Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Светодиодные 1.5-мкм электролюминесцентные излучатели на основе структур p⁺-Si/НК beta-FeSi₂/n-Si

Шамирзаев Т.С.^1,2, Галкин Н.Г.^3,4, Чусовитин Е.А.³, Горошко Д.Л.^3,4, Шевлягин А.В.³, Гутаковский А.К.^1,5, Саранин А.А.^3,4, Латышев А.В.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия Ural Federal University after the first President of Russia B.N. Yeltsin, Yekaterinburg, Russia

Ural Federal University after the first President of Russia B.N. Yeltsin, Yekaterinburg, Russia

³Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук, Владивосток, Россия
⁴Дальневосточный федеральный университет, Владивосток, Россия Far Eastern Federal University, Vladivostok, Russia

Far Eastern Federal University, Vladivostok, Russia

⁵Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 4 августа 2014 г.

Выставление онлайн: 20 марта 2015 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовалась эффективность электролюминесценции (ЭЛ) кремниевых светодиодных структур с несколькими слоями нанокристаллитов beta-FeSi₂ в области p-n-перехода. Нанокристаллиты формировались двумя методами: твердофазной эпитаксии и комбинацией реактивной и твердофазной эпитаксии. Для структур, в которых нанокристаллиты сформированы комбинированным методом, электролюминисценция наблюдается только при низких температурах, менее 70 K, что свидетельствует о высокой концентрации дефектов - центров безызлучательной рекомбинации. При формировании нанокристаллитов методом твердофазной эпитаксии интенсивная электролюминисценция наблюдается вплоть до комнатной температуры. Проанализирована зависимость интенсивности электролюминисценции от размера нанокристаллита.

Silicon Nanophotonics: Basic Principles, Present Status and Perspectives, ed. by L. Khriachtchev (Singapore, Pan Stanford Publishing, 2009) p. 452
W.L. Ng, M.A. Lourenco, R.M. Gwilliam, S. Ledain, G. Shao, K.P. Homewood. Nature, 410, 192 (2001)
J. Bao, M. Tabbal, T. Kim, S. Charnvanichborikarn, J.S. Williams, M.J. Aziz, F. Capasso. Opt. Express, 15, 6727 (2007)
A.A. Shklyaev, F.N. Dultsev, K.P. Mogilnikov, A.V. Latyshev, M. Ichikawa. J. Phys. D: Appl. Phys., 44, 025 402 (2011)
S.V. Obolensky, V.B. Shmagin, V.A. Kozlov, K.E. Kudryavtsev, D.Yu. Remizov, Z. F. Krasilnik. Semicond. Sci. Technol., 21, 1459 (2006)
R.E. Camacho-Aguilera, Y. Cai, N. Patel, J.T. Bessette, M. Romagnoli, L.C. Kimerling, J. Michel. Opt. Express, 20, 11 316 (2012)
M. Suzuno, T. Koizumi, H. Kawakami, T. Suemasu. Jpn. J. Appl. Phys., Pt 1, 49, 04DG16 (2010)
T. Suemasu, Y. Ugajin, S. Murase, T. Sunohara, M. Suzuno. J. Appl. Phys., 101, 124 506 (2007)
M. Ishimaru, K. Omae, I.-T. Bae, M. Naito, Y. Hirotsu, J.A. Valdez, K.E. Sickafus. J. Appl.Phys., 99, 113 527 (2006)
C. Spinella, S. Coffa, C. Bongiorno, S. Pannitteri, M.G. Grimaldi. Appl. Phys. Lett., 76, 173 (2000)
T. Suemasu, Y. Negishi, K. Takakura, F. Hasegawa, T. Chikyow. Appl. Phys. Lett., 79, 1804 (2001)
M.G. Grimaldi, C. Bongiorno, C. Spinella, E. Grilli, L. Martinelli, M. Gemelli, D.B. Migas, L. Miglio, M. Fanciulli. Phys. Rev. B, 66, 085 319 (2002)
S.A. Dotsenko, N.G. Galkin, L.V. Koval', V.O. Polyarnyi, e-J. Surf. Sci. Nanotech., 4, 319 (2006)
N.G. Galkin, E.A. Chusovitin, T.S. Shamirzaev, A.K. Gutakovski, A.V. Latyshev. Thin Solid Films, 519, 8480 (2011)
N.A. Drozdov, A.A. Patrin, V.D. Tkachev. Sov. Phys. JETP Lett., 23, 597 (1976)
G. Davies. Phys. Rep., 176, 83 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель