"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Сбор фотоносителей в высокоомных кремниевых аморфно-кристаллических гетероструктурах
Котина И.М.1, Данишевский А.М.2, Коньков О.И.2, Теруков Е.И.2,3, Тухконен Л.М.1
1Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Гатчина, Ленинградская область, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 декабря 2013 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2014 г.

Pассматривается механизм электронного транспорта в аморфно-кристаллических гетероструктурах, созданных на основе высокоомного p-кремния, с целью объяснения особенностей экспериментальных спектров фоточувствительности указанных структур, приготовленных на подложках с различным удельным сопротивлением. Выясняется причина образования инверсионного слоя на гетерогранице в данных структурах и влияние удельного сопротивления на величину поверхностных потенциалов. Приведены нетривиальные данные о влиянии работы выхода металлических контактов к аморфной пленке на механизм образования фототока.
  • L. Korte, E. Conrad, H. Angermann, R. Stangl, M. Schmidt. Solar Energy Mater. \& Solar Cells, 93, 905 (2009)
  • Q. Wang, M.R. Page, E. Iwaniczko, Y. Xu, L. Roybal, R. Bauer, B. To, H.-C. Yuan, A. Duda, F. Hasoon, Y.F. Yan, D. Levi, D. Meier, Howard M. Branz, T.H. Wang. Appl. Phys. Lett., 96, 013 507 (2010)
  • A. Descoeudres, Z. Holman, L. Barraud, S. Morel, S. De Wolf, C. Ballif. IEEE J. Photovolt., 3, 83 (2013)
  • M. Zeman, D. Zhang. Physics and Technology of Amorphous--Crystalline Heterostructure Silicon Solar Cells, ed. by W.G.J.H.M. van Sark, F. Roca, L. Korte (Springer-Verlag, Berlin Heidelberg, 2012) p. 13
  • V.V. Avdeichikov. Nucl. Instr. Meth., 155, 125 (1978)
  • Y. Chiba, I. Endo, M. Kubota, T. Ohsugi, S. Orada, S. Asai, N. Hirata, J. Kitano, T. Ohta, K. Seki, T. Yokojama, M. Yobe, F. Takasaki. Nucl. Instr. Meth. A, 299, 152 (1990)
  • Н.П. Афанасьева, А.М. Данишевский, А.В. Дербин, И.М. Котина и др. Препринт ЛИЯФ N 1759 (1991)
  • А.М. Данишевский, И.М. Котина, О.И. Коньков, Е.И. Теруков, Л.М. Тухконен. Письма ЖТФ, 40 (9), 72 (2014)
  • А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник (M., Мир, 1975)
  • H. Matsuura. J. Appl. Phys., 64, 1964 (1988)
  • В.П. Афанасьев, М.М. Бадредин-Миргхани, Г.А. Коноплев, А.В. Семенов. Сб. трудов VIII международной конф. " Аморфные и микрокристаллические полупроводники" (СПб., изд-во Политехн. ун-та, 2012) с. 47
  • С. Зи. Физика полупроводниковых приборов, т. 1 (M., Мир, 1984)
  • S.S. Georgiev, A. Toneva, D. Sueva. Solar Energy Mater. \& Solar Cells, 58, 387 (1999)
  • В.А. Зуев, В.Т. Попов. Фотоэлектрические МДП приборы (M., Радио и связь, 1983)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.