Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2014, выпуск 11 » Статья стр. 1555
<<<>>>
Спектральные особенности фотоответа структур с наночастицами кремния
Кен О.С.1, Андроников Д.А.1, Явсин Д.А.1, Кукин А.В.1, Данилов С.Н.2, Смирнов А.Н.1, Сресели О.М.1, Гуревич С.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Университет Регенсбурга, Регенсбург, Германия
Поступила в редакцию: 10 июня 2014 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2014 г.
PDF версия
Исследованы спектральные характеристики фотоответа гетероструктур со слоями плотноупакованных аморфных наночастиц кремния, полученных методом лазерного электродиспергирования. Структуры характеризуются выпрямляющими свойствами. Отжиг на воздухе приводит к появлению в слоях наночастиц оксида кремния, кроме того, происходит частичная кристаллизация наночастиц. Спектральные характеристики фотоответа гетероструктур обладают рядом особенностей. По сравнению со стандартными кремниевыми фотодиодами спектр чувствительности исследованных структур сдвинут в коротковолновую область, причем сдвиг увеличивается после отжига. Структуры с отожженным слоем наночастиц обладают чувствительностью в области 350-600 нм, более чем на порядок превышающей чувствительность неотожженных структур. Этот эффект может быть связан с транзисторным усилением в структуре.
  1. A.J. Nozik. In: Next Generation Photovoltaics, ed. by A. Mart\`i, A. Luque (Bristol and Philadelphia, IOP Publishing Ltd, 2004) p. 196
  2. V.M. Kozhevin, D.A. Yavsin, V.M. Kouznetsov, V.M. Busov, V.M. Mikushkin, S.Yu. Nikonov, S.A. Gurevich, A. Kolobov. J. Vac. Sci. Technol. B, 18, 1402 (2000)
  3. С.А. Гуревич, Д.А. Андроников, В.Ю. Давыдов, В.М. Кожевин, И.В. Макаренко, А.Н. Титков, Д.А. Явсин, Т.Л. Кулова, А.М. Скундин. Труды XIV международного симпозиума Нанофизика и наноэлектроника" (Н. Новгород, Россия, 2009) с. 333
  4. O.S. Yeltsina, D.A. Andronikov, A.V. Kukin, J.S. Vainshtein, O.M. Sreseli. Physica Status Solidi C, 9, 1471 (2012)
  5. D.M. Zhigunov, V.N. Seminogov, V.Yu. Timoshenko, V.I. Sokolov, V.N. Glebov, A.M. Malyutin, N.E. Maslova, O.A. Shalygina, S.A. Dyakov, A.S. Akhmanov, V.Ya. Panchenko, P.K. Kashkarov. Physica E, 41, 1006 (2009)
  6. В.В. Забродский, В.П. Белик, П.Н. Аруев, Б.Я. Бер, С.В. Бобашев, М.В. Петренко, В.Л. Суханов. Письма ЖТФ, 38 (17), 69 (2012)
  7. P.G. Pai, S.S. Chao, Y. Takagi, G. Lucovsky. J. Vac. Sci. Technol. A, 4, 689 (1986)
  8. G. Allan, C. Delerue, M. Lannoo. Phys. Rev. Lett., 78, 3161 (1997)
  9. А. Роуз. Основы теории фотопроводимости (М., Мир, 1966) с. 91
  10. J.S. Vainshtein, O.S. Yeltsina, E.I. Terukov, O.M. Sreseli. Physica E, 49, 72 (2013)
  11. K. Nishio, J. Koga, T. Yamaguchi, F. Yonezawa. Phys. Rev. B, 67, 195 304 (2003)
  12. И.В. Грехов, М.И. Векслер, П.А. Иванов, Т.П. Самсонова, А.Ф. Шулекин. ФТП, 32 (9), 1145 (1998)
  13. J.-M. Shieh, Y.-F. Lai, W.-X. Ni et al. Appl. Phys. Lett., 90, 051 105 (2007)
  14. D. Timmerman, I. Izeddin, P. Stallinga, I.N. Yassievich, T. Gregorkiewicz. Nature Photonics, 2, 105 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme