Исследовались образцы n-Si, полученные методом зонной плавки, с концентрацией фосфора ~6·10¹³ см^-3, облученные электронами с энергией 2 МэВ и протонами с энергией 25 МэВ. Показано, что кинетика изохронного отжига A-центров и дивакансией (температура отжига и перестройка радиационных дефектов, когда диссоциация одних приводит к образованию более стабильных центров) сложным образом зависит от энергии, дозы и температуры облучения, т. е. от соотношения концентраций различных радиационных дефектов и зарядового состояния вступающих в реакции первичных радиационных дефектов при взаимодействии друг с другом, с примесными атомами и разупорядоченными областями. Увеличение концентрации дивакансий в области 180-210^oC объясняется диссоциацией разупорядоченных областей.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.