"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Оптические свойства тонких пленок PbS
Ахмедов О.Р.1, Гусейналиев М.Г.1, Абдуллаев Н.А.2, Абдуллаев Н.М.2, Бабаев С.С.2, Касумов Н.А.2
1Нахчыванское отделение Национальной академии наук Азербайджана, A Нахчывань, Азербайджан
2Институт физики им. Г.М. Абдуллаева Национальной академии наук Азербайджана, A Баку, Азербайджан
Email: orucahmedov@mail.ru
Поступила в редакцию: 17 марта 2015 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2015 г.

Методом спектроскопической эллипсометрии исследована комплексная диэлектрическая функция тонких пленок PbS в спектральном диапазоне 0.74-6.45 эВ при температуре 293 K. Определены значения критических энергий, равные соответственно E1=3.53 и E2=4.57 эВ. Лучшая подгонка для обоих энергетических областей получилась в критической точке 2D (m=0). Также исследованы спектры комбинационного рассеяния света и спектры оптического поглощения в тонких пленках PbS. Из зависимости (alpha hnu)2 от hnu установлена ширина запрещенной зоны PbS: Eg=0.37 эВ.
  • А.И. Власенко, С.Н. Левицкий, П.А. Генцарь, Ц.А. Крыськов. Актуальные проблемы ФТТ: Сб. докл. Междунар. науч. конф. В 3-х т. (Минск, Беларусия, 2009) т. 2, центр БГУ
  • Ю.И. Равич, В.А. Ефимова, В.А. Смирнова. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe, PbS (М., Наука, 1968)
  • M.S. Ghamsari, M.K. Araghi, S.J. Farahani. Mater. Sci. Eng. B, 133, 113 (2006)
  • A.M. Malyarevich et al. J. Non-Cryst. Sol., 353, 1195 (2007)
  • T.K. Chaudhuri. Int. J. Ener. Res., 16, 481 (1992)
  • S. Gunes et al. Solar Energy Mater. Solar Cells, 91, 420 (2007)
  • R.K. Das, S. Sahoo, G.S. Tripathi. Semicond. Sci. Technol., 19, 433 (2004)
  • M. Gugliemi et al. J. Sol-Gel Sci. Technol., 11, 229 (1997)
  • В.Ф. Марков, Л.Н. Маскаева, П.Н. Иванов. Гидрохимическое осаждение пленок сульфидов металлов: моделирование и эксперимент (Екатеринбург, УрО РАН, 2006) с. 21
  • S. Abe, K. Mochizukt, K. Masumoto, Nippon Kinroku. J. Jpn., Inst. Met., 56, 1479 (1992)
  • С.И. Садовников, А.И. Гусев, А.А. Ремпель. Письма ЖЭТФ, 89, 279 (2009)
  • Т.Г. Керимова, Н.А. Абдуллаев, И.А. Мамедова, З.И. Бадалова, Р.А. Гулиев, R. Paucar, K. Wakita, Н.Т. Мамедов. ФТП, 47 (6), 751 (2013)
  • A.V. Baranov, K.V. Bogdanov, E.V. Ushakova, S.A. Cherevkov, A.V. Fedorov, S. Tscharntke. Opt. Spectrosc., 109, 268 (2010)
  • M. Cheraghizade, R. Yousefi, F. Jamali-Sheini, A. Sa'aedi. Majlesi J. Telecom. Dev., 2, 163 (2013)
  • А.Г. Милёхин. Автореф. докт. дис. (Новосибирск, Ин-т ФП СО РАН, 2007)
  • М. Кардона. Основы физики полупроводников (М., Физматлит, 2002)
  • J. Tauc (ed.). Amorphous and Liquid Semiconductors (N. Y., Plenum Press, 1974) p. 159
  • J.I. Pankove. Optical Process in Semiconductors (New Jersey, USA, (1971) p. 34
  • J.J. Valenzuela-Jauregui, R. Ramrez-Bon, A. Mendoza-Galvan, M. Sotelo-Lerma. Thin Sol. Films, 441, 104 (2003)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.