Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Особенности вольт-амперных характеристик МДП-структур SiO2/4H-SiC c имплантированным в карбид кремния фосфором
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия 
2Acreo Swedish ICT AB, Kista, Sweden
3Ascatron AB, Kista, Sweden
2Acreo Swedish ICT AB, Kista, Sweden
3Ascatron AB, Kista, Sweden
Поступила в редакцию: 19 мая 2015 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2015 г.
Исследовано влияние имплантации ионов фосфора в эпитаксиальный слой 4H-SiC непосредственно перед термическим ростом подзатворного диэлектрика в атмосфере сухого кислорода на надежностные характеристики подзатворного диэлектрика. Установлено, что наряду с пассивацией поверхностных состояний внедрение ионов фосфора приводит к незначительному снижению поля диэлектрического пробоя и уменьшению высоты энергетического барьера между карбидом кремния и диэлектриком, связанными с присутствием атомов фосфора на 4H-SiC/SiO2 интерфейсе и в объеме диоксида кремния.
- A. Agarwal, R. Callanan, M. Das, B. Hull, J. Richmond, S.-H. Ryu, J. Palmour. 13th Eur. Conf. on Power Electronics and Applications, 2009
- R. Schorner, P. Friedrichs, D. Peters, D. Stephani. IEEE Electron. Dev. Lett., 20, 241 (1999)
- А.И. Михайлов, А.В. Афанасьев, В.А. Ильин, В.В. Лучинин, С.А. Решанов, М. Krieger, А. Schoner, Т. Sledziewski. ФТП, 48 (12), 1621 (2014)
- R.H. Fowler, L. Nordheim. Proc. Royal Soc., 109, NA781, 173 (1928)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
