Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2015, выпуск 8 » Статья стр. 1115
<<<>>>
Влияние бимодальности массива квантовых точек на оптические свойства и пороговые характеристики лазеров на их основе
Надточий А.М.1,2,3, Минтаиров С.А.3, Калюжный Н.А.3, Рувимов С.C.4, Шерняков Ю.М.3, Паюсов А.C.1,3, Максимов М.В.1,2,3, Жуков А.Е.1,2
1Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2ООО "Солар Дотс", Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4University of Notre Dame, Notre Dame, Indiana, USA
Поступила в редакцию: 29 января 2015 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2015 г.
PDF версия
Синтезированы гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs на вицинальных подложках GaAs (001). Исследованы спектры фотолюминесценции и пороговые характеристики полосковых лазеров в диапазоне температур 10-400 K, а также структурные свойства квантовых точек с помощью просвечивающей электронной микроскопии. При анализе спектров фотолюминесценции обнаружена бимодальность массива квантовых точек, приводящая к необычному температурному поведению спектров фотолюминесценции и плотности порогового тока. Рассмотрена модель заполнения бимодального массива квантовых точек носителями заряда, описывающая наблюдаемые явления.
  1. N.N. Ledentsov,V.M. Ustinov,V.A. Shchukin, P.S. Kop'ev, Z.I. Alferov, D. Bimberg. Semiconductors, 32 (4), 343 (1998)
  2. S.S. Mikhrin, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, N.A. Maleev, A.P. Vasil'ev, E.S. Semenova, V.M. Ustinov, M.M. Kulagina, E.V. Nikitina, I.P. Soshnikov, Y.M. Shernyakov, D.A. Livshits, N.V. Kryjanovskaya, D.S. Sizov, M.V. Maksimov, A.F. Tsatsul'nikov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, Z.I. Alferov. Semiconductors, 36 (11), 1315 (2002)
  3. S.S. Mikhrin, A.R. Kovsh, I.L. Krestnikov, A.V. Kozhukhov, D.A. Livshits, N.N. Ledentsov, Yu.M. Shernyakov, I.I. Novikov, M.V. Maximov, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov. Semicond. Sci. Technol., 20, 340 (2005)
  4. N.V. Kryzhanovskaya, I.S. Mukhin, E.I. Moiseev, I.I. Shostak, A.A. Bogdanov, A.M. Nadtochiy, M.V. Maximov, A.E. Zhukov, M.M. Kulagina, K.A. Vashanova, Yu.M. Zadiranov, S.I. Troshkov, A.A. Lipovskii, A. Mintairov. Opt. Express, 22 (21), 25 782 (2014)
  5. A. Kovsh, I. Krestnikov, D. Livshits, S. Mikhrin, J. Weimer, A. Zhukov. Opties. Lett., 32, 793 (2007)
  6. S.A. Blokhin, A.V. Sakharov, A.M. Nadtochy, A.S. Pauysov, M.V. Maximov, N.N. Ledentsov, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.M. Lantratov, S.A. Mintairov, N.A. Kaluzhniy, M.Z. Shvarts. Semiconductors, 43, 514 (2009)
  7. A. Luque, A. Marti. Phys. Rev. Lett., 78, 5014 (1997)
  8. Д.Г. Васильев, В.П. Евтихиев, В.Е. Токранов, И.В. Кудряшов, В.П. Кочерешко. ФТТ, 40 (5), 855 (1998)
  9. S. Liang, H.L. Zhu, W. Wang. J. Appl. Phys., 100, 103 503 (2006)
  10. T. Yang, S. Tsukamoto, J. Tatebayashi, M. Nishioka, Y. Arakawa. Appl. Phys. Lett., 85 (14), 2753 (2004)
  11. C.M. Lee, S.H. Choi, J.C. Seo, J.I. Lee, J.Y. Leem, I.K. Han. J. Korean Phys. Soc., 46 (6), 1615 (2004)
  12. Y.C. Zhang, C.J. Huang, F.Q. Liu, B. Xu, J. Wu, Y.H. Chen, D. Ding, W.H. Jang, X.L. Ye, Z.G. Wang. J. Appl. Phys., 90 (4), 1973 (2001)
  13. G. Saint-Girons, I. Sagnes. J. Appl. Phys., 91 (12), 10 115 (2002)
  14. B. Bansal. J. Appl. Phys., 100, 093 107 (2006)
  15. H. Kissel, U. Muller, C. Walther, W.T. Masselink. Phys. Rev. B, 62 (11), 723 (2000)
  16. H.L. Wang, D. Ning, S.L. Feng. J. Cryst. Growth, 209, 630 (2000)
  17. Y.C. Zhang, C.J. Huang, F.Q. Liu, B. Xu, D. Ding, W.H. Jiang, Y.F. Li, X.L. Ye, J. Wu, Y.H. Chen, Z.G. Wang. J. Cryst. Growth, 219, 199 (2000)
  18. W.H. Jiang, X.L. Ye, B. Xu, H.Z. Xu, D. Ding, J.B. Liang, Z.G. Wang. J. Appl. Phys., 88 (5), 2529 (2000)
  19. A.A. Emelway, S. Birudavolu, P.S. Wong, Y.-B. Jiang, H. Xu, S. Huang, D.L. Huffaker. J. Appl. Phys., 93 (6), 3529 (2003)
  20. L.V. Asryan, R.A. Suris. Semicond. Sci. Technol., 11, 554 (1996)
  21. I.I. Novikov, M.V. Maksimov, Y.M. Shernyakov, N.Y. Gordeev, A.R. Kovsh, A.E. Zhukov, S.S. Mikhrin, N.A. Maleev, A.P. Vasil'ev, V.M. Ustinov, Z.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Semiconductors, 37 (10), 1239 (2003)
  22. A.E. Zhukov, V.M. Ustinov, A.Y. Egorov, A.R. Kovsh, N.N. Ledentsov, M.V. Maksimov, A.F. Tsatsul'nikov, N.Y. Gordeev, S.V. Zaitsev, P.S. Kop'ev. Semiconductors, 42, 93 (1997)
  23. A. Patane, A. Polimeni, M. Henini, L. Eaves, P.C. Main. J. Appl. Phys., 85 (1), 625 (1999).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme