Вышедшие номера
Глубокие центры в структурах TiO2-Si
Калыгина В.М.1, Петрова Ю.С.1, Прудаев И.А.1, Толбанов О.П.1, Цупий С.Ю.1
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 11 ноября 2014 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2015 г.

Изучено влияние термического отжига и воздействия кислородной плазмы на электрические и фотоэлектрические характеристики структур металл-TiO2-Si. Пленки TiO2 получали магнетронным высокочастотным распылением мишени оксида титана на ненагретые подложки n-Si. Прямые и обратные токи структур после отжига в аргоне при 500oC были меньше, чем после отжига при 750oC. Обработка пленок диоксида титана в кислородной плазме приводила к снижению токов независимо от температуры отжига. Предполагается, что вольт-амперные характеристики структур TiO2-Si могут быть описаны в рамках модели токов, ограниченных пространственным зарядом. Фотоэлектрические характеристики образцов исследовали, используя свет с длиной волны lambda=400 нм. В структурах TiO2-Si после отжига при 500oC без экспозиции в кислородной плазме обнаружена замороженная фотопроводимость. Время релаксации составляет (23±2) мин.
  1. A. Janotti, C. Franchini, J.B. Varley, G. Kreesse, C.G. Van de Walle. Phys. Status Solidi RRL, 7 (3), 199 (2013)
  2. A.I. Kuznetsov, O. Kameneva, A. Alexandrov, N. Bityurin, Ph. Marteau, K. Chhor, C. Sanchez, A. Kanaev. Phys. Rev. E, 71 (2), 021 403 (2005)
  3. L.-B. Xiong, J.-L. Li, B. Yang, Y. Yu. J. Nanomater., 2012, 831 524 (2012)
  4. A.I. Kuznetsov, O. Kameneva, A. Alexandrov, N. Bityurin, K. Chhor, A. Kanaev. J. Phys. Chem. B, 110, 435 (2006)
  5. A. Sirisuk, E. Klansorn, P. Praserthdam. Catal. Commun., 9 (9), 1810 (2008)
  6. N. Sakai, R. Wang, A. Fujishima, T. Watanabe, K. Hashimoto. Langmuir, 14 (20), 5918 (1998)
  7. N. Sakai, A. Fujishima, T. Watanabe, K. Hashimoto. J. Phys. Chem. B, 105 (15), 3023 (2001)
  8. N. Sakai, A. Fujishima, T. Watanabe, K. Hashimoto. J. Phys. Chem. B, 107 (4), 1028 (2003)
  9. N. Bityurin, A.I. Kuznetsov, A. Kanaev. Appl. Surf. Sci., 248 (1--4), 86 (2005)
  10. J. Huang, M. Wang, J. Zhao, N. Gao, Y. Li. Appl. Radiation Isotopes, 54 (3), 475 (2001)
  11. E. Yagi, R.R. Hasiguti, M. Aono. Phys. Rev. B, 54, 7945 (1996)
  12. В.М. Калыгина, В.А. Новиков, Ю.С. Петрова, О.П. Толбанов, Е.В. Черников, С.Ю. Цупий, Т.М. Яскевич. ФТП, 47 (7), 989 (2014)
  13. M. Chandra Sekhar, P. Kondaiah, S.V. Jagadeesh Chandra et al. Surf. Interface Anal., 44, 1299 (2012)
  14. K. Shubham, R.U. Khan. J. Nano- and Electronic Physics, 5 (1), 01 021 (2013)
  15. P. Kondaiah1, M. Chandra Sekhar, S.V. Jagadeesh Chandra, R. Martins, S. Uthanna1, E. Elangovan. IOP Conf. Series: Mater. Sci. Engin., 30, 012 005 (2012)
  16. B.S. Richards, J.E. Cotter, C.B. Honsberg et al. Proc. 28th IEEE PVSC (Anchorage, 2000) p. 5
  17. S. Springer. Physicien dipl\^ome. (Institut de Physique de la Matiere Complexe, Lausanne, EPFL, 2004.)
  18. Yu.S. Milovanov, I.V. Gavrilchenko, V.Ya. Gayvoronsky, A.I. Kuznetsov, V.A. Skryshevsky. Ukr. J. Phys., 57 (5), 545 (2012)
  19. Ю.В. Герасименко, В.А. Логачёва, А.М. Ховив. Конденсированные среды и межфазные границы, 12 (2), 113 (2010)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.