"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Начальные стадии роста тройных соединений Si-Ge-Sn, выращенных на Si(100) методом низкотемпературной МЛЭ
Туктамышев А.Р.1, Машанов В.И.1, Тимофеев В.А.1, Никифоров А.И.1, Тийс С.А.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2015 г.

Экспериментально определена зависимость критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту пленок Ge1-5xSi4xSnx, выращенных на Si(100) методом молекулярно-лучевой эпитаксии в диапазоне температур 150-450oC. Данная зависимость имеет немонотонный характер, подобна зависимости критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту при осаждении чистого Ge на Si(100) и обусловлена изменением механизма двумерного роста. Получены зависимости среднего размера, плотности островков, а также отношение высоты островков к их латеральному размеру методами атомно-силовой и сканирующей туннельной микроскопии. С увеличением температуры роста от 200 до 400oC увеличивается средний размер наноостровков от 4.7 до 23.6 нм.
  • R.A. Soref, J. Kouvetakis, J. Tolle, J. Menendez V. D'Costa. J. Mater. Res., 22, 3281 (2007)
  • V.R. D'Costa, Y.Y. Fang, J. Tolle, J. Kouvetakis, J. Menendez. Phys. Rev. Lett., 102, 107 403 (2009)
  • R.A. Soref. J. Vac. Sci. Technol. A, 14, 913 (1996)
  • G. Sun, H.H. Cheng, J. Menendez, J.B. Khurgin, R.A. Soref. Appl. Phys. Lett., 90, 251 105 (2007)
  • G. Sun, R.A. Soref, H.H. Cheng. Opt. Express, 19, 19 957 (2010)
  • R.T. Beeler, D.J. Smith, J. Kouvetakis, J. Menendez. IEEE J. Photovolt., 2, 434 (2012)
  • Y.Y. Fang, J. Xie, J. Tolle, R. Roucka, V.R. D'Costa, A.V.G. Chizmeshya, J. Menendez, J. Kouvetakis. J. Am. Chem. Soc., 130, 16 095 (2008)
  • J. Werner, M. Oehme, M. Schmid, M. Kaschel, A. Schirmer, E. Kasper, J. Schulze. Appl. Phys. Lett., 98, 061 108 (2011)
  • J. Kouvetakis, J. Menendez, A.V.G. Chizmeshya. Ann. Rev. Mater. Res., 36, 497 (2006)
  • S. Wirths, R. Geiger, N. von den Driesch, G. Mussler, T. Stoica, S. Mantl, Z. Ikonic, M. Luysberg, S. Chiussi, J.M. Hartmann, H. Sigg, J. Faist, D. Buca, D. Grutzmacher. Nature Photonics, 9, 88 (2015)
  • O. Gurdal, P. Desjardins, J.R.A. Carlsson, N. Taylor, H.H. Radamson, J.-E. Sundgren, J.E. Greene. J. Appl. Phys., 83, 162 (1998)
  • M. Oehme, K. Kostecki, M. Shmid, F. Oliveira, E. Kasper, J. Schulze. Thin Sol. Films, 557, 169 (2014)
  • V.I. Mashanov, V.V. Ulyanov, V.A. Timofeev, A.I. Nikiforov, O.P. Pchelyakov, I.-S. Yu, H.H. Cheng. Nanoscale Res. Lett., 6, 85 (2011)
  • A.I. Nikiforov, V.A. Cherepanov, O.P. Pchelyakov. Mater. Sci. Eng. B, 89, 180 (2002)
  • P. Aella, C. Cook, J. Tolle, S. Zollner, A.V.G. Chizmeshya, J. Kouvetakis. Appl. Phys. Lett., 84, 888 (2004)
  • V.R. D'Costa, C.S. Cook, J. Menedez, J. Tolle, J. Kouvetakis, S. Zollner. Sol. St. Commun., 138, 309 (2006)
  • A.I. Nikiforov, V.V. Ulyanov, V.A. Timofeev, O.P. Pchelyakov. Microelectronics J., 40, 782 (2009)
  • A.E. Dolbak, B.Z. Olshanetsky. Central Eur. J. Phys., 6, 634 (2008)
  • K. Ueda, K. Kinoshita, M. Mannami. Sur. Sci., 145, 261 (1984)
  • M. Pedio, A. Cricenti. Sur. Sci., 374, 251 (1997)
  • A. Vailionis, B. Cho, G. Glass, P. Desjardins, D.G. Cahill, J.E. Greene. Phys. Rev. Lett., 85, 3672 (2000)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.