"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Мощные светодиодные кристаллы AlGaInN с двухуровневой металлизацией
Закгейм Д.А.1,2, Иткинсон Г.В.2, Кукушкин М.В.2, Марков Л.К.1,2, Осипов О.В.2, Павлюченко А.С.1, Смирнова И.П.1,2, Черняков А.Е.3, Бауман Д.А.4
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2ООО "НТС Инновации", Санкт-Петербург, Россия
3НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4ЗАО "Светлана-Оптоэлектроника", Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 декабря 2013 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2014 г.

Сообщается о разработке и изготовлении мощного светодиодного флип-чип кристалла AlGaInN с новой топологией расположения контактных площадок. Использование двухуровневой схемы расположения металлизации с промежуточным изолирующим слоем диэлектрика позволило значительно повысить эффективность использования площади гетероструктуры (до 78%). Применение численного моделирования растекания тока при разработке топологии кристалла позволило достичь высокой однородности распределения тока накачки по площади активной области, а также низких значений дифференциального сопротивления (0.3 Ом). На основе разработанных кристаллов были изготовлены светодиоды с максимальным значением внешней квантовой эффективности 60% и выходной оптической мощностью 542 мВт при рабочем токе накачки 350 мА.
  • Ф. Шуберт. Светодиоды (М., Физматлит, 2009) с. 10
  • A.Y. Kim, W. Gotz, D.A. Seigerwald, J.J. Wierer, N.F. Gardner, J. Sun, S.A. Stockman, P.S. Martin, M.R. Krames, R.S. Kern, F.M. Steranka. Phys. Status Solidi A, 188, 15 (2001)
  • M.H. Kim, M.F. Schubert, Q. Dai, J.K. Kim, E.F. Schubert, J. Piprek, Y. Park. Appl. Phys. Lett., 91, 183 507 (2007)
  • А.Л. Закгейм, Г.Л. Курышев, М.Н. Мизеров, В.Г. Половинкин, И.В. Рожанский, А.Е. Черняков. ФТП, 44 (3), 390 (2010)
  • Д.А. Закгейм, И.П. Смирнова, И.В. Рожанский, С.А. Гуревич, М.М. Кулагина, Е.М. Аракчеева, Г.А. Онушкин, А.Л. Закгейм, Е.Д. Васильева, Г.В. Иткинсон. ФТП, 39 (7), 885 (2005)
  • И.П. Смирнова, Д.А. Закгейм, М.М. Кулагина, Е.М. Аракчеева. Тез. докл. 5-й Всеросс. конф. (М., 2007) с. 63
  • Л.К. Марков, И.П. Смирнова, А.С. Павлюченко, Е.М. Аракчеева, М.М. Кулагина. ФТП, 43 (11), 1564 (2009)
  • M. Donofrio, J. Ibbetson, Z.J. Yao. Patent US 8,368,100 B2, (Feb. 5, 2013)
  • Л.К. Марков, И.П. Смирнова, А.С. Павлюченко, М.В. Кукушкин, Е.Д. Васильева, А.Е. Черняков, А.С. Усиков. ФТП, 47 (3), 386 (2013)
  • Л.И. Майссел, Р. Глэнг. Технология тонких пленок (М., Сов. радио, 1977) т. 2, с. 305
  • D.S. Wuu, W.K. Wang, K.S. Wen, S.C. Huang, S.H. Lin, R.H. Horng, Y.S. Yu, M.H. Pan. J. Electrochem. Soc., 153, G765 (2006)
  • D.A. Zakheim, A.S. Pavluchenko, D.A. Bauman. Phys. Status Solidi C, 8, 2340 (2011)
  • D.A. Zakheim, A.S. Pavluchenko, D.A. Bauman, K.A. Bulashevich, O.V. Khokhlev, S.Yu. Karpov. Phys. Status Solidi A, 209, 456 (2012)
  • Л.К. Марков, И.П. Смирнова, А.С. Павлюченко, Е.М. Аракчеева, М.М. Кулагина. ФТП, 43 (11), 1564 (2009)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.