В гетероструктуре n-InSb-SiO₂-p-Si легко реализуются необходимые условия для существования оптической памяти - наличие потенциальных барьеров и глубоких ловушек. Коэффициент памяти, измеренный на прямой ветви вольт-амперной характеристики, составляет максимальную величину ~10⁴. Гетероструктуру можно использовать как оптоэлектронную ячейку памяти, способную не только запоминать сигналы, но и суммировать их.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.