Вышедшие номера
Матрица проводимости мультиконтактных полупроводниковых структур с краевыми каналами
Даниловский Э.Ю.1, Баграев Н.Т.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 2014 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2014 г.

Предложен метод определения матрицы проводимости мультиконтактных полупроводниковых структур с краевыми каналами. В основе метода лежит решение системы линейных алгебраических уравнений на базе уравнений Кирхгофа, составленных из разностей потенциалов Uij, измеренных при стабилизации токов Ikl, где i, j, k, l - номера контактов. Матрица, полученная в результате решения системы уравнений, полностью описывает исследуемую структуру, отражая ее геометрию и однородность. Данный метод может найти широкое применение при использовании известного формализма Ландауэра-Буттикера для анализа транспорта носителей в режимах квантового эффекта Холла и квантового спинового эффекта Холла. В рамках предлагаемого метода учитывается вклад сопротивления контактных площадок, Rc, в формирование элементов матрицы проводимости. Рассматриваются возможности практического применения полученных результатов при разработке аналоговых криптографических устройств.