Влияние поперечного электрического поля и температуры на поглощение света в туннельно-связанных квантовых ямах GaAs/AlGaAs
Фирсов Д.А.1, Воробьев Л.Е.1, Винниченко М.Я.1, Балагула Р.М.1, Кулагина М.М.2, Васильев А.П.2
1Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2015 г.
В структурах с туннельно-связанными квантовыми ямами GaAs/AlGaAs исследованы спектры фотолюминесценции и межподзонного поглощения света, положение пиков в которых хорошо согласуется с теоретическим расчетом энергий оптических переходов носителей заряда. Исследовано влияние поперечного электрического поля и температуры на межподзонное поглощение света. Оно обусловлено перераспределением электронов между уровнями размерного квантования и изменением энергетического спектра квантовых ям. Проведена оценка величины изменения показателя преломления в области наблюдаемых межподзонных переходов с использованием соотношений Крамерса-Кронига.
- S. Luryi, M. Gouzman. Int. J. High Speed Electron. Syst., 16 (2), 559 (2006)
- R. Martini, C. Bethea, F. Capasso, C. Gmachl, R. Paiella, E.A. Whittaker, H.Y. Hwang, D.L. Sivco, J.N. Baillargeon, A.Y. Cho. Electron. Lett., 38 (4), 181 (2002)
- V.L. Zerova, L.E. Vorob'ev, D.A. Firsov, E. Towe. Semicond., 41 (5), 596 (2007)
- L.E. Vorobjev, M.Ya. Vinnichenko, D.A. Firsov, V.L. Zerova, V.Yu. Panevin, A.N. Sofronov, P. Thumrongsilapa, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, A.P. Vasiljev, L. Shterengas, G. Kipshidze, T. Hosoda, G. Belenky. Semicond., 44 (11), 1402 (2010)
- L.E. Vorob'ev, S.N. Danilov, V.L. Zerova, D.A. Firsov. Semicond., 37 (5), 586 (2003)
- Д.Н. Бычковский, Т.П. Воронцова, О.В. Константинов. ФТП, 26 (12), 2118 (1992)
- K. Bajema, R. Merlin, F.-Y. Juang et al. Phys. Rev. B, 36 (2), 1300 (1987)
- E. Dupont, D. Delacourt, V. Berger et al. Appl. Phys. Lett., 62, 1907 (1993)
- D.A. Rybalko, M.Ya. Vinnichenko, L.E. Vorobjev, D.A. Firsov, R.M. Balagula, V.Yu. Panevin, M.M. Kulagina, A.P. Vasil'iev. J. Phys.: Conf. Ser., 541, 012 081 (2014)
- K.L. Vodopyanov, V. Chazapis, C.C. Phillips, B. Sung, J.S. Harris, jr. Semicond. Sci. Technol., 12, 708 (1997)
- H. Schneider, C. Schonbein, M. Walther, P. Koidl, G. Weimann. Appl. Phys. Lett., 74 (1), 16 (1999)
- А.И. Ансельм. Введение в теорию полупроводников (М., Наука, 1978) с. 616
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
