Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Механизм генерирования структурных дефектов и особенности зонной структуры полупроводника HfNi_1-xCo_xSn

Ромака В.А.^1,2, Rogl P.³, Ромака В.В.², Стаднык Ю.В.⁴, Крайовский В.Я.², Kaczorowski D.⁵, Наконечный И.Н.², Горынь А.М.⁴

¹Институт прикладных проблем механики и математики им. Я. Пидстрыгача Национальной академии наук Украины, Львов, Украина Ya. Pidstryhach Institute for Applied Problems of Mechanics and Mathematics, National Academy of Sciences of Ukraine, Lviv, Ukraine

Ya. Pidstryhach Institute for Applied Problems of Mechanics and Mathematics, National Academy of Sciences of Ukraine, Lviv, Ukraine

²Национальный университет Львовская политехника", Львов, Украина
³Венский университет, Вена, Австрия
⁴Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина Franko Lviv National University, Lviv, Ukraine

Franko Lviv National University, Lviv, Ukraine

⁵Институт низких температур и структурных исследований Польской академии наук, Вроцлав, Польша Institute of Low Temperature and Structure Research, Academy of Sciences, Wroclaw, Poland

Institute of Low Temperature and Structure Research, Academy of Sciences, Wroclaw, Poland

Поступила в редакцию: 24 декабря 2014 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2015 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы кристаллическая и электронная структуры, магнитные, энергетические и кинетические характеристики полупроводника n-HfNiSn, сильно легированного акцепторной примесью Co (HfNi_1-xCo_xSn), в диапазонах температур T=80-400 K, концентрации кобальта N^Co_A~9.5·10¹⁹-5.7·10²¹ см^-3 (x=0.005-0.30) и напряженности магнитного поля H≤10 кЭ. Установлен механизм изменения степени компенсации полупроводника как результат трансформации кристаллической структуры в процессе легирования, приводящий к генерированию структурных дефектов акцепторной и донорной природы. Результаты расчета электронной структуры согласуются с экспериментальными данными, а полупроводник HfNi_1-xCo_xSn является перспективным термоэлектрическим материалом. Обсуждение результатов ведется в рамках модели сильно легированного и компенсированного полупроводника Шкловского-Эфроса.

В.А. Ромака, P. Rogl, Ю.В. Стаднык, В.В. Ромака, E.K. Hlil, В.Я. Крайовский, А.М. Горынь. ФТП, 46 (9), 1130 (2012)
V.V. Romaka, P. Rogl, L. Romaka, Yu. Stadnyk, A. Grytsiv, O. Lakh, V. Krayovsky. Intermetallics, 35, 45 (2013)
C. Uher, J. Yang, S. Hu, D.T. Morelli, G.P. Meisner. Phys. Rev. B, 59 (13), 8615 (1999)
T.M. Tritt, M.A. Sabramanian. MRS Bulletin, 31 (3), 188 (2006)
G.S. Nolas, J. Poon, M. Kanatzidis. MRS Bulletin, 31 (3), 199 (2006)
В.А. Ромака, В.В. Ромака, Ю.В. Стаднык. Интерметаллические полупроводники: свойства и применения (Львов, Львовская политехника, 2011)
Л.И. Анатычук. Термоэлементы и термоэлектрические устройства (Киев, Наук. думка, 1979)
Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
T. Roisnel, J. Rodriguez-Carvajal. Mater. Sci. Forum, Proc. EPDIC7, 378--381 (2001)
M. Schroter, H. Ebert, H. Akai, P. Entel, E. Hoffmann, G.G. Reddy. Phys. Rev. B, 52, 188 (1995)
V.L. Moruzzi, J.F. Janak, A.R. Williams. Calculated electronic properties of metals (N.Y., Pergamon Press, 1978)
В.А. Ромака, P. Rogl, Ю.В. Стаднык, В.В. Ромака, E.K. Hlil, В.Я. Крайовский, А.М. Горынь. ФТП, 47 (9), 1157 (2013)
В.А. Ромака, P. Rogl, В.В. Ромака, Ю.В. Стаднык, Р.О. Корж, В.Я. Крайовский, А.М. Горынь. ФТП, 48 (12), 1585 (2014)
В.А. Ромака, P. Rogl, В.В. Ромака, D. Kaczorowski, Ю.В. Стаднык, Р.О. Корж, В.Я. Крайовский, Т.М. Ковбасюк. ФТП, 49 (3), 299 (2015)
Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ЖЭТФ, 61, 816 (1971)
Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ЖЭТФ, 62, 1156 (1972)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель