Вышедшие номера
Влияние поперечного электрического поля и температуры на поглощение света в туннельно-связанных квантовых ямах GaAs/AlGaAs
Фирсов Д.А.1, Воробьев Л.Е.1, Винниченко М.Я.1, Балагула Р.М.1, Кулагина М.М.2, Васильев А.П.2
1Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2015 г.

В структурах с туннельно-связанными квантовыми ямами GaAs/AlGaAs исследованы спектры фотолюминесценции и межподзонного поглощения света, положение пиков в которых хорошо согласуется с теоретическим расчетом энергий оптических переходов носителей заряда. Исследовано влияние поперечного электрического поля и температуры на межподзонное поглощение света. Оно обусловлено перераспределением электронов между уровнями размерного квантования и изменением энергетического спектра квантовых ям. Проведена оценка величины изменения показателя преломления в области наблюдаемых межподзонных переходов с использованием соотношений Крамерса-Кронига.