Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование delta-легированных марганцем гетеронаноструктур InGaAs/GaAs методом спектроскопии комбинационного рассеяния света
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 23 мая 2014 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2014 г.
Представлены результаты комплексных исследований delta-легированных марганцем гетеронаноструктур InGaAs/GaAs, выращенных сочетанием МОС-гидридной эпитаксии и лазерного осаждения. Методом конфокальной спектроскопии комбинационного рассеяния света показано, что delta-легированные низкотемпературные покровные слои GaAs демонстрируют более высокое кристаллическое качество, чем однородно легированные. Обнаружено рассеяние света на связанной фонон-плазмонной моде, появление которой обусловлено диффузией марганца из delta-слоя. Определена толщина покровного слоя dc~9-20 нм, оптимальная для получения максимальных интенсивности фотолюминесценции квантовой ямы и слоевой концентрации дырок вследствие легирования марганцем.
- H. Onho. J. Magn. Magn. Mater., 200, 110 (1999)
- С.В. Зайцев, М.В. Дорохин, А.С. Бричкин, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Б.Н. Звонков, В.Д. Кулаковский. Письма в ЖЭТФ, 90 (10), 730 (2009)
- О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, М.В. Дорохин, Б.Н. Звонков, И.Л. Калентьева, А.В. Кудрин. Письма в ЖТФ, 35 (14), 8 (2009)
- М.В. Дорохин, С.В. Зайцев, А.С. Бричкин, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Б.Н. Звонков, В.Д. Кулаковский, М.М. Прокофьева, А.Е. Шолина. ФТТ, 52 (11), 2147 (2010)
- Yu.A. Danilov, M.N. Drozdov, Yu.N. Drozdov, A.V. Kudrin, O.V. Vikhrova, B.N. Zvonkov, I.L. Kalentieva, V.S. Dunaev. J. Spintronics and Magnetic Nanomater., 1, 82 (2012)
- О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, Б.Н. Звонков, И.Л. Калентьева, А.В. Кудрин, В.И. Шашкин. Материалы XIII Междунар. симп. Нанофизика и наноэлектроника (Н. Новгород, Россия, 2009) т. 2, с. 484
- Б.Н. Звонков, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, П.Б. Демина, А.В. Кудрин, В.П. Лесников, В.В. Подольский. Нанотехника, (1), 32 (2008)
- Л.П. Авакянц, В.С. Горелик, И.А. Китов, А.В. Червяков. ФТТ, 35 (5), 1353 (1993)
- А.П. Горшков, И.А. Карпович, Е.Д. Павлова, И.Л. Калентьева. ФТП, 46 (2), 194 (2012)
- J. Groenen, R. Carles, G. Landa, C. Guerret-Piecourt, C. Fontaine, M. Gendry. Phys. Rev. B., 58 (16), 10 452 (1998)
- B.B. Varga. Phys. Rev., 137, A1896 (1965)
- A. Mooradian, G.B. Wright. Phys. Rev. Lett., 16, 999 (1966.)
- П.Ю.М. Кардона. Основы физики полупроводников [Пер. с англ.: И.И. Решиной, под ред. Б.П. Захарчени (М., Физматлит, 2002) гл. 6, с. 301]
- Л.А. Фальковский. ЖЭТФ, 123 (2), 378 (2003)
- W. Limmer, M. Glunk, S. Mascheck, A. Koeder, D. Klarer, W. Schoch, K. Thonke, R. Sauer, A. Waag. Phys. Rev. B., 66, 205209 (2002)
- G. Irmer, M. Wenzel, J. Monecke. Phys.Rev. B., 56 (15), 9524 (1997)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
