"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотоэлектрические свойства фотодиодов на основе гетероструктур InAs/InAsSbP с диаметрами фоточувствительной площадки 0.1-2.0 мм
Андреев И.А.1, Серебренникова О.Ю.1, Ильинская Н.Д.1, Пивоварова А.А.1, Коновалов Г.Г.1, Kуницына Е.В.1, Шерстнев В.В.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 12 мая 2015 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2015 г.

Сообщаются результаты исследований, направленных на создание высокоэффективных фотодиодов для спектрального диапазона 1.5-3.8 мкм с различными диаметрами фоточувствительных площадок в интервале 0.1-2.0 мм. Разработаны эпитаксиальные технологии выращивания фотодиодных InAs/InAsSbP гетероструктур. Отличительными особенностями фотодиодов являются высокая токовая монохроматическая чувствительность до Slambda=1.6 А/Вт в максимуме спектра lambda=3.0-3.4 мкм, обнаружительная способность фотодиодов, оцененная по измеренной величине уровня шумов и токовой монохроматической чувствительности, в максимуме спектра достигает величины D*(lambdamax,1000,1)=(0.6-1.2)·1010 см ·Гц1/2·Вт-1 при T=300 K. Объемная составляющая обратного темнового тока исследуемых фотодиодов состоит из двух компонент: диффузионной и туннельной, при этом достигнуто низкое значение плотности обратных темновых токов j=(0.3-6)·10-1 А/см2 при смещении U=-(0.2-0.4) В. Фотодиоды характеризуются произведением R0A=0.4-3.2 Ом · см2. С увеличением диаметра фоточувствительной площадки в интервале 0.1-2.0 мм наблюдается возрастание удельной обнаружительной способности фотодиодов почти в 2 раза, что обусловлено уменьшением влияния поверхностных токов утечки с увеличением его диаметра. Быстродействие таких фотодиодов варьируется в диапазоне 1-300 нс и дает возможность при низком значении емкости применять их в системах оптической связи в открытом пространстве в окне прозрачности атмосферы. Фотодиоды с большой чувствительной площадкой (до 2.0 мм), с высокой удельной обнаружительной способностью и высокой фоточувствительностью могут использоваться для обнаружения полос поглощения и регистрации концентрации таких веществ, как метан, эфир, N2O и phthorothanium.
  1. Е.В. Степанов. Диодная лазерная спектроскопия и анализ молекул-биомаркеров (ISBN: 978-5-9221-1152-2, М., Физматлит, 2009)
  2. K. Kincade. Laser Focus World, 12, 69 (2003)
  3. M.P. Mikhailova, N.D. Stoyanov, I.A. Andreev, B. Zhurtanov, S.S. Kizhaev, E.V. Kunitsyna, K. Salikhov, Yu.P. Yakovlev. Proc. SPIE, 6585, 658526-1 (2007)
  4. T.L. Troy, S.N. Thennadil. J. Biomedical Optics, 6 (2), 167 (2001)
  5. I.A. Andreev, S.S. Kizhaev, S.S. Molchanov, N.D. Stoyanov, Yu.P. Yakovlev. Book of abstracts 6th Int. Conf. MIOMD, 70 (2004)
  6. M. Ahmetoglu (Afrailov), I.A. Andreev, E.V. Kunitsyna, K.D. Moiseev, M.P. Mikhailova, Yu.P. Yakovlev. Infr. Phys. Technol., 55, 15 (2012)
  7. P.N. Brunkov, N.D. Il'inskaya, S.A. Karandashev, A.A. Lavrov, B.A. Matveev, M.A. Remennyi, N.M. Stus', A.A. Usikova. Infr. Phys. Technol., 64, 62 (2014)
  8. M. Levinshtein, S. Rumyantsev, M. Shur. In: Handbook Series on Semiconductor Parameters, Ternary and Quaternary A3B5 Semiconductors (World Scientific Publishing, London, 1999) v. 2
  9. R.C. Jones. Advances in Electronics (N.Y., Academic, 1953) v. 5. p. 1

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.