Вышедшие номера
Определение технологических параметров роста в системе InAs-GaAs для синтеза "многомодальных" квантовых точек InAs методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
Салий Р.А.1, Минтаиров С.А.1, Брунков П.Н.1,2,3, Надточий А.М.2,4, Паюсов А.С.1,2, Калюжный Н.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
4ООО "Солар Дотс", Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 20 января 2015 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2015 г.

Исследованы особенности роста в системе InAs-GaAs при использовании метода газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Определены зависимости содержания In в твердом растворе InxGa1-xAs и зависимости скорости роста InAs от мольного потока In в широком диапазоне температур (480 - 700oC). Исследованы процессы роста квантовых точек InAs на GaAs с различной разориентацией поверхности. Найдены условия осаждения квантовых точек InAs с малым количеством дефектов и высокой плотностью на "подслое" GaAs, выращенном с высокой скоростью. Разработана эпитаксиальная технология формирования квантовых точек InAs с многомодальным распределением по размеру и расширенным спектром фотолюминесценции, что может быть эффективно использовано при конструировании фотоэлектрических преобразователей с квантовыми точками в активной области.