Полупроводниковые соединения GaInP, легированные изовалентной примесью Sb
Скачков А.Ф.1
1Открытое акционерное общество "Сатурн", Краснодар, Россия
Поступила в редакцию: 31 июля 2014 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2015 г.
Получены методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs и Ge слои GaInP1-xSbx с различной концентрацией сурьмы. Проведены измерения подвижности носителей зарядов в слоях GaInP1-xSbx при комнатной температуре и при 77 K. Проведены измерения подвижностей носителей зарядов при комнатной температуре в слоях GaInP1-xSbx, дополнительно легированных донорной и акцепторной примесями. Проведено измерение пиков фотолюминесценции GaInP1-xSbx. Определена зависимость влияния сурьмы на ширину запрещенной зоны GaInP и на подвижность носителей зарядов.
- J.M. Olson, D.J. Friedman. Nat. Ren. Energy, 64, 359 (2003)
- C.M. Fetzer, J.H. Ermer. Patent Pub. No.: US 2007/0068572 A1. 2007
- M.C. De Long. Appl. Phys. Lett., 66 (23), 3185 (1995)
- Yu.A. Goldberg. Handbook series on semiconductor parameters (London, World Scientific, 1999) v. 2, p. 37
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук