"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Светодиодные 1.5-мкм электролюминесцентные излучатели на основе структур p+-Si/НК beta-FeSi2/n-Si
Шамирзаев Т.С.1,2, Галкин Н.Г.3,4, Чусовитин Е.А.3, Горошко Д.Л.3,4, Шевлягин А.В.3, Гутаковский А.К.1,5, Саранин А.А.3,4, Латышев А.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Уральский федеральный университет, Екатеринбург, Россия
3Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук, Владивосток, Россия
4Дальневосточный федеральный университет, Владивосток, Россия
5Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 4 августа 2014 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2015 г.

Исследовалась эффективность электролюминесценции (ЭЛ) кремниевых светодиодных структур с несколькими слоями нанокристаллитов beta-FeSi2 в области p-n-перехода. Нанокристаллиты формировались двумя методами: твердофазной эпитаксии и комбинацией реактивной и твердофазной эпитаксии. Для структур, в которых нанокристаллиты сформированы комбинированным методом, электролюминисценция наблюдается только при низких температурах, менее 70 K, что свидетельствует о высокой концентрации дефектов --- центров безызлучательной рекомбинации. При формировании нанокристаллитов методом твердофазной эпитаксии интенсивная электролюминисценция наблюдается вплоть до комнатной температуры. Проанализирована зависимость интенсивности электролюминисценции от размера нанокристаллита.
  • Silicon Nanophotonics: Basic Principles, Present Status and Perspectives, ed. by L. Khriachtchev (Singapore, Pan Stanford Publishing, 2009) p. 452
  • W.L. Ng, M.A. Lourenco, R.M. Gwilliam, S. Ledain, G. Shao, K.P. Homewood. Nature, 410, 192 (2001)
  • J. Bao, M. Tabbal, T. Kim, S. Charnvanichborikarn, J.S. Williams, M.J. Aziz, F. Capasso. Opt. Express, 15, 6727 (2007)
  • A.A. Shklyaev, F.N. Dultsev, K.P. Mogilnikov, A.V. Latyshev, M. Ichikawa. J. Phys. D: Appl. Phys., 44, 025 402 (2011)
  • S.V. Obolensky, V.B. Shmagin, V.A. Kozlov, K.E. Kudryavtsev, D.Yu. Remizov, Z. F. Krasilnik. Semicond. Sci. Technol., 21, 1459 (2006)
  • R.E. Camacho-Aguilera, Y. Cai, N. Patel, J.T. Bessette, M. Romagnoli, L.C. Kimerling, J. Michel. Opt. Express, 20, 11 316 (2012)
  • M. Suzuno, T. Koizumi, H. Kawakami, T. Suemasu. Jpn. J. Appl. Phys., Pt 1, 49, 04DG16 (2010)
  • T. Suemasu, Y. Ugajin, S. Murase, T. Sunohara, M. Suzuno. J. Appl. Phys., 101, 124 506 (2007)
  • M. Ishimaru, K. Omae, I.-T. Bae, M. Naito, Y. Hirotsu, J.A. Valdez, K.E. Sickafus. J. Appl.Phys., 99, 113 527 (2006)
  • C. Spinella, S. Coffa, C. Bongiorno, S. Pannitteri, M.G. Grimaldi. Appl. Phys. Lett., 76, 173 (2000)
  • T. Suemasu, Y. Negishi, K. Takakura, F. Hasegawa, T. Chikyow. Appl. Phys. Lett., 79, 1804 (2001)
  • M.G. Grimaldi, C. Bongiorno, C. Spinella, E. Grilli, L. Martinelli, M. Gemelli, D.B. Migas, L. Miglio, M. Fanciulli. Phys. Rev. B, 66, 085 319 (2002)
  • S.A. Dotsenko, N.G. Galkin, L.V. Koval', V.O. Polyarnyi, e-J. Surf. Sci. Nanotech., 4, 319 (2006)
  • N.G. Galkin, E.A. Chusovitin, T.S. Shamirzaev, A.K. Gutakovski, A.V. Latyshev. Thin Solid Films, 519, 8480 (2011)
  • N.A. Drozdov, A.A. Patrin, V.D. Tkachev. Sov. Phys. JETP Lett., 23, 597 (1976)
  • G. Davies. Phys. Rep., 176, 83 (1989)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.