"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Сбор фотоносителей в высокоомных кремниевых аморфно-кристаллических гетероструктурах
Котина И.М.1, Данишевский А.М.2, Коньков О.И.2, Теруков Е.И.2,3, Тухконен Л.М.1
1Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Гатчина, Ленинградская область, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 декабря 2013 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2014 г.

Pассматривается механизм электронного транспорта в аморфно-кристаллических гетероструктурах, созданных на основе высокоомного p-кремния, с целью объяснения особенностей экспериментальных спектров фоточувствительности указанных структур, приготовленных на подложках с различным удельным сопротивлением. Выясняется причина образования инверсионного слоя на гетерогранице в данных структурах и влияние удельного сопротивления на величину поверхностных потенциалов. Приведены нетривиальные данные о влиянии работы выхода металлических контактов к аморфной пленке на механизм образования фототока.
  1. L. Korte, E. Conrad, H. Angermann, R. Stangl, M. Schmidt. Solar Energy Mater. \& Solar Cells, 93, 905 (2009)
  2. Q. Wang, M.R. Page, E. Iwaniczko, Y. Xu, L. Roybal, R. Bauer, B. To, H.-C. Yuan, A. Duda, F. Hasoon, Y.F. Yan, D. Levi, D. Meier, Howard M. Branz, T.H. Wang. Appl. Phys. Lett., 96, 013 507 (2010)
  3. A. Descoeudres, Z. Holman, L. Barraud, S. Morel, S. De Wolf, C. Ballif. IEEE J. Photovolt., 3, 83 (2013)
  4. M. Zeman, D. Zhang. Physics and Technology of Amorphous--Crystalline Heterostructure Silicon Solar Cells, ed. by W.G.J.H.M. van Sark, F. Roca, L. Korte (Springer-Verlag, Berlin Heidelberg, 2012) p. 13
  5. V.V. Avdeichikov. Nucl. Instr. Meth., 155, 125 (1978)
  6. Y. Chiba, I. Endo, M. Kubota, T. Ohsugi, S. Orada, S. Asai, N. Hirata, J. Kitano, T. Ohta, K. Seki, T. Yokojama, M. Yobe, F. Takasaki. Nucl. Instr. Meth. A, 299, 152 (1990)
  7. Н.П. Афанасьева, А.М. Данишевский, А.В. Дербин, И.М. Котина и др. Препринт ЛИЯФ N 1759 (1991)
  8. А.М. Данишевский, И.М. Котина, О.И. Коньков, Е.И. Теруков, Л.М. Тухконен. Письма ЖТФ, 40 (9), 72 (2014)
  9. А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник (M., Мир, 1975)
  10. H. Matsuura. J. Appl. Phys., 64, 1964 (1988)
  11. В.П. Афанасьев, М.М. Бадредин-Миргхани, Г.А. Коноплев, А.В. Семенов. Сб. трудов VIII международной конф. " Аморфные и микрокристаллические полупроводники" (СПб., изд-во Политехн. ун-та, 2012) с. 47
  12. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов, т. 1 (M., Мир, 1984)
  13. S.S. Georgiev, A. Toneva, D. Sueva. Solar Energy Mater. \& Solar Cells, 58, 387 (1999)
  14. В.А. Зуев, В.Т. Попов. Фотоэлектрические МДП приборы (M., Радио и связь, 1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.