Вышедшие номера
Компенсация проводимости n-4H-SiC (CVD) при облучении электронами с энергией 0.9 МэВ
Козловский В.В.1, Лебедев А.А.2, Ломасов В.Н.1, Богданова Е.В.2, Середова Н.В.2
1Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 декабря 2013 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2014 г.

Методами вольт-фарадных характеристик и фотолюминесценции исследовано воздействие электронного облучения в n-4H-SiC. Обнаружено, что скорость удаления носителей составила Vd~0.25 см-1. Полная компенсация проводимости образцов с исходной концентрацией (1-2)· 1015 см-2 наблюдалась при дозах облучения ~5· 1015 см-2. Одновременно с ростом компенсации увеличивалась интенсивность характерной для 4H-SiC "дефектной" люминесценции. Проведено сравнение параметров образца до облучения и после облучения и отжига. Анализируются физические механизмы компенсации исследовавшихся образцов.