"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электрические свойства тонкопленочных полупроводниковых гетеропереходов n-TiO2/p-CuInS2
Брус В.В.1, Орлецкий И.Г.1, Илащук М.И.1, Марьянчук П.Д.1
1Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича (кафедра электроники и энергетики), Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 10 октября 2013 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2014 г.

Изготовлены анизотипные тонкопленочные гетеропереходы n-TiO2/p-CuInS2 с использованием методов спрей-пиролиза и реактивного магнетронного распыления на постоянном напряжении. Проведен анализ электрических и оптических свойств тонких пленок CuInS2, напыленных методом спрей-пиролиза при строго контролируемых режимах. Также исследованы электрические свойства тылового контакта Мо/CuInS2 с помощью измерений трехзондовым методом. Установлен доминирующий механизм токопереноса в тонкопленочных гетеропереходах n-TiO2/p-CuInS2 при прямом и обратном смещениях, который хорошо интерпретируется в рамках туннельно-рекомбинационной модели с участием поверхностных состояний на гетерогранице и дефектов в области пространственного заряда.
  1. Ж.И. Алфёров. ФТП, 32, 3 (1998)
  2. T.M. Razikov, C.S. Ferekides, D. Morel, E. Stefanakos, H.S. Ullal, H.M. Upadyaya. Sol. Energy, 85, 1580 (2011)
  3. Y. Yan, Y. Liu, L. Fang, J. Zhu, H. Zhao, D. Li, Z. Lu, S. Zhou. Trans. Nonferrous Met. Soc. China, 18, 1083 (2008)
  4. P. Juan Manuel, M. Arturo, O. Mauricio. Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 93, 544 (2009)
  5. A. Goossens, J. Hofhuis. Nanotechnology, 19, 424 018 (2008)
  6. U. Diebold. Surf. Sci. Reports, 43, 53 (2003)
  7. V.V. Brus, L.J. Pidkamin, S.L. Abashin, Z.D. Kovalyuk, P.D. Maryanchuk, O.M. Chugai. Optical Mater., 34, 1940 (2012)
  8. V.V. Brus, M.I. Ilashchuk, Z.D. Kovalyuk, P.D. Maryanchuk. Semicond. Sci. Technol., 27, 055 008 (2012)
  9. V.V. Brus, M.I. Ilashchuk, Z.D. Kovalyuk, P.D. Maryanchuk, O.A. Parfenyuk. Semicond. Sci. Technol., 28, 015 014 (2013)
  10. А.И. Мостовой, В.В. Брус, П.Д. Марьянчук. ФТП, 47, 788 (2013)
  11. J. Hofhuis, J. Schoonman, A. Goossens. J. Appl. Phys., 103, 014 503 (2008)
  12. R. O'Hayre, M. Nanu, J. Schoonman, A. Goossens, Q. Wang, M. Gratzel. Adv. Funct. Mater., 16, 1566 (2006)
  13. В.В. Брус, З.Д. Ковалюк, П.Д. Марьянчук, И.Г. Орлецкий, Э.В. Майструк. Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 89, 61 (2010)
  14. К.В. Шалимова. Физика полупроводников (М., Энергоатомиздат, 1985)
  15. A.R. Riben, D.L. Feucht. Sol. St. Electron., 9, 1055 (1966)
  16. A.R. Riben, D.L. Feucht. Int. J. Electron., 20, 583 (1966)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.