"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Определение технологических параметров роста в системе InAs-GaAs для синтеза "многомодальных" квантовых точек InAs методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
Салий Р.А.1, Минтаиров С.А.1, Брунков П.Н.1,2,3, Надточий А.М.2,4, Паюсов А.С.1,2, Калюжный Н.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
4"Солар Дотс", Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 20 января 2015 г.
Выставление онлайн: 21 июля 2015 г.

Исследованы особенности роста в системе InAs-GaAs при использовании метода газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Определены зависимости содержания In в твердом растворе InxGa1-xAs и зависимости скорости роста InAs от мольного потока In в широком диапазоне температур (480 - 700oC). Исследованы процессы роста квантовых точек InAs на GaAs с различной разориентацией поверхности. Найдены условия осаждения квантовых точек InAs с малым количеством дефектов и высокой плотностью на "подслое" GaAs, выращенном с высокой скоростью. Разработана эпитаксиальная технология формирования квантовых точек InAs с многомодальным распределением по размеру и расширенным спектром фотолюминесценции, что может быть эффективно использовано при конструировании фотоэлектрических преобразователей с квантовыми точками в активной области.
  • M.A. Green, K. Emery, Y. Hishikawa, W. Warta, E.D. Dunlop. Progr. Photovolt.: Res. Appl., 22, 701 (2014)
  • R.R. King, D.C. Law, K.M. Edmondson, C.M. Fetzer, G.S. Kinsey, H. Yoon, R.A. Sherif, N.H. Karam. Appl. Phys. Lett., 90, 183 516 (2007)
  • W. Guter, J. Schone, S. Philipps, M. Steiner, G. Siefer, A. Wekkeli, E. Welser, E. Oliva, A.W. Bett, F. Dimroth. Appl. Phys. Lett., 94, 223 504 (2009)
  • D.C. Law, X.Q. Liu, J.C. Boisvert, E.M. Redher, C.M. Fetzer, S. Mesropian, R.R. King, K.M. Edmondson, B. Jun, R.L. Woo, D.D. Krut, P.T. Chiu, D.M. Bhusari, S.K., Sharma, N.H. Karam. Proc. 38th IEEE Photovolt. Spec. Conf. (Austin, TX, 2012) p. 003 146
  • A. Luque, A. Marti. Phys. Rev. Lett., 78, 5014 (1997)
  • V. Aroutiounian, S. Petrosyan, A. Khachatryan, K. Touryan. J. Appl. Phys., 89, 2268 (2001)
  • Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг. ФТП, 32 (4), 385 (1998)
  • С.А. Блохин, А.В. Сахаров, А.М. Надточий, А.С. Паюсов, М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов, А.Р. Ковш, С.С. Михрин, В.М. Лантратов, С.А. Минтаиров, Н.А. Калюжный, М.З. Шварц. ФТП, 43 (4), 537 (2009) [Semiconductors, 43, 514 (2009)]
  • C.G. Bailey, D.V. Forbes, S.J. Polly, Z.S. Bittner, Y. Dai, Chelsea Mackos, R.P. Raffaelle, S.M. Hubbard. IEEE J. Photovolt., 2, 269 (2012)
  • N.A. Kalyuzhnyy, S.A. Mintairov, M.A. Mintairov, V.M. Lantratov. Proc. 24th Eur. Photovol. Solar Energy Conf. (Hamburg, Germany, 2009) p. 538
  • L. Goldstein, F. Glas, J.Y. Marzin, M.N. Charasse, G.Le Roux. Appl. Phys. Lett., 47 (10), 1099 (1985)
  • В.А. Севрюк, П.Н. Брунков, И.В. Шальнев, А.А. Гуткин, Г.В. Климко, С.В. Гронин, С.В. Сорокин, С.Г. Конников. ФТП, 47, 7 (2013)
  • K. Sears, S. Mokkapati, H.H. Tan, C. Jagadish. In: Self-Assembled Quantum Dots, ed by Z.M. Wang (Springer, 2008) ch. 12, p. 359
  • G.B. Stringfellow. Organometallic Vapor-Phase Epitaxy: Theory and Practice, 2nd edn. (Academic Press, San Diego, 1999) ch. 3.4.
  • Z.Y. Xu, Z.D. Lu, X.P. Yang, Z.L. Yuan, B.Z. Zheng, J.Z. Xu, W.K. Ge, Y. Wang, L.L. Chang. Phys. Rev. B, 54, 11 528 (1996).
  • Y. Tang, D.H. Rich, I. Mukhametzhanov, P. Chen, A. Madhukar. J. Appl. Phys., 84, 3342 (1998)
  • Н.В. Крыжановская, А.Г. Гладышев, С.А. Блохин, М.В. Максимов, Е.С. Семенова, А.П. Васильев, А.Е. Жуков, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, Д. Бимберг. ФТП, 39 (10), 1230 (2005)
  • B. Bansal. J. Appl. Phys., 100, 093197 (2006).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.