"Физика и техника полупроводников"

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2020
- 1 2
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Компенсация проводимости n-4H-SiC (CVD) при облучении электронами с энергией 0.9 МэВ

Козловский В.В.¹, Лебедев А.А.², Ломасов В.Н.¹, Богданова Е.В.², Середова Н.В.²

¹Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 19 декабря 2013 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2014 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методами вольт-фарадных характеристик и фотолюминесценции исследовано воздействие электронного облучения в n-4H-SiC. Обнаружено, что скорость удаления носителей составила V_d~0.25 см^-1. Полная компенсация проводимости образцов с исходной концентрацией (1-2)· 10¹⁵ см^-2 наблюдалась при дозах облучения ~5· 10¹⁵ см^-2. Одновременно с ростом компенсации увеличивалась интенсивность характерной для 4H-SiC "дефектной" люминесценции. Проведено сравнение параметров образца до облучения и после облучения и отжига. Анализируются физические механизмы компенсации исследовавшихся образцов.

M. Weidner, T. Frank, G. Pensl, A. Kawasuso, H. Itoh, R. Krause-Rehberg. Physica B, 308--310, 633 (2001)
L. Storasta, J.P. Bergman, E. Janzen, A. Henry, J. Li. J. Appl. Phys., 96, 4909 (2004)
G. Alferi, E.V. Monakhov, B.G. Svensson, A.Hallen. J.Appl.Phys., 98, 113 524 (2005)
A. Castaldini, A. Cavallini, L. Rigutti, F. Nava, S. Ferrero, F. Giorgis. J. Appl. Phys., 98 053 706 (2005)
M. Asghar, I. Hussain, N.S. Noor, F. Iqbal, Q. Wahab, A.S. Bhatti. J. Appl. Phys., 101, 073 706 (2007)
H. Kaneko, T. Kimoto. Appl. Phys. Lett., 98, 262 106 (2011)
F.C. Beyer, C. Hemmingsson, H. Pedersen, A. Henry, E. Janzen, J. Isoya, N. Morishita, T. Ohshima. J. Appl. Phys., 109, 103 703 (2011)
А.А. Лебедев. ФТП, 33 (2), 129 (1999)
D. Aberg, A. Hallen, P. Pellegrino, B.G. Swensson. Appl. Phys. Lett., 78, 2908 (2001)
А.А. Лебедев, В.В. Козловский, Н.Б. Строкан, Д.В. Давыдов, А.М. Иванов, А.М. Стрельчук, Р. Якимова. ФТП, 36 (11), 1354 (2002)
M. Mikelsen, U. Grossner, J.H. Bleka, E.V. Monakhov, B.G. Svensson, R. Yakimova, A. Henry, E. Janzen, A.A. Lebedev. Mater. Sci. Forum, 600--603, 425 (2009)
D.V. Davydov, A.A. Lebedev, V.V. Kozlovski, N.S. Savkina, A.M. Strel'chuk. Physica B: Condens. Matter, 308, 641 (2001)
A.M. Strel'chuk, V.V. Kozlovski, N.S. Savkina, M.G. Rastegaeva, A.N. Andreev. Mater. Sci. Engin. B, 61--62, 441 (1999)
A. Castaldini, A. Cavallini, L. Rigutti. Semicond. Sci. Technol., 21, 724 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель