Вышедшие номера
Полупроводниковые соединения GaInP, легированные изовалентной примесью Sb
Скачков А.Ф.1
1Открытое акционерное общество "Сатурн", Краснодар, Россия
Поступила в редакцию: 31 июля 2014 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2015 г.

Получены методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs и Ge слои GaInP1-xSbx с различной концентрацией сурьмы. Проведены измерения подвижности носителей зарядов в слоях GaInP1-xSbx при комнатной температуре и при 77 K. Проведены измерения подвижностей носителей зарядов при комнатной температуре в слоях GaInP1-xSbx, дополнительно легированных донорной и акцепторной примесями. Проведено измерение пиков фотолюминесценции GaInP1-xSbx. Определена зависимость влияния сурьмы на ширину запрещенной зоны GaInP и на подвижность носителей зарядов.
  1. J.M. Olson, D.J. Friedman. Nat. Ren. Energy, 64, 359 (2003)
  2. C.M. Fetzer, J.H. Ermer. Patent Pub. No.: US 2007/0068572 A1. 2007
  3. M.C. De Long. Appl. Phys. Lett., 66 (23), 3185 (1995)
  4. Yu.A. Goldberg. Handbook series on semiconductor parameters (London, World Scientific, 1999) v. 2, p. 37

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.