Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Ионная имплантация фосфора как метод пассивации состояний на границе раздела 4H-SiC и SiO2, полученного термическим окислением в атмосфере сухого кислорода
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия 
2Acreo Swedish ICT AB, Kista, Sweden
3Ascatron AB, Kista, Sweden
4Friedrich-Alexander-Universitat Erlangen-Nurnberg, Erlangen, Germany
2Acreo Swedish ICT AB, Kista, Sweden
3Ascatron AB, Kista, Sweden
4Friedrich-Alexander-Universitat Erlangen-Nurnberg, Erlangen, Germany
Поступила в редакцию: 3 июня 2014 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2014 г.
Предложен метод снижения плотности поверхностных состояний на границе раздела 4H-SiC/SiO2 путём имплантации ионов фосфора в эпитаксиальный слой 4H-SiC непосредственно перед термическим ростом подзатворного диэлектрика в атмосфере сухого кислорода. Значительное снижение плотности поверхностных состояний наблюдается при концентрации ионов фосфора на интерфейсе SiO2/SiC, превышающей 1018 см-3. Однако наряду с пассивацией поверхностных состояний внедрение ионов фосфора приводит к увеличению встроенного заряда в диэлектрике, а также незначительно снижает надежность подзатворного диэлектрика, изготовленного по данной технологии.
- П.А. Иванов, М.Е. Левинштейн, Т.Т. Мнацаканов, J.W. Palmour, A.K. Agarwal. ФТП, 39, 897 (2005)
- R. Schorner, P. Friedrichs, D. Peters, D. Stephani. IEEE Electron. Dev. Let., 20, 241 (1999)
- L.K. Swanson, P. Fiorenza, F. Gianazzo, A. Frazzetto, F. Roccaforte. Appl. Phys. Lett., 101, 193 501 (2012)
- H. Li, S. Dimitrijev, H.B. Harrison, D. Sweatman. Appl. Phys. Lett., 70, 2028 (1997)
- G.Y. Chung, C.C. Tin, J.R. Williams, K. McDonald, M. Di Ventra, S.T. Pantelides, L.C. Feldman, R.A. Weller. Appl. Phys. Lett., 76, 1713 (2000)
- D. Okamoto, H. Yano, K. Hirata, T. Hatayama, T. Fuyuki. IEEE Electron. Dev. Lett., 31, 710 (2010)
- M. Krieger, S. Beljakowa, L. Trapaidze, T. Frank, H.B. Weber, G. Pensl, N. Hatta, M. Abe, H. Nagasawa, A. Schoner. Silicon Carbide (WILEY-VCH, Weinheim, 2010) vol. 1, p 363
- A.F. Basile, S. Dhar, P.M. Mooney. J. Appl. Phys., 109, 114 505 (2011)
- D. Okamoto, H. Yano, T. Hatayama, T. Fuyuki. Mater. Sci. Forum, 645--648, 495 (2010)
- P. Friedrichs, E.P. Burte, R. Schorner. J. Appl. Phys., 79, 10 (1996)
- G. Pensl, S. Beljakowa, T. Frank, K. Gao, F. Speck, T. Seyller, L. Ley, F. Ciobanu, V. Afanas'ev, A. Stesmans, T. Kimoto, A. Shoner. Phys. Status. Solidi B, 245 (7), 1378 (2008)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
