"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние нанесения кобальта на оптоэлектронные свойства квантово-размерных гетеронаноструктур In(Ga)As/GaAs
Волкова Н.С.1,2, Горшков А.П.3, Здоровейщев А.В.1, Истомин Л.А.2, Левичев С.Б.2
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский институт химии Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2015 г.

Исследованы закономерности влияния дефектообразования при нанесении кобальтового контакта на оптоэлектронные характеристики структур с квантовыми точками InAs/GaAs и квантовыми ямами InxGa1-xAs/GaAs. Из анализа температурных зависимостей фоточувствительности структур с квантовыми точками InAs/GaAs определены значения результирующего рекомбинационного времени жизни фотовозбужденных носителей в квантовых точках при различных условиях нанесения Co и параметрах структур.
  1. M. Holub, P. Bhattacharya. J. Phys. D: Appl. Phys., 40, R179 (2007)
  2. L. Lombez, P. Renucci, P.F. Braun, H. Carrere, X. Marie, T. Amand, B. Urbaszek, J.L. Gauffier, P. Gallo, T. Camps, A. Arnoult, C. Fontaine, C. Deranlot, R. Mattana, H. Jaffres, J.-M. George, P. H. Binh. Appl. Phys. Lett., 90, 081 111 (2007)
  3. Е.А. Ускова, М.В. Дорохин, Б.Н. Звонков, П.Б. Демина, Е.И. Малышева, Е.А. Питиримова, Ф.З. Гильмутдинов. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2, 89 (2006)
  4. Н.С. Волкова, А.П. Горшков, Д.О. Филатов, Д.С. Абрамкин. Письма ЖЭТФ, 100, 175 (2014)
  5. C.M.A. Kapteyn, F. Heinrichsdorff, O. Stier, R. Heitz, M. Grundmann, N.D. Zakharov, D. Bimberg, P. Werner. Phys. Rev. B, 60, 14 265 (1999)
  6. P.W. Fry, I.E. Itskevich, S.R. Parnell, J.J. Finley, L.R. Wilson, K.L. Schumacher, D.J. Mowbray, M.S. Skolnick, M. Al-Khafaji, A.G. Cullis, M. Hopkinson, J.C. Clark, G. Hill. Phys. Rev. B, 62, 16 784 (2000)
  7. W.H. Chang, T.M. Hsu, C.C. Huang, S.L. Hsu, C.Y. Lai, N.T. Yeh, T.E. Nee, J.I. Chyi. Phys. Rev. B, 62, 6959 (2000)
  8. S. Ghosh, B. Kochman, J. Singh, P. Bhattacharya. Appl. Phys. Lett., 76, 2571 (2000)
  9. Э.Н. Король. ФТТ, 19, 1266 (1977)
  10. S. Makram-Ebeid, M. Lannoo. Phys. Rev. Lett., 48, 1281 (1982)
  11. M. Geller, Ph.D. Thesis. (Technical University of Berlin, 2007)
  12. A. Garcia-Cristobal, A.W. Minnaert, V.M. Fomin, J.T. Devreese, A.Yu. Silov, J.E.M. Haverkort, J.H. Wolter. Phys. Status. Solidi. B, 215, 331 (1999)
  13. R. Heitz, I. Mukhametzhanov, O. Stier, A. Madhukar, D. Bimberg. Phys. Rev. Lett., 83, 4654 (1999)
  14. А.И. Бобров, Ю.А. Данилов, М.В. Дорохин, А.В. Здоровейщев, Н.В. Малехонова, Е.И. Малышева, Д.А. Павлов, С. Сайед. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 7, (2015).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.