V. Chaldyshev. Mater. Sci. Engin. B, 88 (2-3), 195 (2002)
  • N.A. Bert, V.V. Chaldyshev, N.N. Faleev, A.E. Kunitsyn, D.I. Lubyshev, V.V. Preobrazhenskii, B.R. Semyagin, V.V. Tret'yakovy. Semicond. Sci. Technol., 12, 51 (1997)
  • T.M. Cheng, C.V. Chang, A. Chin, M.F. Huang. Appl. Phys. Lett., 64, 2517 (1994)
  • В.В. Чалдышев, М.Я. Яговкина, М.В. Байдакова, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 43 (8), 1117 (2009)
  • M.V. Baidakova, N.A. Bert, V.V. Chaldyshev, V.N. Nevedomsky, M.A. Yagovkina, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin. Acta Cryst. allogr. B, 69, 30 (2013)
  • M.R. Melloch, N. Otsuka, K. Mahalingam, C.L. Chang, P.D. Kirchner, J.M. Woodall, A.C. Warren. Appl. Phys. Lett., 61 (2), 177 (1992)
  • Г.Б. Галиев, В.Г. Мокеров, В.В. Сарайкин, Ю.В. Слепнев, Г.И. Шагимуратов, Р.М. Имамов, Э.М. Пашаев. ЖТФ, 71 (4), 47 (2001)
  • G. Galiev, V. Kaminskii, D. Milovzorov, L. Velihovskii, V. Mokerov. Semicond. Sci. Technol., 17 (2), 120 (2002)
  • M. Kondo, C. Anayama, N. Okada, H. Sekiguchi, K. Domen, T. Tanahashi. J. Appl. Phys., 76 (2), 914 (1994)
  • R. Notzel, L. Daweritz, K. Ploog. Phys. Rev. B, 46 (8), 4736 (1992)
  • Д.В. Лаврухин, А.Э. Ячменев, А.С. Бугаев, Г.Б. Галиев, Е.А.Климов, Р.А. Хабибуллин, Д.С. Пономарев, П.П. Мальцев. ФТП, 49 (7), 932 (2015)
  • T. Ohachi, J.M. Feng, K. Asai, M. Uwani, M. Tateuchi, P.O. Vaccaro, K. Fujita. Microelectronics J., 30, 471 (1999)
  • L. Pavesi, N.H. Ky, J.D. Ganiere, F.K. Reinhart, N. Baba-Ali, I. Harrison, B. Tuck, M. Henini. J. Appl. Phys., 71, 2225 (1992)
  • И.А. Бобровникова, М.Д. Вилисова, И.В. Ивонин, Л.Г. Лаврентьева, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, С.В. Субач, С.Е. Торопов. ФТП, 37 (9), 1072 (2003)
  • H.K. Nguyen, F.K. Reinhart. J. Appl. Phys., 83 (2), 718 (1998)
  • M.H. Zhang, Y.F. Zhang, Q. Huang, C.L. Bao, J.M. Sun, J.M. Zhou. J. Cryst. Growth, 209 (1), 37 (2000)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.