"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Хаотический потенциал на поверхности компенсированного полупроводника в условиях самоорганизации электрически активных дефектов
Бондаренко В.Б.1, Филимонов А.В.1
1Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 февраля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2015 г.

Исследуются естественные неоднородности электрического потенциала на поверхности полупроводника в условиях частичной самоорганизации электрически активных дефектов --- формирования в слоях обеднения донорно-акцепторных ионных пар. Определены амплитуда и характер пространственного распределения хаотического потенциала на поверхности полупроводника в случаях локализованных и делокализованных поверхностных состояний. Получена зависимость амплитуды хаотического потенциала от уровня компенсации полупроводника.
  • В.Л. Бонч-Бруевич, И.П. Звягин, Р. Кайпер, А.Г. Миронов, Р. Эндерлайн, Б. Эссер. Электронная теория неупорядоченных полупроводников (М., Наука, 1981)
  • В.Б. Бондаренко, М.В. Кузьмин, В.В. Кораблев. ФТП, 35 (8), 964 (2001) [Semiconductors, 35 (8), 927 (2001)]
  • А.В. Филимонов, В.Б. Бондаренко, Е.Ю. Королева. Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед., N 7, 78 (2006)
  • В.Ф. Гантмахер. Электроны в неупорядоченных средах (М., Физматлит, 2003)
  • Е.Ф. Венгер, Р.В. Конакова, О.Б. Охрименко, С.Ю. Сапко, Л.В. Шеховцов, В.Н. Иванов. ФТП, 35 (4), 439 (2001)
  • Н.А. Авдеев, В.А. Гуртов, И.В. Климов, Р.А. Яковлев. ФТП, 40 (6), 711 (2006)
  • А.С. Потапов, П.А. Иванов, Т.П. Самсонова. ФТП, 43 (5), 640 (2009)
  • В.А. Козлов, С.В. Оболенский, В.Б. Шмагин, З.Ф. Красильник. ФТП, 46 (1), 134 (2012)
  • В.Б. Бондаренко, С.Н. Давыдов, А.В. Филимонов. ФТП, 44 (1), 44 (2010) [Semiconductors, 44 (1), 41 (2010)]
  • В.Б. Бондаренко, А.В. Филимонов, Е.Ю. Королева. Поверхность. Рентген., синхротрон. и нейтрон. исслед., N 10, 79 (2010); A.V. Filimonov, V.B. Bondarenko, E.Y. Koroleva. J. Surface Investigation, 4 (5), 859 (2010).
  • В.Б. Бондаренко, А.В. Филимонов, А.И. Рудской. Изв. РАН. Сер. физ., 76 (5), 639 (2012) [Bull. Russ. Acad. Sci. Phys., 76 (5), 570 (2012)]
  • С.В. Булярский, В.И. Фистуль. Термодинамика и кинетика взаимодействующих дефектов в полупроводниках (М., Наука, 1997)
  • В.Б. Бондаренко, А.В. Филимонов, А.И. Рудской. Изв. РАН. Сер. физ., 78 (6), 674 (2014) [Bull. Russ. Acad. Sci. Phys., 78 (6), 475 (2014)]
  • М. Ланно, Ж. Бургуэн. Точечные дефекты в полупроводниках. Теория (М., Мир, 1984)
  • Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  • И.Е. Тамм. Основы теории электричества (М., Наука, 1976).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.