Вышедшие номера
Фотоэлектрические преобразователи концентрированного солнечного излучения на основе InGaAsP(1.0 эВ)/InP-гетероструктур
Левин Р.В.1,2, Маричев А.Е.1,3, Шварц М.З.1, Марухина Е.П.1, Пушный Б.В.1,2, Мизеров М.Н.2, Андреев В.М.1, Хвостиков В.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 11 ноября 2014 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2015 г.

Представлены результаты разработки технологии МОС-гидридной газофазной эпитаксии и исследований электрофизических параметров фотоэлектрических преобразователей солнечного излучения на основе гетероструктур в системе InP/InGaAsP для спектрального диапазона 0.95-1.2 мкм. Разработана технология МОС-гидридной газофазной эпитаксии получения и легирования твердых растворов InGaAsP вблизи области спинодального распада с шириной запрещенной зоны около 1.0 эВ и изготовлены фотоэлектрические преобразователи 1000-кратного концентрированного солнечного излучения.