Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Перенос носителей заряда через тонкую базу гетеробиполярного транзистора при радиационном воздействии

Пузанов А.С.¹, Оболенский С.В.¹, Козлов В.А.^1,2

¹Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

²Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Поступила в редакцию: 23 мая 2014 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2014 г.

PDF версия

Теоретически исследован транспорт электронов в гетеробиполярных транзисторах с радиационными дефектами, в условиях, когда характерные размеры кластеров дефектов и расстояний между ними могут быть сопоставимы или даже превосходить размеры базы прибора. Показано, что при определенных уровнях воздействия нейтронное облучение может привести к уменьшению времени пролета базы горячими электронами, что замедляет деградацию параметров транзисторов.

В.А. Гергель, В.Г. Мокеров, М.В. Тимофеев, Ю.В. Федоров. ФТП, 34, 239 (2000)
O. Hansen. Sol. St. Electron., 37, 1663 (1994)
Э. Конуэлл. Кинетические свойства полупроводников в сильных электрических полях (М., Мир, 1970)
Ю.К. Пожела. Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках (М., Наука, 1977)
В.Ф. Гантмахер, И.Б. Левинсон. Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках (М., Наука, 1984)
В.М. Кулаков, Е.А. Ладыгин, В.И. Шаховцов, Э.Н. Вологдин, Ю.Н. Андреев. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники (М., Сов. радио, 1980)
Зулиг Р. В кн.: Арсенид галлия в микроэлектронике, под ред. Н. Айспрука, У. Уиссмена (М., Мир, 1988)
В.С. Вавилов. Действие излучений на полупроводники (М., Физматгиз, 1963)
B.R. Gossik. J. Appl. Phys., 30, 1214 (1959)
J.P. Biersak et al. Nucl. Instrum. Meth., 174, 257 (1980)
В.Т. Громов, М.А. Китаев, Е.В. Киселева, В.А. Козлов, С.В. Оболенский, В.П. Шукайло. Микроэлектроника, 34, 424 (2005)
В.К. Киселев, С.В. Оболенский, А.С. Пузанов, А.В. Скупов. Журн. радиоэлектроники, 2, 1 (2014)
Н.В. Демарина, С.В. Оболенский. ЖТФ, 72, 66 (2002)
D.L. Pulfrey, A.R. St. Denis, M. Vaidyanathan. Proc. IEEE COMMAD-98, Perth, W. Australia, 81-85, 1999
С.В. Оболенский. Микроэлектроника, 33, 153 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель