Вышедшие номера
Наблюдение прямозонной электролюминесценции из GaAs-структуры с квантовыми ямами Ge
Алешкин В.Я.1,2, Дикарева Н.В.3, Дубинов А.А.1,2, Звонков Б.Н.3, Кудрявцев К.Е.1,2, Некоркин С.М.3
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 23 мая 2014 г.
Выставление онлайн: 20 января 2015 г.

С использованием метода лазерного распыления выращена светодиодная структура на основе GaAs с 8 узкими квантовыми ямами Ge. Обнаружена линия электролюминесценции с преимущественно параллельной слоям структуры поляризацией, соответствующая прямым в импульсном пространстве оптическим переходам в квантовых ямах Ge.