"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование солнечных элементов на основе слоев GaPNAs методом спектроскопии полной проводимости
Баранов А.И.1, Гудовских А.С.1, Зеленцов К.С.1, Никитина Е.В.1, Егоров А.Ю.1
1Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 20 мая 2014 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2015 г.

С помощью метода спектроскопии полной проводимости проведены исследования уровней дефектов в слоях четверного раствора GaPNAs. В легированных слоях n-GaPNAs, выращенных на подложках GaP, обнаружены центры с энергией активации 0.22 эВ и площадью сечения захвата ~2.4·10-15 см2, которые соответствуют ранее известным дефектам в n-GaP SiGa+VP; после отжига их концентрация уменьшается в несколько раз. Для нелегированных слоев GaPNAs, выращенных на подложках Si и GaP, был обнаружен уровень с глубиной залегания 0.23-0.24 эВ и площадью сечения захвата ~9.0·10-20 см2, концентрация этих центров существенно уменьшается в результате отжига, и при температурах отжига >600oC отклик данных дефектов полностью отсутствует. Для нелегированных слоев GaPNAs, выращенных на подложках GaP, также был обнаружен уровень с энергией активации 0.18 эВ и площадью сечения захвата ~1.1·10-16 см2, концентрация этих центров не изменяется после отжига.
  • W. Shan, W. Walukiewicz, K.M. Yu, J. Wu, J.W. Ager, E.E. Haller, H.P. Xin, C.W. Tu. Appl. Phys. Lett., 76, 3251 (2000)
  • I.A. Buyanowa, G. Pozina, J.P. Bergman, W.M. Chen, H.P. Xin, C.W. Tu. Appl. Phys. Lett., 52, 81 (2002)
  • Д.А. Кудряшов, А.С. Гудовских, Е.В. Никитина, А.Ю. Егоров. ФТП, 48 (3), 396 (2014)
  • J.F. Geisz, D.J. Friedman, S.R. Kurtz. 29th IEEE PVSC, (2002) p. 864
  • J.F. Geisz, J.M. Olson, D.J. Friedman, K.M. Jones, R.C. Reedy, M.J. Romero. 31th IEEE PVSC (2005) p. 695
  • А.И. Баранов, А.С. Гудовских, Е.В. Никитина, А.Ю. Егоров. Письма ЖТФ, 39 (24), 88 (2013)
  • I.P. Vorona, T. Mchedlidze, D. Dagnelund, I.A. Buyanova, W.M. Chen, K. Kohler. Phys. Rev. B, 73, 125 204 (2006)
  • N.Q. Thinh, I.P. Vorona, I.A. Buyanova, W.M. Chen, Sukit Limpijumnong, S.B. Zhang, Y.G. Hong, H.P. Xin, C.W. Tu, A. Utsumi, Y. Furukawa, S. Moon, A. Wakahara, H. Yonezu. Phys. Rev. B, 71, 125 209 (2005)
  • D. Dagnelund, I.A. Buyanova, X.J. Wang, W.M. Chen, A. Utsumi, Y. Furukawa, A. Wakahara, H. Yonezu. J. Appl. Phys., 103, 063 519 (2008)
  • D. Dagnelund, Jan Stehr, A.Yu. Egorov, W.M. Chen, I.A. Buyanova. Appl. Phys. Lett., 102, 021 910 (2013)
  • Г.И. Кольцов, С.Ю. Юрчук, В.Д. Алешин, Ю.И. Кунакин. ФТП, 24 (5), 782 (1990)
  • A.V. Skazochkin, Y.K. Krutogolov, Y.I. Kunakin. Semicond. Sci. Technol., 10, 634 (1995)
  • K. Zdansky, J. Zavadil, D. Nohavica, S. Kugler. J. Appl. Phys., 83, 7678 (1998)
  • О.И. Румянцев, П.Н. Брунков, Е.В. Пирогов, А.Ю. Егоров. ФТП, 44 (7), 923 (2010)
  • A. Utsumi, H. Yonezu, Y. Furukawa, K. Momose, K. Kuroki. Phys. Status Solidi C, 0 (7), 2741 (2003)
  • D.L. Loose. J. Appl. Phys., 46 (5), 2204 (1975)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.