"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Температурная зависимость времени жизни носителей заряда в узкощелевых твердых растворах CdxHg1-xTe: учет оже-процессов
Баженов Н.Л., Мынбаев К.Д.1,2, Зегря Г.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 23 июля 2014 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2015 г.

В рамках микроскопической модели анализируется температурная зависимость времени жизни носителей заряда в твердых растворах CdxHg1-xTe в температурном диапазоне 5<T<300 K для составов с узкой запрещенной зоной. Основное внимание уделено анализу механизма оже-рекомбинации, который определяет время жизни при высоких температурах. Выполнен расчет скорости оже-рекомбинации с учетом особенностей зонной структуры узкощелевого полупроводника в рамках микроскопической теории. Показано, что строгий учет непараболичности энергетического спектра носителей заряда в рамках модели Кейна приводит к существенно другой температурной зависимости скорости оже-рекомбинации по сравнению с полученной в рамках подхода, в котором непараболичность не учитывается.
  • К. Зеегер. Физика полупроводников (М., Мир, 1977)
  • Д.Г. Икусов, Ф.Ф. Сизов, С.В. Старый, В.В. Тетеркин. ФТП, 41, 134 (2007)
  • Дж. Блекмор. Статистика электронов в полупроводниках (М., Мир, 1964)
  • В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках (СПб., ПИЯФ им. Б.П. Константинова, 1997)
  • Б.Л. Гельмонт. ФТП, 15, 1316 (1981)
  • T.N. Casselman. J. Appl. Phys., 52, 848 (1981)
  • S. Krishnamurthy, A. Sher, A.-B. Chen. J. Appl. Phys., 82, 5540 (1997)
  • Y. Chang, C.H. Grein, J. Zhao, C.R. Becker, M.E. Flatte, P.-K. Liao, F. Aqariden, S. Sivananthan. Appl. Phys. Lett., 93, 192 111 (2008)
  • C.H. Grein, M.E. Flatt, Y. Chang. J. Electron. Mater., 37, 1415 (2008)
  • L. Mollard, G. Bourgeois, C. Lobre, S. Gout, S. Viollet-Bosson, N. Baier, G. Destefanis, O. Gravrand, J.P. Barnes, F. Milesi, A. Kerlain, L. Rubaldo, A. Manissadjian. J. Electron. Mater., 43, 802 (2014)
  • K. Jozwikowski, M. Kopytko, A. Rogalski. J. Appl. Phys., 112, 033 718 (2012)
  • S.V. Morozov, V.V. Rumyantsev, A.V. Antonov, K.V. Maremyanin, K.E. Kudryavtsev, L.V. Krasilnikova, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V.I. Gavrilenko. Appl. Phys. Lett., 104, 072 102 (2014)
  • К.Д. Мынбаев, Н.Л. Баженов, А.В. Шиляев, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, В.Г. Ремесник, В.С. Варавин. ЖТФ, 83 (10), 147 (2013)
  • F. Bertazzi, M. Goano, E. Bellotti. J. Electron. Mater., 40, 1663 (2011)
  • Б.Л. Гельмонт. ЖЭТФ, 75 (2(8)), 536 (1978)
  • Л.Е. Воробьев, С.Н. Данилов, Г.Г. Зегря, Д.А. Фирсов, В.А. Шалыгин, И.Н. Яссиевич, Е.В. Берегулин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках и размерно-квантованных структурах. (СПб., Наука, 2001)
  • Г.Г. Зегря, В.А. Харченко. ЖЭТФ, 101 (1), 327 (1992)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.