Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние условий импульсного лазерного осаждения на структурные, электрические и оптические свойства тонких пленок VO₂

Новодворский О.А.¹, Паршина Л.С.¹, Храмова О.Д.¹, Михалевский В.А.¹, Щербачев К.Д.², Панченко В.Я.¹

¹Институт проблем лазерных и информационных технологий РАН, Шатура, Россия Institute on Laser and Information Technologies, Branch of the Federal Scientific Research Centre “Crystallography and Photonics”, Russian Academy of Sciences, Shatura, Russia

Institute on Laser and Information Technologies, Branch of the Federal Scientific Research Centre “Crystallography and Photonics”, Russian Academy of Sciences, Shatura, Russia

²Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия National University of Science and Technology MISiS, Moscow, Russia

National University of Science and Technology MISiS, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 4 сентября 2014 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2015 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом импульсного лазерного осаждения с сепарацией капель факела на монокристаллических подложках сапфира (0001) и кремния (111) получены тонкие пленки VO₂. Установлено влияние плотности энергии на мишени и давления кислорода на структурные и электрические свойства пленок. Все кристаллические пленки VO₂ демонстрируют переходы полупроводник-металл со значительным изменением электрического сопротивления от двух до пяти порядков величины. Исследовано пропускание пленок в диапазоне 200 - 800 нм и отражение в диапазоне 400-700 нм в интервале температур от 20 до 100^oC. Коэффициент пропускания пленок на длинах волн от 300 до 800 нм демонстрирует скачок пропускания и гистерезис при нагреве и охлаждении. Впервые установлено, что характер изменения пропускания пленок на разных длинах волн различается, и вид температурного гистерезиса оптического пропускания в области длин волн видимого и ближнего ультрафиолетовых диапазонов не везде повторяет вид гистерезиса электрического сопротивления пленок VO₂. Различное поведение кривых гистерезиса объясняется изменением поглощения в пленках при варьировании температуры.

D.H. Kim, H.S. Kwok. Appl. Phys. Lett., 65 (25), 3188 (1994)
T. Kikuzuki, R. Takahashi, M. Lippmaa. Phys. Rev. B, 82, 144 113 (2010)
Minah Seo, Jisoo Kyoung, Hyeongryeol Park, Sukmo Koo, Hyun-sun Kim, Hannes Bernien, Bong Jun Kim, Jong Ho Choe, Yeong Hwan Ahn, Hyun-Tak Kim, Namkyoo Park, Q-Han Park, KwangjunAhn, Dai-sik Kim. Nano Lett., 10, 2064 (2010)
M. Rini, Z. Hao, R.W. Schoenlein, C. Giannetti, F. Parmigiani, S. Fourmaux, J.C. Kieffer, A. Fujimori, M. Onoda, S. Wall, A. Cavalleri. Appl. Phys. Lett., 92, 181 904 (2008)
Pragna Kiri, Geoff Hyett, Russell Binions. Adv. Mat. Lett., 1 (2), 86 (2010)
H.K. Kim, H. You, R.P. Chiarello, H.L.M. Chang, T.J. Zhang, D.J. Lam. Phys. Rev. B, 47 (12), 900 (1993)
F.C. Case, J. Vac. Sci. Technol. A, 5, 1762 (1987)
D. Brassard, S. Fourmaux, M. Jean-Jacques, J.C. Kieffer, M.A. El. Khakani. Appl. Phys. Lett., 87, 051 910 (2005)
Y. Ningyi, L. Jinhua, H.L.W. Chan, L. Chenglu. Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process, 78, 777 (2004)
Bong-Jun Kim, Yong Wook Lee, Sungyoul Choi, Byung-Gyu Chae, Hyun-Tak Kim. J. Korean Phys. Soc., 50 (3), 653 (2007)
T. Driscoll, S. Palit, M.M. Qazilbash, M. Brehm, F. Keilmann, Byung-Gyu Chae, Sun-Jin Yun, Hyun-Tak Kim, S.Y. Cho, N. Marie Jokerst, D.R. Smith, D.N. Basov. Appl. Phys. Lett., 93, 024 101 (2008)
А.В. Ильинский, О.Е. Квашенкина, Е.Б. Шадрин. ФТП, 46, 439 (2012)
А.В. Ильинский, О.Е. Квашенкина, Е.Б. Шадрин. ФТП, 46, 1194 (2012)
T.-W. Chiu, Kazuhiko Tonooka, Naoto Kikuchi. Thin Sol. Films, 518, 7441 (2010)
B.G. Chae, D.H. Youn, H.T. Kim, S.L. Maeng, K.Y. Kang. J. Korean Phys. Soc., 44 (4), 884 (2004)
Патент на полезную модель N 89906, опубл. 20.12.2009, бюлл. N 35. О.А. Новодворский, А.А. Лотин, Е.В. Хайдуков. Устройство для лазерно-плазменного напыления
M. Gurvitch, S. Luryi, A. Polyakov, A. Shabalov. J. Appl. Phys., 106, 1 (2009)
K.D. Rogers, J.A. Coath, M.C. Lovell. J. Appl. Phys., 70, 1412 (1991)
M. Borek, F. Qian, V. Nagabushnam, R.K. Singh. Appl. Phys. Lett., 63, 3288 (1993)
E.U. Donev, J.Y. Suh, R. Lopez, L.C. Feldman, R.F. Haglund, jr. Adv. Optoelectron., ID, 739 135 (2008)
Gang Xu, C.-M. Huang, Masato Tazawa, Ping Jin, D.-M. Chen, L. Miao. Appl. Phys. Lett., 93, 061 911 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель