Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Тепловое сопротивление дисковых микролазеров сверхмалого диаметра

Жуков А.Е.^1,2,3, Крыжановская Н.В.^1,3, Максимов М.В.^4,1,3, Липовский А.А.^1,3, Савельев А.В.^1,2,3, Шостак И.И.¹, Моисеев Э.И.¹, Кудашова Ю.В.¹, Кулагина М.М.⁴, Трошков С.И.⁴

¹Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Nanotechnology Center, St. Petersburg Academic University, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Nanotechnology Center, St. Petersburg Academic University, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский научный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg Scientific Center of the Russian Academy of Sciences, Saint-Petersburg, Russia

St. Petersburg Scientific Center of the Russian Academy of Sciences, Saint-Petersburg, Russia

³Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

⁴Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 6 ноября 2014 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2015 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Обнаружено, что тепловое сопротивление микролазеров AlGaAs/GaAs типа "подвешенный диск" диаметром 1.7-4 мкм с квантовыми точками InAs/InGaAs в активной области обратно пропорционально квадрату диаметра микродиска с коэффициентом пропорциональности 3.2·10^-3 K·см²/Вт и составляет 120-20^oC/мВт.

K. Srinivasan, M. Borselli, O. Painter, A. Stintz, S. Krishna. Opt. Exp., 14, 1094 (2006)
Н.В. Крыжановская, А.Е. Жуков, А.М. Надточий, М.В. Максимов, Э.И. Моисеев, М.М. Кулагина, А.В. Савельев, Е.М. Аракчеева, А.А. Липовский, Ф.И. Зубов, A. Kapsalis, C. Mesaritakis, D. Syvridis, A. Mintairov, D. Livshits. ФТП, 47, 1396 (2013)
F. Albert, T. Braun, T. Heindel, C. Schneider, S. Reitzenstein, S. Hoefling, L. Worschech, A. Forchel. Appl. Phys. Lett., 97, 101 108 (2010)
Y.-H. Chen, Y.-K. Wu, L.J. Guo. Appl. Phys. Lett., 98, 131 109 (2011)
A.E. Zhukov, N.V. Kryzhanovskaya, M.V. Maximov, A.A. Lipovskii, I.S. Mukhin, E.I. Moiseev, I.I. Shostak, A.V. Savel'ev, A.A. Bogdanov, D.V. Karpov, J. Laukkanen, J. Tommila, D. Livshits. Int. Nano-Optoelectronics Workshop (iNOW) (St.Petersburg \& Luge, Russia, 2014)
A.N. Al-Omari, G.P. Carey, S. Hallstein, J.P. Watson, G. Dang, K.L. Lear. IEEE Photon. Technol. Lett., 18, 1225 (2006)
Y.-C. Chang, L.A. Coldren. Appl. Phys. A, 95, 1033 (2009)
N. Iwai, K. Takaki, H. Shimizu, S. Imai, Y. Kawakita, S. Kamiya, K. Hiraiwa, T. Takagi, T. Ishikawa, N. Tsukiji, A. Kasukawa. Furukawa Rev., 37, 1 (2010)
A. Demir, G. Zhao, D.G. Deppe. Electron. Lett., 46, 1147 (2010)
P.P. Baveja, B. Koegel, P. Westbergh, J.S. Gustavsson, A. Haglund, D.N. Maywar, G.P. Agrawal, A. Larsson. Opt. Exp., 19, 15 490 (2011)
M. Fujita, A. Sakai, T. Baba. IEEE J. Select. Topics Quantum Electron., 5, 673 (1999)
T. Ide, T. Baba, J. Tatebayashi, S. Iwamoto, T. Nakaoka, Y. Arakawa. Opt. Exp., 13, 1615 (2005)
http://www.matprop.ru/GaAs\_optic
W. Nakwaski, M. Osinski. Electron. Lett., 28, 572 (1992)
R. Michalzik, K.J. Ebeling. In: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser Devices, ed. by H.E. Li, K. Iga [Springer Series in Photonics, 6, 53 (2003)
Properties of Aluminium Gallium Arsenide, ed. by S. Adachi (INSPEC, London, 1993)
Н.В. Крыжановская, А.Е. Жуков, А.М. Надточий, И.А. Словинский, М.В. Максимов, М.М. Кулагина, А.В. Савельев, Е.М. Аракчеева, Ю.М. Задиранов, С.И. Трошков, А.А. Липовский. ФТП, 46, 1063 (2012)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель