Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Определение технологических параметров роста в системе InAs-GaAs для синтеза "многомодальных" квантовых точек InAs методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений

Салий Р.А.¹, Минтаиров С.А.¹, Брунков П.Н.^1,2,3, Надточий А.М.^2,4, Паюсов А.С.^1,2, Калюжный Н.А.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Nanotechnology Center, St. Petersburg Academic University, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Nanotechnology Center, St. Petersburg Academic University, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

³Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия ITMO University, St. Petersburg, Russia

⁴ООО "Солар Дотс", Санкт-Петербург, Россия Solar Dots Ltd., St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 20 января 2015 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2015 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы особенности роста в системе InAs-GaAs при использовании метода газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Определены зависимости содержания In в твердом растворе In_xGa_1-xAs и зависимости скорости роста InAs от мольного потока In в широком диапазоне температур (480 - 700^oC). Исследованы процессы роста квантовых точек InAs на GaAs с различной разориентацией поверхности. Найдены условия осаждения квантовых точек InAs с малым количеством дефектов и высокой плотностью на "подслое" GaAs, выращенном с высокой скоростью. Разработана эпитаксиальная технология формирования квантовых точек InAs с многомодальным распределением по размеру и расширенным спектром фотолюминесценции, что может быть эффективно использовано при конструировании фотоэлектрических преобразователей с квантовыми точками в активной области.

M.A. Green, K. Emery, Y. Hishikawa, W. Warta, E.D. Dunlop. Progr. Photovolt.: Res. Appl., 22, 701 (2014)
R.R. King, D.C. Law, K.M. Edmondson, C.M. Fetzer, G.S. Kinsey, H. Yoon, R.A. Sherif, N.H. Karam. Appl. Phys. Lett., 90, 183 516 (2007)
W. Guter, J. Schone, S. Philipps, M. Steiner, G. Siefer, A. Wekkeli, E. Welser, E. Oliva, A.W. Bett, F. Dimroth. Appl. Phys. Lett., 94, 223 504 (2009)
D.C. Law, X.Q. Liu, J.C. Boisvert, E.M. Redher, C.M. Fetzer, S. Mesropian, R.R. King, K.M. Edmondson, B. Jun, R.L. Woo, D.D. Krut, P.T. Chiu, D.M. Bhusari, S.K., Sharma, N.H. Karam. Proc. 38th IEEE Photovolt. Spec. Conf. (Austin, TX, 2012) p. 003 146
A. Luque, A. Marti. Phys. Rev. Lett., 78, 5014 (1997)
V. Aroutiounian, S. Petrosyan, A. Khachatryan, K. Touryan. J. Appl. Phys., 89, 2268 (2001)
Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг. ФТП, 32 (4), 385 (1998)
С.А. Блохин, А.В. Сахаров, А.М. Надточий, А.С. Паюсов, М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов, А.Р. Ковш, С.С. Михрин, В.М. Лантратов, С.А. Минтаиров, Н.А. Калюжный, М.З. Шварц. ФТП, 43 (4), 537 (2009) [Semiconductors, 43, 514 (2009)]
C.G. Bailey, D.V. Forbes, S.J. Polly, Z.S. Bittner, Y. Dai, Chelsea Mackos, R.P. Raffaelle, S.M. Hubbard. IEEE J. Photovolt., 2, 269 (2012)
N.A. Kalyuzhnyy, S.A. Mintairov, M.A. Mintairov, V.M. Lantratov. Proc. 24th Eur. Photovol. Solar Energy Conf. (Hamburg, Germany, 2009) p. 538
L. Goldstein, F. Glas, J.Y. Marzin, M.N. Charasse, G.Le Roux. Appl. Phys. Lett., 47 (10), 1099 (1985)
В.А. Севрюк, П.Н. Брунков, И.В. Шальнев, А.А. Гуткин, Г.В. Климко, С.В. Гронин, С.В. Сорокин, С.Г. Конников. ФТП, 47, 7 (2013)
K. Sears, S. Mokkapati, H.H. Tan, C. Jagadish. In: Self-Assembled Quantum Dots, ed by Z.M. Wang (Springer, 2008) ch. 12, p. 359
G.B. Stringfellow. Organometallic Vapor-Phase Epitaxy: Theory and Practice, 2nd edn. (Academic Press, San Diego, 1999) ch. 3.4.
Z.Y. Xu, Z.D. Lu, X.P. Yang, Z.L. Yuan, B.Z. Zheng, J.Z. Xu, W.K. Ge, Y. Wang, L.L. Chang. Phys. Rev. B, 54, 11 528 (1996).
Y. Tang, D.H. Rich, I. Mukhametzhanov, P. Chen, A. Madhukar. J. Appl. Phys., 84, 3342 (1998)
Н.В. Крыжановская, А.Г. Гладышев, С.А. Блохин, М.В. Максимов, Е.С. Семенова, А.П. Васильев, А.Е. Жуков, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, Д. Бимберг. ФТП, 39 (10), 1230 (2005)
B. Bansal. J. Appl. Phys., 100, 093197 (2006).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель