Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4 5 6
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Катодолюминесценция гетероэпитаксиальных структур ZnO/GaN/alpha-Al₂O₃, полученных методом химического транспорта

Чукичев М.В.¹, Атаев Б.М.², Мамедов В.В.², Аливов Я.И.³, Ходос И.И.³

¹Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия Department of Physics, Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

Department of Physics, Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

²Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия Institute of Physics, Daghestan Science Center, Russian Academy of Sciences, Makhachkala, Russia

Institute of Physics, Daghestan Science Center, Russian Academy of Sciences, Makhachkala, Russia

³Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия Institute of Microelectronic Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Moscow oblast, Russia

Institute of Microelectronic Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Moscow oblast, Russia

Поступила в редакцию: 27 февраля 2002 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2002 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведены сравнительные исследования катодолюминесцентных свойств пленок ZnO в гетероэпитаксиальных структурах ZnO/GaN/alpha-Al₂O₃ и ZnO/alpha-Al₂O₃, выращенных методом химических транспортных реакций в проточном реакторе пониженного давления. Установлена сверхлинейная зависимость интенсивности экситонной полосы спектра катодолюминесценции структур ZnO/GaN/alpha-Al₂O₃ от тока электронного пучка, свидетельствующая о стимулированном характере излучения при относительно низких пороговых значениях уровня возбуждения. Показано, что пленки ZnO, выращенные на GaN, обладают значительно более эффективной катодолюминесценцией по сравнению с пленками на alpha-Al₂O₃. Обнаружена высокая термостойкость люминесцентных свойств слоев ZnO в структурах ZnO/GaN/alpha-Al₂O₃, подвергнутых длительной термообработке при 750^oC в атмосфере кислорода.

D.M. Bagnal, Y.F. Chen, Z. Zhu, T. Yao, M.Y. Shen, T. Goto. Appl. Phys. Lett., 73, 1038 (1998)
D.C. Look, D.C. Reynolds, J.W. Hemsky, R.L. Jones, J.R. Sizelove. Appl. Phys. Lett., 75, 811 (1999)
M. Joseph, H. Tabata, T. Kawai. Jap. J. Appl. Phys., 38, 1205 (1999)
X.-L. Guo, H. Tabata, T. Kawai. J. Cryst. Growth, 223, 135 (2001)
Y.E. Ryu, S. Zhu, D.C. Look, J.M. Wrobel, H.M. Jeong, H.W. White. J. Cryst. Growth, 216, 330 (2000)
Y.E. Ryu, W.J. Kim, H.W. White. J. Cryst. Growth, 219, 419 (2000)
Y. Chen, D.M. Bagnal, Hang-jun Koh, Ki-tae Park, K. Hiraga, Z. Zhu, T. Yao. J. Appl. Phys., 84, 3912 (1998)
R.D. Vispute, V. Talyansky, S. Choopun, R.P. Sharma, T. Venkatesan, M. He, X. Tang, J.B. Halpern, M.G. Spenser, Y.X. Li, L.G. Salamansa-Riba, A.A. Illadis, K.A. Jones. Appl. Phys. Lett., 73, 348 (1998)
S.-K. Hong, H.-J. Ko, Y. Chen, T. Yao. J. Cryst. Growth, 209, 537 (2001)
Б.М. Атаев, И.К. Камилов, В.В. Лундин, В.В. Мамедов, А.К. Омаев, Ш.-М.О. Шахшаев. Письма ЖТФ, 27 (2), 30 (2001)
А.Х. Абдуев, Б.М. Атаев, А.М. Багамадова. Изв. АН СССР. Неорган. матер., N 11, 1928 (1987)
B.J. Pierce, R.L. Hengehold. J. Appl. Phys., 47, 644 (1976)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель