Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2015, выпуск 12 » Статья стр. 1665
<<<>>>
Циклотронный резонанс в квантовых ямах InAs/AlSb в магнитных полях до 45 Тл
Спирин К.Е.1,2, Криштопенко С.С.1,2, Садофьев Ю.Г.3, Драченко О.4,5, Helm M.5, Teppe F.6, Knap W.6, Гавриленко В.И.1,2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
4Laboratoire National des Champs Magnetiques Intenses, LNCMI-CNRS-UGA-UPS-INSA-EMFL, Grenoble, France
5Dresden High Magnetic Field Laboratory and Institute of Ion-Beam Physics and Materials Research, P.O.Box
6Laboratoire Charles Coulomb UMR CNRS (L2C) GIS-TERALAB Universite Montpellier II, Montpellier, France
Поступила в редакцию: 22 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2015 г.
PDF версия
Выполнены исследования циклотронного резонанса электронов в гетероструктурах InAs/AlSb с квантовыми ямами различной ширины в импульсных магнитных полях до 45 Тл. Полученные экспериментальные значения циклотронных энергий находятся в удовлетворительном согласии с результатами теоретических расчeтов, выполненных с использованием 8-зонного kp гамильтониана. При изменении концентрации электронов за счeт эффекта отрицательной остаточной фотопроводимости обнаружен сдвиг линии циклотронного резонанса, отвечающей переходу с нижнего уровня Ландау в область низких магнитных полей. Показано, что наблюдаемый сдвиг линий ЦР связан с конечной шириной плотности состояний на уровнях Ландау.
  1. Yu.G. Sadofyev, A. Ramamoorthy, B. Naser, J.P. Bird, S.R. Johnson, Y-H. Zhang. Appl. Phys. Lett., 81, 1833 (2002)
  2. G.A. Khodaparast, R.C. Meyer, X.H. Zhang, T. Kasturiarachchi, R.E. Doezema, S.J. Chung, N. Goel, M.B. Santos, Y.J. Wang. Physica E, 20, 386 (2004)
  3. Yu.G. Sadofyev, A. Ramamoorthy, J.P. Bird, S.R. Johnson, Y.-H. Zhang. Appl. Phys. Lett., 86, 192 109 (2005)
  4. В.Я. Алешкин, В.И. Гавриленко, Д.М. Гапонова, А.В. Иконников, К.В. Маремьянин, С.В. Морозов, Ю.Г. Садофьев, S.R. Johnson, Y.-H. Zhang. ФТП 39, 30 (2005) [Semiconductors, 39, 22 (2005)]
  5. Ю.Г. Садофьев, A. Ramamoorthy, J.P. Bird, S.R. Johnson, Y.-H. Zhang. ФТП, 39, 106 (2005) [Semiconductors, 39, 95 (2005)]
  6. В.Я. Алeшкин, В.И. Гавриленко, А.В. Иконников, С.С. Криштопенко, Ю.Г. Садофьев, К.Е. Спирин. ФТП, 42, 846 (2008) [Semiconductors, 42, 828 (2008)]
  7. A.M. Gilbertson, W.R. Branford, M. Fearn, L. Buckle, P.D. Buckle, T. Ashley, L.F. Cohen. Phys. Rev. B, 79, 235 333 (2009)
  8. В.И. Гавриленко, А.В. Иконников, С.С. Криштопенко, А.А. Ластовкин, К.В. Маремьянин, Ю.Г. Садофьев, К.Е. Спирин. ФТП, 44, 642 (2010) [Semiconductors, 44, 616 2010)]
  9. Ю.Б. Васильев, F. Gouider, G. Nachtwei, P.D. Buckle. ФТП, 44, 1559 (2010) [Semiconductors, 44, 1511 (2010)]
  10. В.И. Гавриленко, С.С. Криштопенко, M. Goiran. ФТП, 45, 111 (2011) [Semiconductors, 45, 110 (2011)]
  11. С.С. Криштопенко, К.П. Калинин, В.И. Гавриленко, Ю.Г. Садофьев, M. Goiran. ФТП, 46, 1186 (2012) [Semiconductors, 46, 1163 (2012)]
  12. К.Е. Спирин, К.П. Kалинин, С.С. Криштопенко, К.В. Маремьянин, В.И. Гавриленко, Ю.Г. Садофьев. ФТП, 46, 1424 (2012) [Semiconductors, 46, 1396 (2012)]
  13. К.П. Калинин, С.С. Криштопенко, К.В. Маремьянин, К.Е. Спирин, В.И. Гавриленко, А.А. Бирюков, Н.В. Байдусь, Б.Н. Звонков. ФТП, 47, 1497 (2013) [Semiconductors, 47, 1485 (2013)]
  14. С.С. Криштопенко, К.В. Маремьянин, К.П. Калинин, К.Е. Спирин, В.И. Гавриленко, Н.В. Байдусь, Б.Н. Звонков. ФТП, 49, 196 (2015) [Semiconductors, 49, 191 (2015)]
  15. К.Е. Спирин, А.В. Иконников, А.А. Ластовкин, В.И. Гавриленко, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов. Письма ЖЭТФ, 92, 65 (2010)
  16. А.В. Иконников, А.А. Ластовкин, К.Е. Спирин, М.С. Жолудев, В.В. Румянцев, К.В. Маремьянин, А.В. Антонов, В.Я. Алeшкин, В.И. Гавриленко, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, Ю.Г. Садофьев, N. Samal. Письма ЖЭТФ, 92, 837 (2010)
  17. A.V. Ikonnikov, M.S. Zholudev, K.E. Spirin, A.A. Lastovkin, K.V. Marem'yanin, V.Ya. Aleshkin, V.I. Gavrilenko, O. Drachenko, M. Helm, J. Wosnitza, M. Goiran, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, F. Teppe, N. Diakonova, C. Consejo, B. Chenaud, W. Knap. Semicond. Sci. Technol., 26, 125 011 (2011)
  18. С.В. Морозов, М.С. Жолудев, А.В. Антонов, В.В. Румянцев, В.И. Гавриленко, В.Я. Алешкин, А.А. Дубинов, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, O. Drachenko, S. Winnerl, H. Schneider, M. Helm. ФТП, 46, 1388 (2012) [Semiconductors, 46, 1362 (2012)]
  19. V.V. Rumyantsev, S.V. Morozov, A.V. Antonov, M.S. Zholudev, K.E. Kudryavtsev, V.I. Gavrilenko, S.A. Dvoretskii, N.N. Mikhailov. Semicond. Sci. Technol., 28, 125 007 (2013)
  20. В.В. Румянцев, А.В. Иконников, А.В. Антонов, С.В. Морозов, М.С. .Жолудев, К.Е. Спирин, В.И. Гавриленко, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов. ФТП, 47, 1446 (2013) [Semiconductors, 47, 1438 (2013)]
  21. А.В. Иконников, М.С. Жолудев, В.И. Гавриленко, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий. ФТП, 47, 1569 (2013) [Semiconductors, 47, 1545 (2013)]
  22. S.V. Morozov, V.V. Rumyantsev, A.V. Antonov, K.V. Maremyanin, K.E. Kudryavtsev, L.V. Krasilnikova, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V.I. Gavrilenko. Appl. Phys. Lett., 104, 072 102 (2014)
  23. M. Orlita, D.M. Basko, M.S. Zholudev, F. Teppe, W. Knap, V.I. Gavrilenko, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, P. Neugebauer, C. Faugeras, A-L. Barra, G. Martinez, M. Potemski. Nature Physics, 10, 233 (2014)
  24. S.V. Morozov, V.V. Rumyantsev, A.V. Antonov, A.M. Kadykov, K.V. Maremyanin, K.E. Kudryavtsev, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V.I. Gavrilenko. Appl. Phys. Lett., 105, 022 102 (2014)
  25. E. Rehm, M. Walther, Jo. Schmitz, F. Rutz, Jo. Fleissner, Jo. Ziegler. Proc. SPIE, 7222, 72220T-1-72220T-13 (2009)
  26. S.V. Morozov, V.V. Rumyantsev, A.V. Antonov, A.M. Kadykov, K.V. Maremyanin, K.E. Kudryavtsev, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V.I. Gavrilenko. Appl. Phys. Lett., 105, 022 102 (2014)
  27. M. Bahriz, G. Lollia, A.N. Baranov, R. Teissier. Opt. Express, 23, 1523 (2015)
  28. S.S. Krishtopenko, V.I. Gavrilenko, M. Goiran. J. Phys.: Condens. Matter, 23, 385 601 (2011)
  29. S.S. Krishtopenko, V.I. Gavrilenko, M. Goiran. J. Phys.: Condens. Matter, 24, 135 601 (2012)
  30. S.S. Krishtopenko, V.I. Gavrilenko, M. Goiran. J. Phys.: Condens. Matter, 24, 252 201 (2012)
  31. S.S. Krishtopenko, V.I. Gavrilenko, M. Goiran. Phys. Rev. B, 87, 155 113 (2013)
  32. G. Tuttle, H. Kroemer, J.H. English. J. Appl. Phys., 65, 5239 (1989)
  33. G. Tuttle, H. Kroemer, J.H. English. J. Appl. Phys., 67, 3032 (1990)
  34. W. Kohn. Phys. Rev. 123, 1242 (1961)
  35. A.H. MacDonald, C. Kallin. Phys. Rev. B, 40, 5795 (1989)
  36. K. Asano, T. Ando. Phys. Rev. B, 58, 1485 (1998)
  37. S.S. Krishtopenko. J. Phys.: Condens. Matter, 25, 365 602 (2013)
  38. S.S. Krishtopenko. J. Phys.: Condens. Matter, 25, 105 601 (2013)
  39. M.J. Yang, P.J. Lin-Chung, B.V. Shanabrook, J.R. Waterman, R.J. Wagner, W.J. Moore. Phys. Rev. B, 47, 1691 (1993)
  40. C. Gauer, J. Scriba, A. Wixforth, J.P. Kotthaus, C.R. Bolognesi, C. Nguyen, B. Brar, H. Kroemer. Semicond. Sci. Technol., 9, 1580 (1994)
  41. В.Я. Алешкин, В.И. Гавриленко, А.В. Иконников, Ю.Г. Садофьев., J.P. Bird, S.R. Johnson, Y.-H. Zhang. ФТП, 39, 71 (2005) [Semiconductors, 39, 62 (2005)]
  42. M.J. Yang, R.J. Wagner, B.V. Shanabrook, J.R. Waterman, W.J. Moore. Phys. Rev. B, 47, 6807 (1993)
  43. J. Scriba, A. Wixforth, J.P. Kotthaus, C.R. Bolognesi, C. Nguyen, G. Tuttle, J.H. English, H. Kroemer. Semicond. Sci. Technol., 8, S133 (1993)
  44. J. Scriba, A. Wixforth, J.P. Kotthaus, C. Bolognesi, C. Nguyen, H. Kroemer. Sol. St. Commun., 86, 633 (1993)
  45. S.S. Krishtopenko, A.V. Ikonnikov, K.V. Maremyanin, K.E. Spirin, V.I. Gavrilenko, Yu.G. Sadofyev, M. Goiran, M. Sadowsky, Yu.B. Vasilyev. J. Appl. Phys., 111, 093 711 (2012)
  46. H. Arimoto, N. Miura, R.A. Stradling. Phys. Rev. B, 67, 155 319 (2003)
  47. A. Ikonnikov, S. Krishtopenko, V. Gavrilenko, Yu. Sadofyev, Yu. Vasilyev, M. Orlita, W. Knap. J. Low Temp. Phys., 159, 197 (2010)
  48. S.S. Krishtopenko, A.V. Ikonnikov, M. Orlita, Yu.G. Sadofyev, M. Goiran, F. Teppe, W. Knap, V.I. Gavrilenko. J. Appl. Phys., 117, 112 813 (2015)
  49. O. Drachenko, D.V. Kozlov, V.Ya. Aleshkin, V.I. Gavrilenko, K.V. Maremyanin, A.V. Ikonnikov, B.N. Zvonkov, M. Goiran, J. Leotin, G. Fasching, S. Winnerl, H. Schneider, J. Wosnitza, M. Helm. Phys. Rev. B, 79, 073 301 (2009)
  50. C. Kallin, B.I. Halperin. Phys. Rev. B, 31, 3635 (1985)
  51. D. Antoniou, A.H. MacDonald. Phys. Rev. B, 46, 15 225 (1992)
  52. A.H. MacDonald, C. Kallin. Phys. Rev. B, 40, 5795 (1989)
  53. K. Asano, T. Ando. Phys. Rev. B, 58, 1485 (1998)
  54. Yu.A. Bychkov, G. Martinez. Phys. Rev. B, 66, 193 312 (2002)
  55. Yu.A. Bychkov, G. Martinez. Phys. Rev. B 72, 195 328 (2005)
  56. T. Ando. J. Phys. Soc. Jpn., 38, 989 (1975)
  57. T. Ando, A.B. Fowler, F. Stern. Rev. Mod. Phys., 54, 437 (1982)
  58. А.А. Грешнов. Автореф. канд. дис. (СПб., ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, 2008)
  59. Y. Murayama, T. Ando. Phys. Rev. B, 35, 2252 (1987)
  60. S. Bonifacie, C. Chaubet, B. Jouault, A. Raymond. Phys. Rev. B, 74, 245 303 (2006).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme